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1. 发明专利

TW200931655A 影像感測器及其製造方法 IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：影像传感器及其制造方法 IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200931655A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097148104
申请日：2008-12-10
申请人：東部高科股份有限公司 DONGBU HITEK CO., LTD.
发明人：黃 HWANG, JOON
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/14692
摘要：一種影像感測器及其製造方法,影像感測器包括一第一基板、一非晶質層以及一光電二極體。一電路系統包括有形成於第一基板上之一金屬內連線。非晶質層設置於第一基板上,且與金屬內連線相接觸。光電二極體形成於一結晶半導體層內且與第一基板結合,且光電二極體與非晶質層接觸並電性連接金屬內連線。
简体摘要：一种影像传感器及其制造方法,影像传感器包括一第一基板、一非晶质层以及一光电二极管。一电路系统包括有形成于第一基板上之一金属内连接。非晶质层设置于第一基板上,且与金属内连线相接触。光电二极管形成于一结晶半导体层内且与第一基板结合,且光电二极管与非晶质层接触并电性连接金属内连接。

2. 发明专利

TW200929886A 時序控制之延遲鎖相迴路及其延遲方法 DELAY-LOCKED LOOP FOR TIMING CONTROL AND DELAY METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：时序控制之延迟锁相回路及其延迟方法 DELAY-LOCKED LOOP FOR TIMING CONTROL AND DELAY METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200929886A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097145827
申请日：2008-11-26
申请人：東部高科股份有限公司 DONGBU HITEK CO., LTD.
发明人：金廷 KIM, JEONG MIN
IPC分类号： H03L , H03K
CPC分类号： H03L7/0812
摘要：本發明係關於一種用於進行時序控制的延遲鎖相迴路,這種延遲鎖相迴路係包含:壓控延遲線,係用於對參考時脈進行延遲,藉以產生多相位時脈,此多相位時脈係包含有複數個延遲相位時脈;以及升頻/降頻控制器,係用於接收多個延遲相位時脈中之一個延遲相位時脈,並根據此反餽時脈之上升沿是否與參考時脈之下降沿一致而產生頻率上升/下降控制訊號。這種延遲鎖相迴路還包含:電荷泵,係用於依據來自升頻/降頻控制器之頻率上升/降頻控制訊號對與壓控延遲線相連的迴路濾波器進行充電或放電;以及諧波鎖相檢測器,係用於將延遲相位時脈中之多個延遲相位時脈之相位與參考時脈之相位進行比較並進行作業,藉以在此參考時脈之第一週期內對多相位時脈進行鎖定。
简体摘要：本发明系关于一种用于进行时序控制的延迟锁相回路,这种延迟锁相回路系包含:压控延迟线,系用于对参考时脉进行延迟,借以产生多相位时脉,此多相位时脉系包含有复数个延迟相位时脉;以及升频/降频控制器,系用于接收多个延迟相位时脉中之一个延迟相位时脉,并根据此反馈时脉之上升沿是否与参考时脉之下降沿一致而产生频率上升/下降控制信号。这种延迟锁相回路还包含:电荷泵,系用于依据来自升频/降频控制器之频率上升/降频控制信号对与压控延迟线相连的回路滤波器进行充电或放电;以及谐波锁相检测器,系用于将延迟相位时脉中之多个延迟相位时脉之相位与参考时脉之相位进行比较并进行作业,借以在此参考时脉之第一周期内对多相位时脉进行锁定。

3. 发明专利

TW200929449A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200929449A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097148101
申请日：2008-12-10
申请人：東部高科股份有限公司 DONGBU HITEK CO., LTD.
发明人：朴真河 PARK, JIN HA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32139 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/4234
摘要：一種半導體裝置包括形成於半導體基板上的第一多晶層型、形成於第一多晶層上的內多晶矽介電層、形成於內多晶矽介電層上的第二多晶層、形成於第二多晶層之側壁上的氧化層、形成於氧化層之側壁上的第一絕緣層與形成於第一絕緣層之側壁上的第二絕緣層。
简体摘要：一种半导体设备包括形成于半导体基板上的第一多晶层型、形成于第一多晶层上的内多晶硅介电层、形成于内多晶硅介电层上的第二多晶层、形成于第二多晶层之侧壁上的氧化层、形成于氧化层之侧壁上的第一绝缘层与形成于第一绝缘层之侧壁上的第二绝缘层。

4. 发明专利

TW200929382A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200929382A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097149271
申请日：2008-12-17
申请人：東部高科股份有限公司 DONGBU HITEK CO., LTD.
发明人：趙湧洙 CHO, YONG SOO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/1037 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/66613 , H01L29/7834
摘要：一種半導體裝置及其製造方法,其半導體裝置包括有一閘極電極,且閘極電極具有設置於半導體基板上之一本體部,及自本體部向下突出之一凸出部,一源極/汲極區設置在閘極電極的相對側。
简体摘要：一种半导体设备及其制造方法,其半导体设备包括有一闸极电极,且闸极电极具有设置于半导体基板上之一本体部,及自本体部向下突出之一凸出部,一源极/汲极区设置在闸极电极的相对侧。

5. 发明专利

TW200929380A 電晶體及其製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING A TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：晶体管及其制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING A TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200929380A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097144665
申请日：2008-11-19
申请人：東部高科股份有限公司 DONGBU HITEK CO., LTD.
发明人：金鳳吉 KIM, BONG KIL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/665 , H01L29/66568 , H01L29/7833
摘要：一種電晶體製造方法,能夠提高晶圓上的電晶體內或電晶體之間的區域從晶圓到晶圓和/或多對多的匹配特性,其包含有:形成光阻圖案於半導體基板上,半導體基板包含絕緣層;利用光阻圖案作為光罩透過植入第一和第二攙雜離子以形成漂移區域;形成閘極氧化層於半導體基板上;形成多晶矽閘於閘極氧化層上;形成源極和汲極區域,源極和汲極區域與多晶矽閘間隔預設距離;以及形成矽化物層於上述結構上。
简体摘要：一种晶体管制造方法,能够提高晶圆上的晶体管内或晶体管之间的区域从晶圆到晶圆和/或多对多的匹配特性,其包含有:形成光阻图案于半导体基板上,半导体基板包含绝缘层;利用光阻图案作为光罩透过植入第一和第二搀杂离子以形成漂移区域;形成闸极氧化层于半导体基板上;形成多晶硅闸于闸极氧化层上;形成源极和汲极区域,源极和汲极区域与多晶硅闸间隔默认距离;以及形成硅化物层于上述结构上。

6. 发明专利

TW200929347A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200929347A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097141699
申请日：2008-10-29
申请人：東部高科股份有限公司 DONGBU HITEK CO., LTD.
发明人：安熙伯 AN, HEE BAEG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/3171 , H01L24/02 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/00
摘要：一種半導體裝置及其製造方法,能夠改善半導體裝置之性能和生產量。半導體裝置包含:其上的複數個半導體晶片;位於半導體晶圓上的底部金屬層;位於底部金屬層上的介電層;位於介電層上的複數個導電層,被分離為複數個片塊;以及被動層,封閉上部導電層之各片塊之至少四個橫向側面。因此,當切割和分離半導體晶圓上的各晶片時,上部金屬層不會從半導體層中脫落。所以可改善半導體裝置之性能和產率。
简体摘要：一种半导体设备及其制造方法,能够改善半导体设备之性能和生产量。半导体设备包含:其上的复数个半导体芯片;位于半导体晶圆上的底部金属层;位于底部金属层上的介电层;位于介电层上的复数个导电层,被分离为复数个片块;以及被动层,封闭上部导电层之各片块之至少四个横向侧面。因此,当切割和分离半导体晶圆上的各芯片时,上部金属层不会从半导体层中脱落。所以可改善半导体设备之性能和产率。

7. 发明专利

TW200929233A 記憶體裝置之測試設備 APPARATUS FOR TESTING MEMORY DEVICE 审中-公开
简体标题：内存设备之测试设备 APPARATUS FOR TESTING MEMORY DEVICE
公开(公告)号：TW200929233A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097148672
申请日：2008-12-12
申请人：東部高科股份有限公司 DONGBU HITEK CO., LTD.
发明人：金東烈 KIM, DONG YEOL
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/50 , G11C11/41 , G11C29/02 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/12005 , G11C29/50012 , G11C29/84 , G11C2029/1202
摘要：一種記憶體裝置之測試設備及其測試方法,在不使用昂貴的設備下,藉由增加一簡單的電路來測試記憶體主要部分之延遲的方法,使記憶體開發的時間區間縮短,並使記憶體開發成本降低。記憶體裝置之測試設備包含一記憶體陣列、一冗餘記憶體、一可程式化冗餘解碼器,可程式化冗餘解碼器決定一對應於一選擇訊號之驅動力,並輸出經決定的驅動力至冗餘記憶體的字元線、以及一延遲差產生單元,延遲差產生單元產生一延遲差訊號,此延遲差訊號對應於自冗餘記憶體所輸出之第一及第二字元線訊號之間的延遲差。
简体摘要：一种内存设备之测试设备及其测试方法,在不使用昂贵的设备下,借由增加一简单的电路来测试内存主要部分之延迟的方法,使内存开发的时间区间缩短,并使内存开发成本降低。内存设备之测试设备包含一内存数组、一冗余内存、一可进程化冗余译码器,可进程化冗余译码器决定一对应于一选择信号之驱动力,并输出经决定的驱动力至冗余内存的字符线、以及一延迟差产生单元,延迟差产生单元产生一延迟差信号,此延迟差信号对应于自冗余内存所输出之第一及第二字符线信号之间的延迟差。

8. 发明专利

TW200928657A 參考電壓產生電路之啓動電路與啓動方法 START-UP CIRCUIT FOR REFERENCE VOLTAGE GENERATION CIRCUIT 失效
简体标题：参考电压产生电路之启动电路与启动方法 START-UP CIRCUIT FOR REFERENCE VOLTAGE GENERATION CIRCUIT
公开(公告)号：TW200928657A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097148103
申请日：2008-12-10
申请人：東部高科股份有限公司 DONGBU HITEK CO., LTD.
发明人：張炳 JANG, BYUNG TAK
IPC分类号： G05F
CPC分类号： G05F3/30
摘要：一種參考電壓產生電路之啓動電路與啓動方法,其中啓動電路包含有:啓動開始單元,用以允許電流於參考電壓產生電路上流動,以響應啓動開始訊號初始化啓動程序;參考電流產生單元,用以依據參考電壓產生電路是否啓動而降低可變電壓,並產生相應於可變電壓的啓動參考電流;及啓動控制器,用以偵測在參考電壓產生電路上流動的電流、將偵測結果與啓動參考電流相比較、並且輸出比較結果以作為啓動訊號。因此在啓動後,可降低電流消耗。能隙參考電路可穩定地啓動。若使用高供應電壓,可減少電流消耗,而若使用低供應電壓,則可穩定地啓動能隙參考電路。
简体摘要：一种参考电压产生电路之启动电路与启动方法,其中启动电路包含有:启动开始单元,用以允许电流于参考电压产生电路上流动,以响应启动开始信号初始化启动进程;参考电流产生单元,用以依据参考电压产生电路是否启动而降低可变电压,并产生相应于可变电压的启动参考电流;及启动控制器,用以侦测在参考电压产生电路上流动的电流、将侦测结果与启动参考电流相比较、并且输出比较结果以作为启动信号。因此在启动后,可降低电流消耗。能隙参考电路可稳定地启动。若使用高供应电压,可减少电流消耗,而若使用低供应电压,则可稳定地启动能隙参考电路。

9. 发明专利

TW200926126A 液晶顯示裝置驅動積體電路及其製造方法 LCD DRIVER IC AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：液晶显示设备驱动集成电路及其制造方法 LCD DRIVER IC AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200926126A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097127027
申请日：2008-07-16
申请人：東部高科股份有限公司 DONGBU HITEK CO., LTD.
发明人：崔益準 CHOI, IK JOON , 金鍾基 KIM, JONG KEE
IPC分类号： G09G , G02F
CPC分类号： H01L24/05 , G02F1/13452 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/4847 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要：一種液晶顯示裝置驅動積體電路及其方法。液晶顯示裝置驅動積體電路包含:導體、第一被動層、第一凸塊以及第一引線。導體置於源極驅動器之上。第一被動層置於導體上,並且包含暴露導體頂面之第一通道。第一凸塊填充第一通道。第一引線置於第一凸塊之上。
简体摘要：一种液晶显示设备驱动集成电路及其方法。液晶显示设备驱动集成电路包含:导体、第一被动层、第一凸块以及第一引线。导体置于源极驱动器之上。第一被动层置于导体上,并且包含暴露导体顶面之第一信道。第一凸块填充第一信道。第一引线置于第一凸块之上。

10. 发明专利

TW200924080A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200924080A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097144674
申请日：2008-11-19
申请人：東部高科股份有限公司 DONGBU HITEK CO., LTD.
发明人：金大均 KIM, DAE KYEUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7834 , H01L29/66553 , H01L29/6659 , H01L29/66621
摘要：一種半導體裝置及其製造方法,此半導體裝置包含:溝槽,形成於半導體基板中;閘電極,形成於溝槽中;源極/汲極區域,鄰接閘電極之側牆而放置;以及間隔物,置於閘電極和源極/汲極區域之間,這樣源極/汲極區域之上表面、閘電極之上表面以及間隔物之上表面形成於相同平面上。
简体摘要：一种半导体设备及其制造方法,此半导体设备包含:沟槽,形成于半导体基板中;闸电极,形成于沟槽中;源极/汲极区域,邻接闸电极之侧墙而放置;以及间隔物,置于闸电极和源极/汲极区域之间,这样源极/汲极区域之上表面、闸电极之上表面以及间隔物之上表面形成于相同平面上。

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