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1. 发明授权

KR100228186B1 곡면 기판상에 성장된 고온 초전도체 박막 및 그 제조방법 失效
标题翻译：弯曲基板上形成的高温超导体膜及其制造方法
公开(公告)号：KR100228186B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019960072433
申请日：1996-12-26
申请人： 한국과학기술원
发明人： 염도준 , 구두훈
IPC分类号： H01L39/08
摘要： 본 발명은 큰 임계전류를 가지며 곡면 기판상에 성장된 고온 초전도체 박막과 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 있어서, 고온 초전도체 물질이 증착되는 기판은 실린더 형상으로 되어 있으며, 상기 실린더형 기판 상에는 완충층이 증착되어 있으며, 상기 완충층 위로는 고온 초전도물질이 막형태로 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막이 제공되며, 또한 상기한 곡면 기판상에 고온 초전도체 박막을 형성하는 방법으로서, 기판을 실린더 형상으로 가공하는 단계, 기판을 회전시키면서 기판위로 완충층을 증착시키는 단계, 상기 완충층 위로는 고온 초전도 물질을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막의 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 큰 임계전류를 가지는 고온 초전도체 박막을 평면 기판이 아닌 곡면 기판상에 성장시키므로써 그 응용범위를 더욱 확대시킬수 있으며, 구체적으로는 실린더형 기판 상에 형성된 고온 초전도체 박막을 자기장 차폐장치로 사용할 수 있으며, 고온 초전도체 박막을 실린더형 기판 상에 띠 형상으로 패터닝(patterning) 함으로써 3차원 적인 고온 초전도체 코일 등을 제작할 수 있게 된다.

2. 发明授权

KR100084243B1 초전도 광기능 소자 失效
公开(公告)号：KR100084243B1
公开(公告)日：1995-04-22
申请号：KR1019910004065
申请日：1991-03-14
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 사노하라고지 , 오쓰끼오사무 , 무라세가즈오 , 다까오까사다오
IPC分类号： H01L39/08

3. 发明公开

KR1019910017689A 초전도 광기능 소자 失效
标题翻译：超导光功能器件
公开(公告)号：KR1019910017689A
公开(公告)日：1991-11-05
申请号：KR1019910004065
申请日：1991-03-14
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 사노하라고지 , 오쓰끼오사무 , 무라세가즈오 , 다까오까사다오
IPC分类号： H01L39/08
摘要： 내용 없음

4. 发明授权

KR101921704B1 고자기장에서 RF 손실 저감 구조를 가지는 초전도체 및 방법 有权
公开(公告)号：KR101921704B1
公开(公告)日：2018-11-26
申请号：KR1020170081146
申请日：2017-06-27
申请人： 한국과학기술원 , 기초과학연구원
发明人： 이진환 , 야니스세메르치디스
IPC分类号： H01L39/06 , H01L39/08 , H01L39/24
摘要： 본발명에따르면, 고자기장에서 RF 손실저감구조를가지는초전도체에있어서, 자기장이존재하는환경에서초전도체상자기장이수직으로관통하여보텍스가형성되는영역에초전도체의표면에서초전도체내부의일정깊이까지식각형성되는복수의홀을구현하여자기장이홀을통해초전도체를관통하도록함으로써보텍스마이스너전류및 상전도코어전자와초전도체표면을흐르는 RF 전류를공간적으로분리시켜열손실을최소화시킬수 있다.

5. 发明公开

KR1020120022254A 와전류 손실 감소를 위한 고온 초전도 자석용 전도냉각판 无效
标题翻译：高温超导磁体的导电冷却板用于EDDY电流损失减少
公开(公告)号：KR1020120022254A
公开(公告)日：2012-03-12
申请号：KR1020100085654
申请日：2010-09-01
申请人： 한국전기연구원
发明人： 배준한 , 성기철
IPC分类号： H01L39/08
CPC分类号： H01F6/04 , H01F6/06
摘要： PURPOSE: A conductive cooling plate for a high temperature superconductive magnet is provided to minimize eddy current loss and reduce a thermal load by forming a route of an eddy current to be maximally shortest with a slot at a partitioned conductive cooling plate. CONSTITUTION: A conductive cooling plate(100) is used for a double-pancake coil. The conductive cooling plate is composed of one to four unit conductive cooling plates(110). One to twenty slots(120) are formed on the conductive cooling plate. The slot is formed at one of an inside diameter, central part, and outer diameter of the conductive cooling plate. The number of the slot and the number of partitions of the conductive cooling plate is varied according to the capacity or size of a coil.
摘要翻译：目的：提供用于高温超导磁体的导电冷却板，以通过在分隔的导电冷却板上形成最大限度地最短的涡流的最短路径来最小化涡流损耗并降低热负荷。构成：导电冷却板（100）用于双煎饼线圈。导电冷却板由一至四个单元导电冷却板（110）组成。在导电冷却板上形成一至二十个槽（120）。槽形成在导电冷却板的内径，中心部分和外径之一处。导电冷却板的槽数和分隔数根据线圈的容量或尺寸而变化。

6. 发明授权

KR1019950000523B1 초전도 광기능 소자 失效
标题翻译：超级照相功能元件
公开(公告)号：KR1019950000523B1
公开(公告)日：1995-01-24
申请号：KR1019910004065
申请日：1991-03-14
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 사노하라고지 , 오쓰끼오사무 , 무라세가즈오 , 다까오까사다오
IPC分类号： H01L39/08
CPC分类号： H01L39/223 , H01L39/10 , H01L39/16 , Y10S505/848
摘要： 내용 없음.

7. 发明授权

KR100403801B1 초전도양자간섭소자 失效
标题翻译：超导量子干涉仪
公开(公告)号：KR100403801B1
公开(公告)日：2004-02-14
申请号：KR1019960018742
申请日：1996-05-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 공준호
IPC分类号： H01L39/08 , G01R33/035
摘要： PURPOSE: An SQUID(Superconducting Quantum Interference Device) is provided to be capable of minimizing inductive coupling between a modulation coil and a pickup coil. CONSTITUTION: An SQUID includes a detector(10) with a washer and two parallel Josephson junctions, a connection pad(20), a loop-type pickup coil(30), and a modulation coil(400) located at the outside of the pickup coil. At this time, the modulation coil is partially overlapped to the pickup coil in order to minimize the inductive coupling with the pickup coil.

8. 发明公开

KR1019980053335A 곡면 기판상에 성장된 고온 초전도체 박막 및 그 제조방법 失效
标题翻译：在弯曲基底上生长的高温超导体薄膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1019980053335A
公开(公告)日：1998-09-25
申请号：KR1019960072433
申请日：1996-12-26
申请人： 한국과학기술원
发明人： 염도준 , 구두훈
IPC分类号： H01L39/08
摘要： 본 발명은 큰 임계전류를 가지며 곡면 기판상에 성장된 고온 초전도체 박막과 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 있어서, 고온 초전도체 물질이 증착되는 기판은 실린더 형상으로 되어 있으며, 상기 실린더형 기판 상에는 완충층이 증착되어 있으며, 상기 완충층 위로는 고온 초전도물질이 막형태로 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막이 제공되며, 또한 상기한 곡면 기판상에 고온 초전도체 박막을 형성하는 방법으로서, 기판을 실린더 형상으로 가공하는 단계, 기판을 회전시키면서 기판위로 완충층을 증착시키는 단계, 상기 완충층 위로는 고온 초전도 물질을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막의 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 큰 임계전류를 가지는 고온 초전도체 박막을 평면 기판이 아닌 곡면 기판상에 성장시키므로써 그 응용범위를 더욱 확대시킬수 있으며, 구체적으로는 실린더형 기판 상에 형성된 고온 초전도체 박막을 자기장 차폐장치로 사용할 수 있으며, 고온 초전도체 박막을 실린더형 기판 상에 띠 형상으로 패터닝(patterning) 함으로써 3차원 적인 고온 초전도체 코일 등을 제작할 수 있게 된다.

9. 发明公开

KR1019980030964A 고온 초전도체를 이용한 3-dB 커플러 失效
公开(公告)号：KR1019980030964A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960050451
申请日：1996-10-30
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 홍진표
IPC分类号： H01L39/08
摘要： 본 발명은 고온 초전도체를 이용한 3-dB 커플러에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고온 초전도체를 이용한 3-dB 커플러는, 기판; 및 상기 기판 상에 신호 분배용의 고온 초전도체 분배 아암 패턴 및 상기 분배 아암 패턴에 접속된 적어도 3개 이상의 신호 입출용 상기 고온 초전도체 포트 패턴;을 구비한다.

10. 发明授权

KR101175828B1 고온 초전도체에 금속성 커버층을 도포하는 방법 有权
标题翻译：将金属覆盖层应用于高温超导体的方法
公开(公告)号：KR101175828B1
公开(公告)日：2012-08-24
申请号：KR1020087015922
申请日：2007-06-28
申请人： 제너지 파워 게엠베하
发明人： 배커,미하엘
IPC分类号： H01L39/02 , H01L39/08 , H01L39/12
CPC分类号： C23C18/44 , C23C18/08 , H01L39/248
摘要： 스트립 유형의 고온 초전도체(HTSL)의 초전도층에 금속층을 도포하기 위해, 먼저 유기금속 또는 무기 금속 염 용액을 초전도층에 도포한다. 그 후, 유기금속 염 용액을 사용하는 경우에는 용액을 가열함으로써, 무기 금속 염 용액을 사용하는 경우에는 환원 용액을 도포하고 나서 도포된 용액을 가열함으로써, 용액 중에 함유된 금속 또는 금속들을 HTSL 층 위에 침착시킨다.
고온 초전도체, HTSL, 스트립, 유기금속, 환원 용액, 나노크기 입자

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