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1. 发明授权

KR102477268B1 메모리 모듈의 정보를 실시간으로 모니터링하는 방법 및 시스템 有权
公开(公告)号：KR102477268B1
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：KR1020180010119
申请日：2018-01-26
IPC分类号： G11C29/56 , G11C29/02
摘要： 메모리모듈의정보를실시간으로모니터링하는방법및 시스템이개시된다. 메모리모듈은메모리모듈에실장된메모리장치들에대한 DRAM 유효성검사에이용되는루프백채널을통하여메모리모듈의정보를메모리콘트롤러로제공한다. 메모리모듈은메모리콘트롤러에의한데이터처리동작동안, 선택된메모리장치의모드레지스터에저장된기능들, 특성들또는모드들에관한정보, 온도센서에서검출하는내부온도정보, 또는전력센서에서센싱하는전력정보를루프백채널을통하여메모리콘트롤러로실시간으로제공한다.

2. 发明授权

KR102388803B1 반도체 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 반도체 메모리 장치의 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR102388803B1
公开(公告)日：2022-04-20
申请号：KR1020170145251
申请日：2017-11-02
IPC分类号： G11C29/56 , G11C29/42
摘要： 반도체메모리장치는메모리셀 어레이, 에러삽입레지스터세트, 데이터입력버퍼, 기입데이터생성기및 제어로직회로를포함한다. 상기에러삽입레지스터세트는제1 커맨드에응답하여, 상기메모리셀 어레이에기입될데이터세트와관련된적어도하나의에러비트를포함하는에러비트세트를저장한다. 상기데이터입력버퍼는제2 커맨드에응답하여상기메모리셀 어레이에기입될데이터세트들을저장한다. 상기기입데이터생성기는상기데이터세트와상기에러비트세트에기초하여상기메모리셀 어레이에기입될기입데이터세트를생성한다. 상기제어로직회로는상기에러삽입레지스터세트와상기데이터입력버퍼를제어한다.

3. 发明授权

KR101974853B1 ＳＳＤ 테스터 보드의 보드 번호 부여용 ＵＳＢ 장치 및 그 방법 有权
公开(公告)号：KR101974853B1
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：KR1020170124864
申请日：2017-09-27
申请人： (주) 제노맥스
发明人： 강상민
IPC分类号： G11C29/56

4. 发明授权

KR101915845B1 자기 저항 메모리 장치 및 이에 있어서 메모리 셀 불량 검사 방법 有权
公开(公告)号：KR101915845B1
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：KR1020160108879
申请日：2016-08-26
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 유창식 , 김경민
IPC分类号： G11C29/56 , G11C29/00 , G11C11/409
摘要： 복수의메모리셀들을리드하여불량을검사하는자기저항메모리장치및 이에있어서메모리셀 불량검사방법이개시된다. 상기자기저항메모리장치는복수의메모리셀들을포함하는메모리셀부, 적어도하나의기준셀을포함하는기준셀부및 감지회로를포함한다. 여기서, 메모리셀 불량검사시, 동시에선택되는복수의워드라인들이따라복수의메모리셀들이선택된다. 또한, 상기감지회로는상기선택된메모리셀들의저항을감지하고, 상기기준셀의저항을감지하며, 메모리셀의불량여부를판단하기위하여상기감지된저항들을비교한다.

5. 发明公开

KR20180043281A MRAM 웨이퍼 테스팅을 위한 자기장 강화 백킹 플레이트 审中-公开
公开(公告)号：KR20180043281A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：KR20187005497
申请日：2016-07-28
申请人： QUALCOMM INC
发明人： KAN JIMMY , GOTTWALD MATTHIAS GEORG , PARK CHANDO , KANG SEUNG HYUK
IPC分类号： G11C29/56 , G01R33/12 , G11C11/16 , G11C29/00 , G11C29/04 , G11C29/12 , G11C29/50
CPC分类号： G01R33/1207 , G11C11/16 , G11C29/006 , G11C29/04 , G11C29/56016 , G11C2029/1206 , G11C2029/5002 , G11C2029/5602
摘要： 자기메모리디바이스를테스팅하기위한방법및 장치가제공된다. 방법은, 자기장강화백킹플레이트가테스트장비(fixture)에설치될때 시작된다. 자기장강화백킹플레이트는웨이퍼테스팅프로브스테이션의웨이퍼척에설치될수 있다. 자기메모리디바이스는테스트장비에설치되고자기장은자기메모리디바이스에적용된다. 자기장은자기메모리디바이스에수평으로또는수직으로적용될수 있다. 자기메모리디바이스의성능은디바이스에적용된자기장에기반하여결정될수 있다. 장치는테스트장비, 아마도웨이퍼척에맞도록적응된자기장강화백킹플레이트를포함한다. 자기장강화백킹플레이트는테스팅에사용되는자기장에기반한두께로, 고투자율자기재료들, 이를테면저 탄소강으로제조된다.

6. 发明公开

KR1020170130265A 자기 저항 메모리 장치 및 이에 있어서 메모리 셀 불량 검사 방법 审中-实审
标题翻译：磁阻存储器件及其存储单元缺陷检测方法
公开(公告)号：KR1020170130265A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：KR1020160108879
申请日：2016-08-26
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 유창식 , 김경민
IPC分类号： G11C29/56 , G11C29/00 , G11C11/409
摘要： 복수의메모리셀들을리드하여불량을검사하는자기저항메모리장치및 이에있어서메모리셀 불량검사방법이개시된다. 상기자기저항메모리장치는복수의메모리셀들을포함하는메모리셀부, 적어도하나의기준셀을포함하는기준셀부및 감지회로를포함한다. 여기서, 메모리셀 불량검사시, 동시에선택되는복수의워드라인들이따라복수의메모리셀들이선택된다. 또한, 상기감지회로는상기선택된메모리셀들의저항을감지하고, 상기기준셀의저항을감지하며, 메모리셀의불량여부를판단하기위하여상기감지된저항들을비교한다.
摘要翻译：一种用于读取多个存储单元并检查有缺陷的存储单元的磁阻存储器件及其存储单元缺陷检测方法。磁阻存储器件包括：包括多个存储器单元的存储器单元部分，包括至少一个参考单元的参考单元部分以及感测电路。这里，当检查存储单元缺陷时，沿着同时选择的多个字线选择多个存储单元。另外，感测电路感测所选存储器单元的电阻，感测参考单元的电阻，并且比较感测到的电阻器以确定存储器单元是否有缺陷。

7. 发明公开

KR1020170046187A 웨이퍼 상의 메모리 디바이스 영역에서 검출된 결함들을 분류하기 위한 컴퓨터-구현 방법들, 컴퓨터-판독 가능 매체, 및 시스템들 审中-实审
标题翻译：计算机实现的方法，计算机可读介质和用于对在晶片上的存储器器件区域中检测到的缺陷进行分类的系统
公开(公告)号：KR1020170046187A
公开(公告)日：2017-04-28
申请号：KR1020177010477
申请日：2009-07-28
申请人： 케이엘에이-텐코어 코오포레이션
发明人： 최선용 , 배연호 , 창,엘리스
IPC分类号： G11C29/56 , G06F17/00
CPC分类号： G11C29/56 , G11C29/56008 , G06F17/00
摘要： 웨이퍼상의메모리디바이스영역에서검출된결함들을분류하기하기위한컴퓨터-구현방법들, 컴퓨터-판독가능매체, 및시스템들이제공된다.
摘要翻译：提供了计算机实现的方法，计算机可读介质和用于对晶片上的存储器器件区域中检测到的缺陷进行分类的系统。

8. 发明公开

KR1020170039792A 반도체 메모리 장치 및 이를 포함하는 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体存储器件和包括其的半导体器件
公开(公告)号：KR1020170039792A
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：KR1020150138508
申请日：2015-10-01
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 홍윤기
IPC分类号： G11C29/40 , G11C29/44 , G11C29/56 , G11C29/26
CPC分类号： G11C29/1201 , G06F3/0604 , G06F3/0638 , G06F3/0656 , G06F3/0673 , G11C7/1006 , G11C7/1057 , G11C7/22 , G11C29/40 , G11C2207/102
摘要： 본기술의일 실시예에의한반도체메모리장치는메모리회로부에서제공되는테스트데이터에기초하여적어도하나의압축신호를생성하도록구성되는제 1 압축부및 적어도하나의압축신호를기 설정된비트단위로그룹화하여그룹화데이터를생성하고, 그룹화데이터의논리레벨에대응하는전압레벨을갖는출력신호를생성하도록구성되는제 2 압축부를포함할수 있다.
摘要翻译：根据本技术的实施例的半导体存储器件是一组第一压缩单元和压缩信号中的至少一个，并产生由所述存储器电路将一组所提供的测试数据的基础上，压缩后的信号中的至少一个比特以及第二压缩单元，被配置为生成分组数据并且生成具有与分组数据的逻辑电平对应的电压电平的输出信号。

9. 发明公开

KR1020160105655A 오류 검출 회로 및 이를 이용하는 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：使用相同的错误检测电路和半导体器件
公开(公告)号：KR1020160105655A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：KR1020150028589
申请日：2015-02-27
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 차진엽 , 임유리
IPC分类号： G11C29/42 , G11C29/36 , G11C7/10 , G11C29/02 , G11C29/04 , G11C29/12 , G11C29/50 , G11C29/56 , G11C29/44
CPC分类号： G06F11/08 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/027 , G11C29/42 , G11C7/10 , G11C29/023 , G11C29/12015 , G11C29/36 , G11C29/50012 , G11C29/56012 , G11C2029/4402
摘要： 본기술은제 1 제어신호에따라 1차데이터그룹과 2차데이터그룹을순차적으로선택하여출력신호를생성하도록구성된선택부; 상기선택부의출력신호에대한오류검출연산을수행하고그 결과를예비오류연산신호로서출력하도록구성된제 1 연산부; 상기예비오류연산신호를래치하여제 2 제어신호에따라출력하도록구성된저장부; 상기저장부에서출력되는이전예비오류연산신호와상기제 1 연산부에서출력되는현재예비오류연산신호에대한오류검출연산을수행하고그 결과를내부오류연산신호로서생성하도록구성된제 2 연산부; 및상기내부오류연산신호와외부오류연산신호를비교하고, 그비교결과를오류검출신호로서출력하도록구성된비교부를포함할수 있다.
摘要翻译：公开了一种误差检测电路和使用该误差检测电路的半导体装置，其能够减少用于错误检测的电路区域和错误检测处理的偏斜。根据本技术，误差检测电路包括：选择单元，用于根据第一控制信号依次选择主数据组和次数据组以产生输出信号; 第一处理单元，用于对选择单元的输出信号执行错误检测处理，以将误差检测处理的结果作为初步误差处理信号输出; 存储单元，用于根据第二控制信号锁存所述初步误差处理信号以输出所述锁存信号; 第二处理单元，用于对从存储单元输出的先前初步误差处理信号执行错误检测处理，以及从第一处理单元输出的当前初步误差处理信号，以产生前一个和当前信号之间的结果作为内部错误处理信号; 以及比较单元，用于将内部误差处理信号与外部误差处理信号进行比较，以输出比较结果作为检错信号。

10. 发明公开

KR1020160090034A 상변화 메모리소자의 세트시간 및 데이터 유지시간의 예측방법 有权
标题翻译： PCRAM的设置时间和数据保留时间的预测方法
公开(公告)号：KR1020160090034A
公开(公告)日：2016-07-29
申请号：KR1020150009790
申请日：2015-01-21
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 주영창 , 조주영 , 박용진
IPC分类号： G11C29/08 , G11C29/04 , G11C29/02 , G11C29/12 , G11C29/50 , G11C29/56 , G11C11/56 , G11C7/04
CPC分类号： G11C29/12015 , G11C7/04 , G11C11/5678 , G11C29/023 , G11C29/50012 , G11C29/56012 , G11C2207/22
摘要： 본발명은기판및 상기기판의적어도일면상에상변화물질의피막이형성된부재를승온시키면서상기기판의곡률변화를측정하는단계; 상기측정된곡률변화로부터상기상변화물질의결정화온도(Tx) 및과냉액상온도구역(Tx-Tg)을도출하는단계; 및상기결정화온도(Tx) 및상기과냉액상온도구역(Tx-Tg)을매핑하여세트시간및 데이터유지시간을예측하는단계;를포함하거나, 기판및 상기기판의적어도일면상에상변화물질의피막이형성된부재를승온시키면서상기기판의곡률변화를측정하는단계; 상기측정된곡률변화로부터상기상변화물질의결정화온도(Tx) 및프래질리티(fragility)를도출하는단계; 및상기결정화온도(Tx) 및상기프래질리티의역수를매핑하여세트시간및 데이터유지시간을예측하는단계;를포함하는, 상변화메모리소자의세트시간및 데이터유지시간의예측방법을제공한다.
摘要翻译：本发明提供了一种用于预测相变存储器件的设定时间和数据保持时间的方法，包括以下步骤：测量衬底的曲率变化，同时提高衬底的温度和形成有膜的部件在所述基板的至少一个表面上的相变材料; 从测量的曲率变化导出相变材料的结晶温度（Tx）和超冷却液体温度区域（Tx-Tg）; 并且通过将结晶温度（Tx）与超冷却液体温度区域（Tx-Tg）进行映射来预测设定时间和数据保留时间，或者包括以下步骤：在提高温度的同时测量衬底的曲率变化以及在所述基板的至少一个表面上形成有相变材料的膜的部件; 从测量的曲率变化导出相变材料的结晶温度（Tx）和脆性; 并通过将结晶温度（Tx）映射到脆性的倒数来预测设定时间和数据保留时间。本发明有助于评估相变存储器件的实时性能特性。

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