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1. 发明授权

KR102461730B1 메모리 장치 및 이의 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR102461730B1
公开(公告)日：2022-11-02
申请号：KR1020160109984
申请日：2016-08-29
IPC分类号： G11C16/16 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/30 , H01L27/115
摘要： 본기술은다수의적층된서브메모리블록들이포함된메모리블록; 상기메모리블록또는상기서브메모리블록들중 선택된블록의프로그램, 리드및 소거동작을수행하도록구성된주변회로들; 및상기메모리블록의리드동작시, 상기서브메모리블록들중 부분소거동작(partial erase operation)이수행된블록이없으면상기리드동작에사용되는전압들을설정하고, 상기서브메모리블록들중 상기부분소거동작이수행된블록이있으면, 상기리드동작의대상이되는서브메모리블록의위치에따라상기리드동작에사용되는전압들을가변하도록상기주변회로들을제어하고, 상기서브메모리블록들중 상기부분소거동작이수행된블록의프로그램동작순서가빠를수록, 상기리드동작에사용되는비트라인전압들이단계적으로낮아지도록상기주변회로들을제어하는제어로직을포함하는메모리장치및 이의동작방법을포함한다.

2. 发明授权

KR102456490B1 메모리 시스템 및 그 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR102456490B1
公开(公告)日：2022-10-20
申请号：KR1020160003547
申请日：2016-01-12
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/06 , G06F13/16 , G11C16/16 , G11C16/22

3. 发明授权

KR102452994B1 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR102452994B1
公开(公告)日：2022-10-12
申请号：KR1020160114649
申请日：2016-09-06
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/16 , G11C16/10 , G11C16/26

4. 发明授权

KR102430151B1 심층 학습 신경망에서 아날로그 비휘발성 메모리를 위한 데이터 리프레쉬 방법 및 장치 有权
公开(公告)号：KR102430151B1
公开(公告)日：2022-08-08
申请号：KR1020207026690
申请日：2019-01-16
IPC分类号： G11C16/28 , G11C16/30 , G11C16/34 , G11C16/04 , G11C16/08 , G11C16/16 , G11C27/00 , G11C7/10 , G11C7/16 , G11C11/54 , G11C11/56 , G06N3/04 , G06N3/063 , G06N3/08
摘要： 인공신경망에서 VMM(vector-by-matrix multiplication) 어레이와함께사용하기위한데이터리프레시방법및 장치의다수의실시예들이개시된다. VMM 어레이내의플래시메모리셀들에서의데이터드리프트를검출하기에적합한데이터드리프트검출기의다양한실시예들이개시된다.

5. 发明授权

KR102374103B1 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 소거 방법 有权
公开(公告)号：KR102374103B1
公开(公告)日：2022-03-14
申请号：KR1020180005523
申请日：2018-01-16
IPC分类号： G11C16/16 , G11C16/04
摘要： 비휘발성메모리장치의소거를위해, 복수의셀 스트링들을복수의스트링그룹들로분할하고, 상기복수의스트링그룹들중 소거어드레스에상응하는선택스트링그룹만을소거하도록상기선택스트링그룹의채널에만선택적으로소거전압을인가한다. 셀스트링의그룹화를통하여소거의단위용량을감소함으로써메타데이터등을저장하기위한스페어블록들의개수및/또는사이즈의감소를통하여비휘발성메모리장치의사이즈를감소하고불필요한소거를억제하여비휘발성메모리장치의수명을증가할수 있다.

6. 发明授权

KR102360211B1 메모리 시스템의 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR102360211B1
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：KR1020150010024
申请日：2015-01-21
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/16 , G11C16/08 , G11C16/04 , G11C16/26
摘要： 본발명에따른메모리시스템동작방법은, 복수의메모리셀들을각각포함하는복수의메모리블록들을포함하고, 상기복수의메모리블록들의각각은적어도제1 서브블록및 제2 서브블록으로구분되는메모리시스템의동작방법으로서, 제1 비트수의데이터를프로그램하는제1 프로그램방법으로상기제1 서브블록및 상기제2 서브블록의적어도하나의워드라인에연결된메모리셀들대한프로그램동작을수행하는단계, 상기제1 서브블록에대한소거동작을수행하는단계, 상기제1 서브블록및 상기제2 서브블록에포함된상기복수의메모리셀들의문턱전압산포상태를검출하여, 상기검출결과를기반으로, 상기제2 서브블록에포함된메모리셀들중 상기제1 서브블록에인접하는적어도하나의워드라인을포함한제2 인접워드라인에연결된메모리셀들에대하여, 제2 비트수의데이터를프로그램하는제2 프로그램방법으로프로그램동작을수행할지여부를설정하는단계를포함한다.

7. 发明授权

KR102285462B1 불휘발성 메모리 및 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템의 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR102285462B1
公开(公告)日：2021-08-05
申请号：KR1020140035142
申请日：2014-03-26
IPC分类号： G11C16/16
摘要： 본발명은메모리시스템의동작방법에관한것이다. 본발명의동작방법은, 복수의메모리블록들중 자유블록의할당간격을계산하는단계, 그리고할당간격에따라복수의메모리블록들중 소거블록들의수를조절하는단계로구성된다. 자유블록은, 복수의메모리블록들중, 데이터를저장하지않은상태이며, 데이터를저장하는데이터블록으로선택되는메모리블록을가리킨다. 소거블록들은, 복수의메모리블록들중, 소거된상태이고, 자유블록으로할당되는메모리블록들을가리킨다.

8. 发明授权

KR102258023B1 개선된 플래시 메모리 셀 및 연관된 디코더들 有权
公开(公告)号：KR102258023B1
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：KR1020187036620
申请日：2017-05-14
申请人： 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크
发明人： 트란히예우반 , 리안 , 부투안
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/28 , G11C16/34 , G11C16/04
摘要： 본발명은 4개의단자들만을갖는플래시메모리셀 및그러한플래시메모리셀들의어레이를동작시키기위한디코더회로부에관한것이다. 본발명은종래기술에비해각각의플래시메모리셀에대해더 적은단자들을허용하며, 이는플래시메모리셀들당요구되는전체다이공간및 디코더회로부의단순화를가져온다. 본발명은또한종래기술의플래시메모리셀들에비해더 적은수의단자들에도불구하고판독, 소거, 및프로그래밍동작들을허용하기위해 4개의단자들중 하나이상의단자들상에서의고전압의사용을제공한다.

9. 发明公开

KR1020200130630A 소수의 프로그래밍된 페이지들을 갖는 블록 소거하기 有权
公开(公告)号：KR1020200130630A
公开(公告)日：2020-11-19
申请号：KR1020190076558
申请日：2019-06-26
申请人： 매크로닉스 인터내셔널 컴퍼니 리미티드
发明人： 야-주이리 , 쿠안-푸첸
IPC分类号： G11C16/16 , G11C16/34 , G11C16/10
摘要： 소수의프로그래밍된페이지를갖는블록을효과적으로소거하기위한방법, 시스템및 장치가제공된다. 일양태에서, 시스템은메모리및 메모리에결합된제어기를포함한다. 메모리는블록들을포함하고, 각각의블록은페이지들을갖는다. 제어기는메모리의블록내의특정페이지수를갖는임계페이지가프로그래밍되었는지여부를결정하여, 임계페이지가프로그래밍되었다는결정에응답하여정상소거동작에따라블록을소거하고, 임계페이지가프로그래밍되지않았다는결정에응답하여정상소거동작보다더 깊게블록을소거하도록구성된특정소거동작에따라블록을소거하도록구성된다. 특정소거동작은블록을소거하기전에블록을사전프로그래밍하는단계, 블록을소거하기전에소거검증전압을감소시키는단계, 또는새로운소거전압을갖는하나이상의소거펄스들을추가하는단계를포함할수 있다.

10. 发明授权

KR102140512B1 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 불휘발성 메모리 시스템 및 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR102140512B1
公开(公告)日：2020-08-03
申请号：KR1020130123449
申请日：2013-10-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박현욱 , 박기태 , 정재용
IPC分类号： G11C16/14 , G11C16/16

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