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1. 发明专利

TW201718090A 一種三維量子井型奈米晶團聚的光觸媒粉體之製作與應用审中-公开
简体标题：一种三维量子井型奈米晶团聚的光触媒粉体之制作与应用
公开(公告)号：TW201718090A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104139030
申请日：2015-11-24
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG HAU , 王賈荃 , ABDULLAH, HAIRUS
IPC分类号： B01J27/04 , B01J35/02 , B82Y30/00 , C01B3/04 , C02F1/30
摘要：本發明攸關一種單一相、具不同組成、具三維量子井能帶結構之奈米晶團聚粉體，可於光催化條件下，進行反應與應用，如將水分解產生氫氣。此光觸媒粉體由兩種或兩種以上的金屬氧族化合物構成，係於150℃以下低溫反應，相互固溶而形成具有不同組成的奈米晶，再經奈米晶聚集而形成三維量子井型奈米晶團聚的光觸媒粉體。此粉體利用飛利浦6瓦黑管紫外燈的弱光照下，可以將水催化分解產生氫氣，光照每瓦功率可達產氫量130μmol/g．h．watt以上，產氫量隨光照強度提高而增加，且此產氫反應為可逆式，反應室不需更換或補充反應物，可多次重複使用。
简体摘要：本发明攸关一种单一相、具不同组成、具三维量子井能带结构之奈米晶团聚粉体，可于光催化条件下，进行反应与应用，如将水分解产生氢气。此光触媒粉体由两种或两种以上的金属氧族化合物构成，系于150℃以下低温反应，相互固溶而形成具有不同组成的奈米晶，再经奈米晶聚集而形成三维量子井型奈米晶团聚的光触媒粉体。此粉体利用飞利浦6瓦黑管紫外灯的弱光照下，可以将水催化分解产生氢气，光照每瓦功率可达产氢量130μmol/g．h．watt以上，产氢量随光照强度提高而增加，且此产氢反应为可逆式，反应室不需更换或补充反应物，可多次重复使用。

2. 发明专利

TWI513507B 奈米複合粉體及其混成材料有权
简体标题：奈米复合粉体及其混成材料
公开(公告)号：TWI513507B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW103140612
申请日：2014-11-24
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG HAU , 王賈荃 , ABDULLAH, HAIRUS
IPC分类号： B01J35/08 , B82Y30/00

3. 发明专利

TWI577560B 奈米複合薄膜及其製造方法有权
简体标题：奈米复合薄膜及其制造方法
公开(公告)号：TWI577560B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW104103419
申请日：2015-02-02
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG HAU , 徐唯庭 , HSU, WEI TING , 楊沂淵 , YANG, YI YUAN
IPC分类号： B32B5/16 , B22F3/14 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/35

4. 发明专利

TW201628848A 奈米複合薄膜及其製造方法审中-公开
简体标题：奈米复合薄膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201628848A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104103419
申请日：2015-02-02
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG HAU , 徐唯庭 , HSU, WEI TING , 楊沂淵 , YANG, YI YUAN
IPC分类号： B32B5/16 , B22F3/14 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/35
摘要：一種奈米複合薄膜配置於基板上。所述奈米複合薄膜包括：多數個二氧化鈦顆粒以及多數個銀奈米顆粒。所述銀奈米顆粒均勻分佈在二氧化鈦顆粒之間，其中所述銀奈米顆粒的粒徑小於10nm，其含量為1vol%至5vol%。在一實施例中，本發明的奈米複合薄膜具有光催化抑菌功能，同時可作為光催化劑，其不僅可於紫外光下作用，也可於可見光下作用。
简体摘要：一种奈米复合薄膜配置于基板上。所述奈米复合薄膜包括：多数个二氧化钛颗粒以及多数个银奈米颗粒。所述银奈米颗粒均匀分布在二氧化钛颗粒之间，其中所述银奈米颗粒的粒径小于10nm，其含量为1vol%至5vol%。在一实施例中，本发明的奈米复合薄膜具有光催化抑菌功能，同时可作为光催化剂，其不仅可于紫外光下作用，也可于可见光下作用。

5. 发明专利

TW201618858A 奈米複合粉體及其混成材料审中-公开
简体标题：奈米复合粉体及其混成材料
公开(公告)号：TW201618858A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103140612
申请日：2014-11-24
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG HAU , 王賈荃 , ABDULLAH, HAIRUS
IPC分类号： B01J35/08 , B82Y30/00
摘要：一種奈米複合粉體，其包括多孔載體、具有PN接面的複合層以及多個奈米金屬粒子。複合層配置於多孔載體上。奈米金屬粒子不連續地配置於多孔載體、複合層或兩者上。在一實施例中，本發明的奈米複合粉體可作為光催化劑，其不僅可於紫外光下作用，也可於可見光下作用。另提供一種包括上述奈米複合粉體的混成材料。
简体摘要：一种奈米复合粉体，其包括多孔载体、具有pn结的复合层以及多个奈米金属粒子。复合层配置于多孔载体上。奈米金属粒子不连续地配置于多孔载体、复合层或两者上。在一实施例中，本发明的奈米复合粉体可作为光催化剂，其不仅可于紫外光下作用，也可于可见光下作用。另提供一种包括上述奈米复合粉体的混成材料。

6. 发明专利

TW201527216A 磁性中空複合球及其製造方法审中-公开
简体标题：磁性中空复合球及其制造方法
公开(公告)号：TW201527216A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103101273
申请日：2014-01-14
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY , 臺北醫學大學 , TAIPEI MEDICAL UNIVERSITY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG HAU , 胡毓杰 , HU, YUH JYE , 今榮東洋子 , IMAE, TOYOKO , 曾靖孋 , TSENG, CHING LI
IPC分类号： C01B33/146 , C01B33/18 , B01J13/02 , B01J13/20
摘要：本發明提供一種磁性中空複合球及其製造方法。上述磁性中空複合球包括：多孔二氧化矽殼體；二氧化矽保護層，配置於上述多孔二氧化矽殼體的內側表面及外側表面上；以及多個經二氧化矽包覆的金屬顆粒，分別分布在上述多孔二氧化矽殼體以及二氧化矽保護層中。上述磁性中空複合球具有高強度以及足夠的外徑而當用於藥物載體時不會被細胞吞噬。磁性中空複合球中的金屬顆粒經二氧化矽包覆而不會氧化、團聚，從而可均勻分布在上述多孔二氧化矽殼體以及二氧化矽保護層中。
简体摘要：本发明提供一种磁性中空复合球及其制造方法。上述磁性中空复合球包括：多孔二氧化硅壳体；二氧化硅保护层，配置于上述多孔二氧化硅壳体的内侧表面及外侧表面上；以及多个经二氧化硅包覆的金属颗粒，分别分布在上述多孔二氧化硅壳体以及二氧化硅保护层中。上述磁性中空复合球具有高强度以及足够的外径而当用于药物载体时不会被细胞吞噬。磁性中空复合球中的金属颗粒经二氧化硅包覆而不会氧化、团聚，从而可均匀分布在上述多孔二氧化硅壳体以及二氧化硅保护层中。

7. 发明专利

TW201715752A 固態陶金靶濺鍍ＩＩＩ族氮化物薄膜之ｐ／ｎ功率二極體元件审中-公开
简体标题：固态陶金靶溅镀ＩＩＩ族氮化物薄膜之ｐ／ｎ功率二极管组件
公开(公告)号：TW201715752A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104134079
申请日：2015-10-16
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG HAU , 李成哲 , LI, CHENG CHE , 顏煒峻 , YAN, WEI JYUN , 李冠璋 , LI, GUAN ZHANG , 林凱帆 , LIN, KAIFAN
IPC分类号： H01L33/32 , C23C14/06 , C23C14/36
摘要：本發明係以固態陶金靶進行物理濺鍍法製作堆疊的p型與n型氮化鎵、氮化銦鎵、氮化鋁銦鎵之III族氮化物薄膜於基板上，製作出p/n半導體接面，同時以白金電極與p型半導體形成歐姆接觸，再利用鍍鋁薄膜電極於n型薄膜上形成歐姆接觸，得完成III族氮化物薄膜之p/n功率二極體元件製作；亦可以固態陶金靶濺鍍p型或n型III族氮化物薄膜，於n型或p型矽晶片基板上，製作出p/n半導體異質接面，再利用鍍鋁薄膜電極於n型薄膜與矽晶片上，白金電極於p型薄膜上，得完成III族氮化物薄膜之異質接面p/n功率二極體元件製作。 n型薄膜包括氮化鎵、氮化銦鎵、氮化鋁銦鎵，p型薄膜包括鎂或鋅摻雜之氮化鎵與氮化銦鎵，製作這些薄膜所需的陶金靶材包含20-45莫耳百分比的金屬(鎵、銦、鋁、鎂)與55-80莫耳百分比的陶瓷(氮化鎵、氮化鋅)，係由粉體混合與300-500℃熱壓後所製得。由陶金靶材濺鍍III族氮化物薄膜製作所得之p/n功率二極體元件，具有整流的功能且於150℃高溫環境仍能保有此特性，啟動電壓高於2伏特，於-1伏特下，1mm2大小的元件其漏電流於室溫下低於10-7安培，於150℃下低於10-5安培。
简体摘要：本发明系以固态陶金靶进行物理溅镀法制作堆栈的p型与n型氮化镓、氮化铟镓、氮化铝铟镓之III族氮化物薄膜于基板上，制作出p/n半导体接面，同时以白金电极与p型半导体形成欧姆接触，再利用镀铝薄膜电极于n型薄膜上形成欧姆接触，得完成III族氮化物薄膜之p/n功率二极管组件制作；亦可以固态陶金靶溅镀p型或n型III族氮化物薄膜，于n型或p型硅芯片基板上，制作出p/n半导体异质接面，再利用镀铝薄膜电极于n型薄膜与硅芯片上，白金电极于p型薄膜上，得完成III族氮化物薄膜之异质接面p/n功率二极管组件制作。 n型薄膜包括氮化镓、氮化铟镓、氮化铝铟镓，p型薄膜包括镁或锌掺杂之氮化镓与氮化铟镓，制作这些薄膜所需的陶金靶材包含20-45莫耳百分比的金属(镓、铟、铝、镁)与55-80莫耳百分比的陶瓷(氮化镓、氮化锌)，系由粉体混合与300-500℃热压后所制得。由陶金靶材溅镀III族氮化物薄膜制作所得之p/n功率二极管组件，具有整流的功能且于150℃高温环境仍能保有此特性，启动电压高于2伏特，于-1伏特下，1mm2大小的组件其漏电流于室温下低于10-7安培，于150℃下低于10-5安培。

8. 发明专利

TWI534085B 磁性中空複合球及其製造方法有权
简体标题：磁性中空复合球及其制造方法
公开(公告)号：TWI534085B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW103101273
申请日：2014-01-14
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY , 臺北醫學大學 , TAIPEI MEDICAL UNIVERSITY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG HAU , 胡毓杰 , HU, YUH JYE , 今榮東洋子 , IMAE, TOYOKO , 曾靖孋 , TSENG, CHING LI
IPC分类号： C01B33/146 , C01B33/18 , B01J13/02 , B01J13/20

9. 发明专利

TW201605062A 具備低溫濺鍍ＩｎＧａＮ半導體層的太陽能電池审中-公开
简体标题：具备低温溅镀ＩｎＧａＮ半导体层的太阳能电池
公开(公告)号：TW201605062A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103124460
申请日：2014-07-17
申请人：國立台灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG HAU , 施英俊 , THI, TRAN ANH TUAN
IPC分类号： H01L31/042 , C23C14/34
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：本發明係利用0.8-2.0eV低能隙值之矽(Si)、銅銦鎵(硫)硒(CIGS)、銅鋅錫硫硒(CZTS)等p型半導體材料與低溫濺鍍InGaN的n型半導體材料相結合，製作出p-Si/n-InGaN、p-CIGS/n-InGaN、p-CZTS/n-InGaN等太陽能電池。以有機金屬氣相沉積的傳統技術來沉積InGaN薄膜時，製程所需的高溫會使太陽能電池相關的p型半導體材料受到破壞，使其與矽、銅銦鎵(硫)硒、銅鋅錫硫硒等p型半導體材料組合的太陽能電池未受到重視。採用以陶金靶材為主的低溫反應濺鍍技術，可於400℃以下沉積InGaN薄膜，同時藉由靶材中金屬銦、金屬鎵、陶瓷氮化鎵中金屬銦含量的改變，所得不同銦含量的n-InGaN薄膜可以具有2.0-3.0eV的能隙值。低溫濺鍍InGaN於p-Si上，不需額外擴散阻障層；低溫濺鍍InGaN於p-CIGS與p-CZTS上，不需有ZnO與有環境危害的CdS緩衝層。以此技術與p/n材料組合所製作的太陽能電池，具有簡化之製程與優勢之成本。
简体摘要：本发明系利用0.8-2.0eV低能隙值之硅(Si)、铜铟镓(硫)硒(CIGS)、铜锌锡硫硒(CZTS)等p型半导体材料与低温溅镀InGaN的n型半导体材料相结合，制作出p-Si/n-InGaN、p-CIGS/n-InGaN、p-CZTS/n-InGaN等太阳能电池。以有机金属气相沉积的传统技术来沉积InGaN薄膜时，制程所需的高温会使太阳能电池相关的p型半导体材料受到破坏，使其与硅、铜铟镓(硫)硒、铜锌锡硫硒等p型半导体材料组合的太阳能电池未受到重视。采用以陶金靶材为主的低温反应溅镀技术，可于400℃以下沉积InGaN薄膜，同时借由靶材中金属铟、金属镓、陶瓷氮化镓中金属铟含量的改变，所得不同铟含量的n-InGaN薄膜可以具有2.0-3.0eV的能隙值。低温溅镀InGaN于p-Si上，不需额外扩散阻障层；低温溅镀InGaN于p-CIGS与p-CZTS上，不需有ZnO与有环境危害的CdS缓冲层。以此技术与p/n材料组合所制作的太阳能电池，具有简化之制程与优势之成本。

10. 发明专利

TW201515241A 一種利用低成本的薄膜濺鍍技術製作氮化鎵為主之ｎ／ｐ二極體审中-公开
简体标题：一种利用低成本的薄膜溅镀技术制作氮化镓为主之ｎ／ｐ二极管
公开(公告)号：TW201515241A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW102135733
申请日：2013-10-02
申请人：國立台灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG HAU , 李成哲 , LI, CHENG CHE , 顏煒峻 , YAN, WEI JYUN
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/28
摘要：本發明係以物理濺鍍法製作堆疊的n型與p型GaN為主之薄膜於基板上，製作出p/n半導體接面，同時以白金電極與p型GaN半導體形成歐姆接觸，再利用濺鍍法鍍Al薄膜電極，並使n型GaN與Al薄膜電極間形成歐姆接觸，得完成p/n GaN為主之二極體製作，其中n型GaN薄膜選用純GaN與InGaN，而p型GaN薄膜選用以Mg摻雜之GaN與InGaN。所得n/p GaN二極體元件於-1V下的漏電流約10-6-10-7 amp.。此二極體元件於室溫與100℃環境測試，其啟動電壓僅降低15%左右；此二極體元件經500℃的高溫氮氣氛的退火測試後，其啟動電壓亦僅降低15%左右，證明此p/n GaN二極體具有熱穩定性。採用n型或p型InGaN製作二極體時，漏電流性質改善但升溫量測的啟動電壓衰減速率增大。
简体摘要：本发明系以物理溅镀法制作堆栈的n型与p型GaN为主之薄膜于基板上，制作出p/n半导体接面，同时以白金电极与p型GaN半导体形成欧姆接触，再利用溅镀法镀Al薄膜电极，并使n型GaN与Al薄膜电极间形成欧姆接触，得完成p/n GaN为主之二极管制作，其中n型GaN薄膜选用纯GaN与InGaN，而p型GaN薄膜选用以Mg掺杂之GaN与InGaN。所得n/p GaN二极管组件于-1V下的漏电流约10-6-10-7 amp.。此二极管组件于室温与100℃环境测试，其启动电压仅降低15%左右；此二极管组件经500℃的高温氮气氛的退火测试后，其启动电压亦仅降低15%左右，证明此p/n GaN二极管具有热稳定性。采用n型或p型InGaN制作二极管时，漏电流性质改善但升温量测的启动电压衰减速率增大。

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