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1. 发明专利

TW201918789A 相位移光遮罩的製造方法审中-公开
简体标题：相位移光遮罩的制造方法
公开(公告)号：TW201918789A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107113818
申请日：2018-04-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：田俊介 , TIEN, CHUN-CHIEH , 江政學 , CHIANG, CHENG-HSUEN , 陳志明 , CHEN, CHIH-MING , 林政旻 , LIN, CHENG-MING , 黃彥瑋 , HUANG, YEN-WEI , 張浩銘 , CHANG, HAO-MING , 林國欽 , LIN, KUO-CHIN , 李冠賢 , LEE, KUAN-SHIEN
IPC分类号： G03F1/26
摘要：在一種製造光遮罩的方法中，在遮罩坯之上形成光阻層，所述遮罩坯包括遮罩基底、設置在所述遮罩基底上的相位移層及設置在所述相位移層上的光阻擋層。利用光蝕刻操作形成光阻圖案。利用所述光阻圖案作為蝕刻遮罩將所述光阻擋層圖案化。利用經圖案化的所述光阻擋層作為蝕刻遮罩將所述相位移層圖案化。以蝕刻硬覆蓋體覆蓋所述遮罩基底的邊界區，而所述遮罩基底的圖案區是暴露出來的。通過所述蝕刻硬覆蓋體的所述開口將所述圖案區中的經圖案化的所述光阻擋層圖案化。對所述圖案區執行光蝕刻操作以移除所述光阻擋層的殘留物。
简体摘要：在一种制造光遮罩的方法中，在遮罩坯之上形成光阻层，所述遮罩坯包括遮罩基底、设置在所述遮罩基底上的相位移层及设置在所述相位移层上的光阻挡层。利用光蚀刻操作形成光阻图案。利用所述光阻图案作为蚀刻遮罩将所述光阻挡层图案化。利用经图案化的所述光阻挡层作为蚀刻遮罩将所述相位移层图案化。以蚀刻硬覆盖体覆盖所述遮罩基底的边界区，而所述遮罩基底的图案区是暴露出来的。通过所述蚀刻硬覆盖体的所述开口将所述图案区中的经图案化的所述光阻挡层图案化。对所述图案区运行光蚀刻操作以移除所述光阻挡层的残留物。

2. 发明专利

TW201830123A 光罩及其製作方法审中-公开
简体标题：光罩及其制作方法
公开(公告)号：TW201830123A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106118648
申请日：2017-06-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張浩銘 , CHANG, HAO-MING , 賴建宏 , LAI, CHIEN-HUNG , 林政旻 , LIN, CHENG-MING , 王宣文 , WANG, HSUAN-WEN , 楊民安 , YANG, MIN-AN , 許盛昌 , HSU, SHENG-CHANG , 魏紹琦 , WEI, SHAO-CHI , 朱遠志 , CHU, YUAN-CHIH
IPC分类号： G03F1/26
摘要：一種製造光罩的方法包括：在透光性基底之上沉積終點層；在所述終點層之上沉積相位移層；在所述相位移層之上沉積硬質罩幕層；以及移除所述硬質罩幕層的一部分及所述相位移層的第一部分，以暴露出所述終點層的一部分。所述終點層及所述透光性基底對於預定波長是可透光的。
简体摘要：一种制造光罩的方法包括：在透光性基底之上沉积终点层；在所述终点层之上沉积相位移层；在所述相位移层之上沉积硬质罩幕层；以及移除所述硬质罩幕层的一部分及所述相位移层的第一部分，以暴露出所述终点层的一部分。所述终点层及所述透光性基底对于预定波长是可透光的。

3. 发明专利

TW542942B 修補衰減式相位移光罩的方法失效
简体标题：修补衰减式相位移光罩的方法
公开(公告)号：TW542942B
公开(公告)日：2003-07-21
申请号：TW091125227
申请日：2002-10-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：林政旻
IPC分类号： G03F
摘要：本發明是揭露一種修補衰減式相位移光罩缺陷之方法。先沈積一不透光層於光罩上接觸孔透光區周圍之相位移層中，以修補孔洞缺陷(pinehole defect)之位置。最後，在接觸孔透光區之基板中形成一相角180度之凹槽，以改善光罩之相位移特性。
简体摘要：本发明是揭露一种修补衰减式相位移光罩缺陷之方法。先沉积一不透光层于光罩上接触孔透光区周围之相位移层中，以修补孔洞缺陷(pinehole defect)之位置。最后，在接触孔透光区之基板中形成一相角180度之凹槽，以改善光罩之相位移特性。

4. 发明专利

TW202008075A 光罩及其形成方法审中-公开
公开(公告)号：TW202008075A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108115413
申请日：2019-05-03
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：黃崇洋 , HUANG, CHUNG-YANG , 張浩銘 , CHANG, HAO-MING , 李明哲 , LI, MING CHE , 許有心 , HSU, YU-HSIN , 賴伯政 , LAI, PO-CHENG , 李冠賢 , LEE, KUAN-SHIEN , 林維信 , LIN, WEI-HSIN , 林詣軒 , LIN, YI-HSUAN , 施旺成 , SHIH, WANG CHENG , 林政旻 , LIN, CHENG-MING
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/36 , G03F1/42 , G03F1/44 , G03F1/48 , G03F1/54 , G03F1/60 , G03F1/72 , G03F1/80 , G03F1/82 , G03F1/86 , C09K13/00 , C23F1/02 , C23F1/38 , H01L21/027
摘要：根據本發明的一些實施例，一種用於形成一光罩之方法包含：接納一基板，該基板具有形成於其上之一第一層，其中在該基板上方放置暴露該第一層之部分之一經圖案化第二層；透過該經圖案化第二層而移除該第一層之該等經暴露部分以在該第一層中形成複數個開口；移除該經圖案化第二層；及利用一蝕刻劑執行一濕式蝕刻以移除該第一層之部分以使該複數個開口變寬。該蝕刻劑與該第一層之一頂部表面及該複數個開口之側壁接觸。該複數個開口中之每一者在該濕式蝕刻之該執行之前具有一第一寬度且在該濕式蝕刻之該執行之後具有一第二寬度。該第二寬度大於該第一寬度。
简体摘要：根据本发明的一些实施例，一种用于形成一光罩之方法包含：接纳一基板，该基板具有形成于其上之一第一层，其中在该基板上方放置暴露该第一层之部分之一经图案化第二层；透过该经图案化第二层而移除该第一层之该等经暴露部分以在该第一层中形成复数个开口；移除该经图案化第二层；及利用一蚀刻剂运行一湿式蚀刻以移除该第一层之部分以使该复数个开口变宽。该蚀刻剂与该第一层之一顶部表面及该复数个开口之侧壁接触。该复数个开口中之每一者在该湿式蚀刻之该运行之前具有一第一宽度且在该湿式蚀刻之该运行之后具有一第二宽度。该第二宽度大于该第一宽度。

5. 发明专利

TW552470B 多重相階之光罩修補方法有权
简体标题：多重相阶之光罩修补方法
公开(公告)号：TW552470B
公开(公告)日：2003-09-11
申请号：TW092101644
申请日：2003-01-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：林政旻
IPC分类号： G03F
摘要：一種多重相階(Multiple Phase Steps)之光罩修補方法，其係在光罩之可透光基材上，利用去除部分之可透光基材的方式，於凹陷缺陷周圍形成階梯狀相位。利用此階梯狀相位可減輕凹陷缺陷之邊緣上之光破壞性干擾，並增強凹陷缺陷之光強度，達到有效修補光罩之凹陷缺陷的目的。伍、(一)、本案代表圖為：第╴╴╴5╴╴╴╴圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
102 透光基材 103 表面
104 凹陷缺陷 105 高度
108 階層 112 階層
116 階層
简体摘要：一种多重相阶(Multiple Phase Steps)之光罩修补方法，其系在光罩之可透光基材上，利用去除部分之可透光基材的方式，于凹陷缺陷周围形成阶梯状相位。利用此阶梯状相位可减轻凹陷缺陷之边缘上之光破坏性干扰，并增强凹陷缺陷之光强度，达到有效修补光罩之凹陷缺陷的目的。伍、(一)、本案代表图为：第╴╴╴5╴╴╴╴图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 102 透光基材 103 表面 104 凹陷缺陷 105 高度 108 阶层 112 阶层 116 阶层

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