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2. 发明专利

TW515027B 用以形成薄膜之裝置及使用該裝置以於半導體基板上形成電容器之方法有权
简体标题：用以形成薄膜之设备及使用该设备以于半导体基板上形成电容器之方法
公开(公告)号：TW515027B
公开(公告)日：2002-12-21
申请号：TW089118593
申请日：2000-09-11
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：姜昌錫 , 黃斗燮 , 柳次英 , 朴泳旭 , 朴洪培
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/60 , H01L21/321 , H01L28/55
摘要：本發明提供在基板上氧基退火或電漿退火微電子電容器之各層(例如，下電極、介電層或上電極)之方法及裝置。藉氧基或電漿退火電容器之下電極，電容器之漏電流特性可改良，使漏電流例如藉因數為100或以上而減少。下電極上之雜質量亦會減少。氧基或電漿退火電容器之介電層可改良電容器之漏電流特性並可減少介電層內雜質量。藉臭氧退火上電極，電容器之漏電流特性可改良，形成於介電層內之氧空位數目會減少。在基板上形成薄膜之裝置具有沉積介電層在基材上之多功能室及接至多功能室之氧基或電裝退火單元。氧基或電漿退火單元提供氧基或電漿氣體至多功能室以在多功能室內基板上氧基或電漿退火電極及/或介電層。本發明亦提供使用該裝置之方法。
简体摘要：本发明提供在基板上氧基退火或等离子退火微电子电容器之各层(例如，下电极、介电层或上电极)之方法及设备。藉氧基或等离子退火电容器之下电极，电容器之漏电流特性可改良，使漏电流例如藉因子为100或以上而减少。下电极上之杂质量亦会减少。氧基或等离子退火电容器之介电层可改良电容器之漏电流特性并可减少介电层内杂质量。藉臭氧退火上电极，电容器之漏电流特性可改良，形成于介电层内之氧空位数目会减少。在基板上形成薄膜之设备具有沉积介电层在基材上之多功能室及接至多功能室之氧基或电装退火单元。氧基或等离子退火单元提供氧基或等离子气体至多功能室以在多功能室内基板上氧基或等离子退火电极及/或介电层。本发明亦提供使用该设备之方法。

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