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1. 发明授权

KR101297298B1 절삭공구용 코팅층 有权
公开(公告)号：KR101297298B1
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：KR1020110053757
申请日：2011-06-03
申请人： 한국야금 주식회사
发明人： 조성우 , 김한성 , 이동열 , 한대석 , 서영호 , 안선용 , 박동복
IPC分类号： C23C16/12 , B23B27/14 , C23C16/44
CPC分类号： B26D7/00 , C23C16/34 , C23C16/403 , C23C28/042 , C23C28/044 , C23C30/005 , Y10T428/265
摘要： 본 발명은 모재 위에 CVD법으로 하부에서부터 TiN층, TiCN층, 결합층, 알루미나(Al
2 O
3 )층, 커버층의 순으로 적층 형성한 경질 코팅층으로서 커버층의 조성을 조절함으로써 블라스팅 작업과 같은 별도의 추가 공정을 적용하거나 CVD와 PVD의 혼용공정을 사용하지 않고도 코팅층의 표면잔류응력을 압축응력으로 유지할 수 있고 동시에 커버층을 내마모층으로도 활용할 수 있어, 절삭성능을 개선할 수 있는 절삭공구용 코팅층에 관한 것이다.
본 발명에 따른 코팅층은 모재의 표면에 화학기상증착(CVD)법으로 형성되는 코팅층으로서, 상기 모재의 상부에 형성되고 α상(phase)으로 이루어지며, 주상정(columnar crystal) 조직과 등축정(equiaxed cryatal) 조직이 혼합된 복합조직으로 이루어진 알루미나층과, 상기 알루미나층의 상부에 형성되며, Al
x Ti
y Si
z Cr
w N (여기서, x+y+z+w=1, x≥0.75, y≥0.2, 0≤z≤0.06, 0≤w≤0.08)으로 이루어지는 커버층을 포함하는 것을 특징으로 한다.

2. 发明授权

KR101230995B1 절삭공구용 코팅층 有权
标题翻译：用于切割工具的涂层
公开(公告)号：KR101230995B1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：KR1020110038445
申请日：2011-04-25
申请人： 한국야금 주식회사
发明人： 조성우 , 김한성 , 이동열 , 한대석 , 서영호 , 안선용 , 박동복
IPC分类号： C23C16/12 , C23C16/14 , B23B27/14
摘要： 본 발명은 모재 위에 CVD법으로 하부에서부터 MTCVD TiCN층, 결합층, 알루미나(Al
2 O
3 )층의 순으로 적층 형성한 절삭공구용 경질 코팅층으로, 고온에서의 내산화성이 개선되어 절삭공구의 성능과 수명을 크게 개선할 수 있는 새로운 구조의 경질 코팅층에 관한 것이다.
본 발명에 따른 경질 코팅층은 모재의 표면에 화학기상증착법(CVD)으로 형성되는 것으로서, 상기 모재의 상부에 형성되는 Al
x Ti
y Si
z Cr
w N (여기서, x+y+z+w=1, x≥0.75, y≥0.05, 0＜z≤0.06, 0≤w≤0.08)로 이루어지는 제 1 층과, 상기 제 1 층의 상부에 형성되는 알루미나층을 포함하며, 상기 알루미나층은 α상(phase)으로 이루어지며, 주상정(columnar crystal) 조직과 등축정(equiaxed cryatal) 조직이 혼합된 복합조직으로 이루어진 것을 특징으로 한다.

3. 发明授权

KR100373876B1 진공 주형품을 이용한 Ａｌ증착 방법 失效
标题翻译： 진공주형품을이용한Al증착방법
公开(公告)号：KR100373876B1
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：KR1020000084820
申请日：2000-12-29
申请人： 현대자동차주식회사
发明人： 양수복
IPC分类号： C23C16/12
摘要： PURPOSE: An Al deposition method using vacuum molded articles is provided to satisfy sensitivity quality and tests by depositing aluminum on a simple formed article which is fabricated by the same process as normal molded articles. CONSTITUTION: The Al deposition method using vacuum molded articles comprises the processes of preparing a design drawings for a part and fabricating a master through NC processing and RP processing based on the design drawing; fabricating a molded article through molding by fabricating a mold using the master; washing and drying the molded article to remove a releasing agent remained on the molded article; prime coating the molded article with a coating agent for easily performing Al deposition; forming an Al layer by Al depositing the molded article using vacuum pressure; performing top coating on the upper part of the Al layer; and inspecting the molded article.
摘要翻译：目的：提供使用真空成型制品的Al沉积方法以满足灵敏度质量和通过将铝沉积在通过与常规模制品相同的工艺制造的简单成型制品上的测试。构成：使用真空成形品的Al析出方法包括：根据设计图，通过NC加工和RP加工制作零件的设计图，制作母模的工序; 使用母模制造模具来制造模制品; 洗涤和干燥模塑制品以除去残留在模塑制品上的脱模剂; 用涂布剂对模制品进行底涂以便于进行Al沉积; 通过使用真空压力沉积模制品来形成Al层; 在Al层的上部执行顶部涂层; 并检查模制品。

4. 发明公开

KR1020030003330A 원자층 증착 방식에 의한 알루미늄층 형성 방법 无效
标题翻译：通过原子层沉积形成铝层的方法
公开(公告)号：KR1020030003330A
公开(公告)日：2003-01-10
申请号：KR1020010038652
申请日：2001-06-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김정태
IPC分类号： C23C16/12
CPC分类号： C23C16/12 , C23C16/45536 , H01L21/28556
摘要： PURPOSE: A method is provided which forms an aluminum layer having low specific resistance and superior layer coverage as a metallic wiring layer for semiconductor devices using atomic layer deposition. CONSTITUTION: The method for forming an aluminum layer comprises a first step of adsorbing the aluminum source gas onto the substrate by supplying an aluminum source gas including Cl groups to a substrate; and a second step of forming an aluminum atomic layer by supplying excited hydrogen atoms to the substrate, thereby emitting a reactant of the Cl groups and hydrogen atoms, wherein an aluminum layer having a desired thickness is formed by alternately repeating the first and second steps, the first and second steps are performed in the temperature range of 200 to 500 deg.C, the aluminum source gas is AlCl3, and the hydrogen atoms are excited by plasma.
摘要翻译：目的：提供一种形成具有低电阻率和优异的层覆盖度的铝层作为使用原子层沉积的半导体器件的金属布线层的方法。构成：形成铝层的方法包括：通过向基板供给包括Cl基团的铝源气体，将铝源气体吸附到基板上的第一步骤; 以及第二步骤，通过向所述衬底提供激发的氢原子形成铝原子层，从而发射所述Cl基团和氢原子的反应物，其中通过交替地重复所述第一和第二步骤形成具有所需厚度的铝层，第一和第二步骤在200至500℃的温度范围内进行，铝源气体为AlCl 3，氢原子被等离子体激发。

5. 发明公开

KR1020010039874A 원자층 증착법을 이용한 박막 형성 방법 有权
标题翻译：使用原子层沉积法形成薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020010039874A
公开(公告)日：2001-05-15
申请号：KR1020000053415
申请日：2000-09-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김영관 , 박영욱 , 임재순 , 최성제 , 이상인
IPC分类号： C23C16/12
CPC分类号： C23C16/45553 , C07F5/063 , C23C16/403
摘要： PURPOSE: A method for forming a thin film using an atomic layer deposition is provided to obtain a superior stoichiometric thin film by restraining the formation of undesirable impurities when using the atomic layer deposition. CONSTITUTION: The method comprises the steps of chemically adsorbing the first reactant on the substrate by infusing first reactant comprising elements consisting the thin film and ligands into a reaction chamber containing a substrate; removing the first reactant physically adsorbed by purging the reaction chamber with an inert gas; and forming an atomic layer unit of thin film by the chemical reaction of the elements consisting the thin film with the second reactant by infusing second reactant of which binding energy with the elements consisting the thin film is greater than the ligands into the reaction chamber and simultaneously removing the ligands without any side reactions. The method comprises the steps of chemically adsorbing the first reactant on the substrate by infusing first reactant into a substrate loaded reaction chamber (101); removing the physically adsorbed first reactant by purging the reaction chamber with an inert gas (103); forming an atomic layer unit of thin film by the chemical substitution of the first reactant with the second reactant by infusing second reactant into the reaction chamber (105); removing the physically adsorbed second reactant by purging the reaction chamber with an inert gas (107); and infusing third reactant for removing impurities and improving stoichiometry into the thin film formed reaction chamber.
摘要翻译：目的：提供使用原子层沉积形成薄膜的方法，通过在使用原子层沉积时抑制不期望的杂质的形成来获得优异的化学计量薄膜。构成：该方法包括以下步骤：通过将包含由薄膜和配体组成的元素的第一反应物注入到含有基底的反应室中来将基底上的第一反应物化学吸附; 通过用惰性气体清洗反应室来除去物理吸附的第一反应物; 并且通过将由薄膜构成的结合能与结合能量的第二反应物注入到反应室中的配体之间，通过由构成薄膜的元件与第二反应物的化学反应形成薄膜的原子层单元，同时去除配体而没有任何副反应。该方法包括以下步骤：通过将第一反应物注入基底负载的反应室（101）中来在基底上化学吸附第一反应物; 通过用惰性气体（103）吹扫反应室来除去物理吸附的第一反应物; 通过将第二反应物注入到反应室（105）中，通过第一反应物与第二反应物的化学取代形成薄膜的原子层单元; 通过用惰性气体（107）清洗反应室来除去物理吸附的第二反应物; 并且将第三反应物注入到去除薄膜形成的反应室中以除去杂质并改善化学计量。

6. 发明公开

KR1020070012072A 알루미늄막 형성 방법 및 알루미늄 증착 장비 无效
标题翻译：形成铝和铝沉积设备的方法
公开(公告)号：KR1020070012072A
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：KR1020050066896
申请日：2005-07-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조윤정 , 이정호 , 최정식
IPC分类号： C23C16/12
CPC分类号： C23C16/20 , C07F5/067 , C23C16/4557
摘要： A method of forming an aluminum film and an aluminum-depositing equipment are provided to form an aluminum film using DEAA(diethylamino alane) stable at 100 deg.C or less as a precursor such that DEAA can be easily applied to actual commercial production. An aluminum-depositing equipment(100) comprises: a storage tank(10) for storing DEAA(diethylamino alane); a vaporizer(20) for vaporizing DEAA; a deposition chamber(30) for depositing an aluminum film using vaporized DEAA as a precursor; a first pipe(11) for connecting the storage tank to the vaporizer; a second pipe(13) for connecting the deposition chamber to the vaporizer; and a supply pipe(12) for supplying a carrier gas to the vaporizer. The deposition chamber has a wafer receiving part(15) on which a wafer(W) is placed, and which sets up temperature of the wafer as a process temperature, and a shower head(14) positioned on the wafer receiving part to supply vaporized DEAA onto the wafer, wherein the second pipe is connected to the shower head.
摘要翻译：提供一种形成铝膜和铝沉积设备的方法，以在100摄氏度以下稳定的DEAA（二乙基氨基丙烷）作为前体形成铝膜，使得DEAA可以容易地应用于实际的商业生产。铝沉积设备（100）包括：用于存储DEAA（二乙基氨基丙烷）的储罐（10）; 蒸发器（20），用于蒸发DEAA; 沉积室（30），用于使用蒸发的DEAA作为前体沉积铝膜; 用于将储罐连接到蒸发器的第一管道（11）用于将沉积室连接到蒸发器的第二管道（13）; 以及用于将气体供给到蒸发器的供给管（12）。沉积室具有晶片接收部分（15），晶片（W）放置在晶片接收部分上，并且将晶片的温度设置为处理温度，以及位于晶片接收部分上的喷淋头（14），以供应蒸发的 DEAA到晶片上，其中第二管连接到淋浴喷头。

7. 发明公开

KR1019980082637A 알루미늄증착 플라스틱 필름 제조방법 失效
标题翻译：铝蒸镀塑料薄膜的制造方法
公开(公告)号：KR1019980082637A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019970017660
申请日：1997-05-08
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 나종갑
IPC分类号： C23C16/12
摘要： 본 발명은 플라스틱 필름의 표면에 알루미늄 박막을 증착하기 전 또는 증착한 후에, 알루미늄/구리 합금박막을 증착하는 것으로 이루어지는 알루미늄증착 플라스틱 필름의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 알루미늄증착 플라스틱 필름은 자기회복 특성이 우수하면서 장기간 사용하여도 캐패시턴스가 일정하게 유지되는 MF 콘덴서를 제조할 수 있으며, 또한 식품 저장용 용기를 제조하는데 이용될 수 있다.

8. 发明公开

KR1019970027360A 광택도와 내후성이 우수한 조명갓용 도금강판 및 그의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019970027360A
公开(公告)日：1997-06-24
申请号：KR1019950041483
申请日：1995-11-15
申请人： 한국신철강기술연구조합
发明人： 정진호 , 전재호 , 정용균
IPC分类号： C23C16/12
摘要： 본 발명은 광택도와 내후성이 우수한 조명갓용 도금강판과 그 제조방법에 관한 것이다.
종래에는 일반 냉연강판을 소재로 하여 내후성을 증가시키기 위해 분체도장을 실시하였으나 유해가스로 인한 환경오염문제와 광택도가 떨어진다는 단점이 있다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해 진공증착방법으로 냉연강판에 알루미늄을 도금시키고 그위에 PET필름을 코팅하여 고광택도 특성을 해치지 않고 내후성을 증가시켰다.

9. 发明公开

KR870009448A 박막형성방법 失效
公开(公告)号：KR870009448A
公开(公告)日：1987-10-26
申请号：KR870002952
申请日：1987-03-30
IPC分类号： H01L21/285 , C23C8/24 , C23C16/04 , C23C16/12 , C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/28
摘要： 내용없음

10. 发明公开

KR860006566A 금속박막의 형성방법 및 그 형성장치 失效
公开(公告)号：KR860006566A
公开(公告)日：1986-09-13
申请号：KR850009892
申请日：1985-12-27
IPC分类号： H01L21/285 , C23C14/00 , C23C14/02 , C23C14/34 , C23C16/02 , C23C16/12 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/532
摘要： 내용없음

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