专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR102478789B1 대전 방지 표면 보호 필름의 제조 방법, 대전 방지 표면 보호 필름 有权
公开(公告)号：KR102478789B1
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：KR1020220013930
申请日：2022-02-03
IPC分类号： C09J7/38 , C09J7/22 , C09J7/40 , C09J133/04 , C09J11/04 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08K5/29 , C08J7/044 , C08J5/18
摘要： 저속박리속도및 고속박리속도에있어서밸런스가잡힌점착력을갖는것과함께, 대전방지성능과내오염성능의양립을도모하는것이가능한대전방지표면보호필름을제공한다. (A) 알킬기의탄소수가 C1∼C10인알킬(메타)아크릴레이트의적어도 2종이상의합계 100중량부중, 2-에틸헥실아크릴레이트를 50중량부이상과, 호모폴리머의 Tg가 0℃이상인단관능메타크릴레이트모노머의 1종이상의합계를 5∼40중량부의비율로함유하여이루어지는아크릴계폴리머와, (C) 3관능이상의이소시아네이트화합물과, (D) 가교지연제와, 주석화합물이외의 (E) 가교촉진제를함유하여이루어지는점착제조성물을가교시킨점착제층(2)의표면에, 대전방지제를함유하는박리제층(4)이적층된박리필름(5)을박리제층(4)을개재하여첩합하고, 박리제층(4)의대전방지제를점착제층(2)의표면에전사시킨다.

2. 发明授权

KR102466047B1 액정 배향제, 액정 배향막 및 액정 표시 소자 有权
公开(公告)号：KR102466047B1
公开(公告)日：2022-11-10
申请号：KR1020197012039
申请日：2017-10-13
IPC分类号： C08F220/30 , C08L33/06 , C08L101/06 , G02F1/1337
摘要： 본발명은, (A) 하기모노머 (A-1) 및모노머 (A-2) 를포함하는모노머혼합물로부터얻어지는공중합체를함유하는중합체조성물에관한것이다. 여기서, 모노머 (A-1) 은, 신나모일부위 1 개와, 신나모일부위를구성하지않는벤젠고리 2 ∼ 4 개와, 중합성기를갖는모노머를말하고, 모노머 (A-2) 는, 신나모일부위 1 개와, 신나모일부위를구성하지않는벤젠고리 1 개와, 중합성기를갖는모노머를의미한다 (그신나모일부위와벤젠고리는, 치환기를가지고있어도된다). 또한본 발명은, 당해조성물을횡전계구동용의도전막을갖는기판상에도포하여도막을형성하는공정, 얻어진도막에편광한자외선을조사하는공정및 얻어진도막을가열하는공정을갖는, 액정배향막을갖는기판의제조방법에관한것이다. 본발명에의한중합체조성물을사용한액정배향제는, 고효율로배향제어능이부여되고, 번인특성이우수한것이고, 횡전계구동형액정표시소자를제공할수 있는것이다.

3. 发明授权

KR102463006B1 광경화형 잉크젯 인쇄용 클리어 잉크 조성물 有权
公开(公告)号：KR102463006B1
公开(公告)日：2022-11-03
申请号：KR1020227000354
申请日：2017-06-30
IPC分类号： C09D11/32 , C09D11/101 , C08F220/56 , C08F220/30 , C08F2/44 , C08F2/50 , B41J2/01 , C08K3/22 , C08K3/36
摘要： 클리어잉크는열에의한마이크로겔화가일어나기쉬워저장안정성이저하될가능성이있으며, 또한클리어잉크가시간경과에따라마이크로겔이발생하면잉크젯토출성이저하되는과제가있다. 해결방법으로서광중합성화합물, 광중합개시제및 평균입경 1~200 ㎚의무기필러를조성물중 0.05~5.0 질량% 함유하고, 가시광투과율이 30% 이상인광경화형잉크젯인쇄용클리어잉크조성물을제공한다.

4. 发明授权

KR102429339B1 광학 필름, 편광판 및 화상 표시 장치 有权
公开(公告)号：KR102429339B1
公开(公告)日：2022-08-03
申请号：KR1020207022838
申请日：2019-02-14
IPC分类号： C08F220/30 , C08F220/34 , C08F220/38 , C08F2/50 , G02B5/30 , G02F1/1335 , G02F1/13363 , G09F9/30 , H01L27/32
摘要： 본발명은, 필름콘트라스트가우수하고, 습열내구성도양호해지는광학필름, 편광판및 화상표시장치를제공하는것을과제로한다. 본발명의광학필름은, 중합성액정조성물을중합하여얻어지는광학이방성막과, 광배향막을갖는광학필름으로서, 중합성액정조성물이, 하기식 (1)로나타나는중합성액정화합물을함유하며, 광학이방성막이, 하기식 (I) 또는 (II)를충족시키고, X선회절측정에있어서주기구조에서유래하는회절피크를나타내는, 광학필름이다. L1-SP1-E1-Cy2-Cy1-D1-Ar1-D2-Cy3-Cy4-E2-SP2-L2…(1) Re(450)/Re(550)

5. 发明公开

KR1020220107137A 광학용 점착제 조성물 및 이것을 사용한 점착 필름, 점착 시트 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220107137A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：KR1020220090666
申请日：2022-07-22
IPC分类号： C09J133/04 , C09J151/06 , C09J4/06 , C09J7/38 , C09J7/22 , C08F265/06 , C08F220/30 , C08F220/28 , C08F222/10 , C08F2/50 , G02B5/20
摘要： 본발명은피착체의프레임인쇄등의단차에대한단차추종성, 리워크시의핸들링성, 및우수한습열내구성을겸비한점착제층을형성할수 있는광학용점착제조성물및 이것을사용한점착필름, 점착시트를제공한다. 관능기에카르복실기를갖지않고, 알킬기, 수산기, 알콕시기, 방향족기중 어느하나를갖는공중합성비닐모노머, 및질소함유비닐모노머의화합물군으로부터선택된적어도 2종이상을공중합시켜얻어진공중합체와, (F) 1분자내에 (메타)아크릴로일기와알릴에테르기를갖고, 또한에틸렌성불포화기를 2개이상갖는 (메타)아크릴레이트모노머와, (G) 알킬렌옥사이드기를갖는 1분자내에에틸렌성불포화기를 2개이상갖는 (메타)아크릴레이트모노머와, (E) 열가교제와, (H) 광가교제를함유한다.

6. 发明授权

KR102425649B1 광학용 점착제 조성물 및 이것을 사용한 점착 필름, 점착 시트 有权
公开(公告)号：KR102425649B1
公开(公告)日：2022-07-27
申请号：KR1020220016578
申请日：2022-02-09
IPC分类号： C09J133/04 , C09J151/06 , C09J7/38 , C09J7/22 , C08F265/06 , C08F220/30 , C08F220/28 , C08F222/10 , C08F2/50

7. 发明公开

KR1020220097298A 포토레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220097298A
公开(公告)日：2022-07-07
申请号：KR1020210190764
申请日：2021-12-29
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/16 , G03F7/20 , C08F212/14 , C08F220/30 , C08F220/18
摘要： (a) 포토레지스트조성물의층을반도체기판위에적용하는단계, (b) 포토레지스트조성물층을 i-선방사선에패턴식으로(pattern-wise) 노광시키는단계; 및 (c) 노광된포토레지스트조성물층을현상하여레지스트릴리프(resist relief) 이미지를제공하는단계를포함하는패턴형성방법이본원에개시되며; 포토레지스트조성물은비이온성광산발생제; 용매; 제1 중합체및 제2 중합체를포함하고; 제1 중합체는중합체성염료를포함한다.

8. 发明公开

KR1020220051809A 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 화합물 및 수지 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220051809A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：KR1020210136103
申请日：2021-10-13
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , C08F212/14 , C08F220/30 , C08F2/44
摘要： 노광에의해산을발생시키고, 또한산의작용에의해현상액에대한용해성이변화하는레지스트조성물로서, 산의작용에의해현상액에대한용해성이변화하는수지성분 (A1) 을함유하고, 수지성분 (A1) 은, 일반식 (a0-1) 로나타내는화합물로부터유도되는구성단위 (a01) 을갖는, 레지스트조성물이고, 식 (a0-1) 중, W01 은, 중합성기함유기이고, Ya01 은단결합또는 2 가의연결기이고, Ra01 은고리형의산 해리성기이고, q 는, 0 ∼ 3 의정수이고, n 은, 1 이상의정수이고, n ≤ q × 2 + 4 이다. [화학식 1] TIFFpat00135.tif27121

9. 发明公开

KR1020220044423A 술포늄염, 화학 증폭 레지스트 조성물, 및 패턴 형성 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220044423A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：KR1020210129001
申请日：2021-09-29
IPC分类号： C07C323/20 , C07C323/21 , G03F7/004 , G03F7/038 , C08F212/14 , C08F220/30 , C08F220/10 , G03F7/20 , G03F7/32
摘要： 하기식 (1)을갖는술포늄염은신규한것이다. PAG로서상기술포늄염을포함하는화학증폭레지스트조성물은, 용제용해성, 및 KrF 또는 ArF 엑시머레이저, EB 또는 EUV와같은고에너지선을이용한포토리소그래피로가공되는경우 EL 및 LWR과같은리소그래피특성이개선되는것을포함하는이점을갖는다. TIFFpat00143.tif21139

10. 发明授权

KR102379536B1 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR102379536B1
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：KR1020190097610
申请日：2019-08-09
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/033 , G03F7/20 , C08F220/38 , C08F220/30 , C08F220/22 , C08F212/14 , C07D295/14
摘要： 베이스폴리머, 및 2가탄화수소기를통해질소원자에결합된요오드화된방향환을갖는아민화합물의형태의켄처(quencher)를포함하는레지스트재료는포지티브형이건네거티브형이건관계없이고감도및 최소의 LWR 또는향상된 CDU를제공한다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式