专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR102473850B1 테트라메틸비페놀형 에폭시 수지 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102473850B1
公开(公告)日：2022-12-05
申请号：KR1020220072267
申请日：2022-06-14
IPC分类号： C08G59/24 , C08G59/06 , C08G59/68
摘要： 본발명은테트라메틸비페놀형에폭시수지및 이의제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는, 상기테트라메틸비페놀형에폭시수지제조공정중에카르복실산을이용한정제공정을추가하여상기테트라메틸비페놀형에폭시수지에포함된금속양이온의함량을저하시킬수 있고, 이에따라상기테트라메틸비페놀형에폭시수지의순도를향상시킬수 있다

2. 发明授权

KR102466597B1 테트라메틸비페놀형 에폭시 수지, 에폭시 수지 조성물, 경화물 및 반도체 봉지재 有权
公开(公告)号：KR102466597B1
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：KR1020177015251
申请日：2015-12-02
IPC分类号： C08G59/24 , C08G59/68 , H01L23/29
摘要： 본발명은, 이하의측정방법으로구한나트륨이온의함유량이 1 ∼ 12 ppm 인테트라메틸비페놀형에폭시수지에관한것이다. (측정방법) 시료를 N-메틸피롤리돈에용해한용액을사용하고원자흡광법에의해측정한다.

3. 发明授权

KR102460944B1 흡광성 솔더 페이스트 조성물 有权
公开(公告)号：KR102460944B1
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：KR1020210039420
申请日：2021-03-26
IPC分类号： B23K35/36 , B23K35/02 , C08G59/68 , C08G59/50 , C08G59/42 , C08K9/06 , C08K3/04 , C08K5/5435 , C08K5/101 , C08K5/18 , C08L63/00 , B23K101/40
摘要： 본발명은반도체기판의패드주위로접촉부를형성한저융점솔더의외부로흡광성에폭시코팅층을형성함으로써, 솔더의반사광으로인해발생하는간섭현상을완화할수 있다. 본발명은솔더의반사광을억제하기위해시행하던, 기판의접촉부부근에추가로벽을세우는공정을생략할수 있으며, 본발명에서사용하는흡광성물질은제작단가가매우저렴하므로, 공정의비용절감효과가탁월한흡광성솔더페이스트조성물을제공하는것을목적으로한다.

4. 发明授权

KR102442254B1 반도체 장치 및 이미지 센서 모듈 有权
公开(公告)号：KR102442254B1
公开(公告)日：2022-09-08
申请号：KR1020177024945
申请日：2016-03-09
IPC分类号： C09J11/06 , H01L27/146 , C09J163/00 , C08G59/18 , C08G59/56 , C08G59/62 , C08G59/66 , C08G59/68 , C08K3/36 , C08K5/00 , C08K5/06 , C09J133/06 , G02B7/02 , G02B7/08 , G02B19/00 , C08K5/378
摘要： 경화후의내습시험에서의접착강도의저하가억제되는접착제의경화물로, 피착재가접착되는반도체장치를제공하는것을목적으로한다. 엔지니어링플라스틱, 세라믹스및 금속으로이루어지는군에서선택되는적어도 1종의재료에의해형성되는적어도 2개의피착재(20)와 (70), (70)과 (60), (70)과 (50)이 (A) 열경화성수지, (B) 특정의티올화합물및 (C) 잠재성경화제를포함하는접착제의경화물(10)로접착되어있는것을특징으로하는반도체장치이다.

5. 发明授权

KR102439519B1 신규한 저온 무수물 에폭시 경화된 시스템 有权
公开(公告)号：KR102439519B1
公开(公告)日：2022-09-05
申请号：KR1020197020156
申请日：2017-12-12
IPC分类号： C08G59/42 , C08G59/50 , C08G59/68 , C08L63/00 , C08K3/013 , C09J163/00
摘要： 경화제조성물은무수물및 대략등몰량의 3급아민또는이미다졸및 카르복실산을포함하며, 상기아민은하기구조 (I)에의해나타내어진 1-피페리디닐에탄올 (N-히드록시에틸-피페리딘, NHEP) 또는하기구조 (I)에의해나타내어진이미다졸이다. TIFF112019070959240-pct00012.tif2647 여기서 R1 = H, C1-C20 직쇄또는분지형알킬, 또는모노시클릭아릴이고; R2 = C1-C20 직쇄또는분지형알킬, 또는모노시클릭아릴이다. 카르복실산은 RCOOH에의해나타내어지며; R= C1-C20 직쇄또는분지형알킬, 또는모노시클릭아릴이다. 조성물은전형적으로사용되는것 (1:0.8-1.1)보다낮은비 (1:0.4-0.6)의에폭시수지대 무수물을포함한다. 추가적으로, 카르복실산과의조합으로더 많은로딩량의장애잠재성 3급아민또는이미다졸 (합한아민및 카르복실산대 무수물의 wt% 비 ~10%)을사용한다. 이러한조성물로상당히더 낮은온도 (~100℃)에서 2시간미만내로완전경화가달성될수 있다.

6. 发明授权

KR102439370B1 시트상 에폭시 수지 조성물 및 그의 경화물, 및 봉지용 시트 有权
公开(公告)号：KR102439370B1
公开(公告)日：2022-09-01
申请号：KR1020207027243
申请日：2019-03-27
IPC分类号： C08G59/68 , C08G59/24 , C08J5/18 , H01L51/52
摘要： 비교적저온에서경화가가능하고, 게다가보존안정성이우수한시트상에폭시수지조성물의제공을과제로한다. 상기과제를해결하는시트상에폭시수지조성물은, (A) 하기화학식(1)로표시되는에폭시계화합물과, (B) 방향환을갖고, 또한중량평균분자량이 3000∼100000인에폭시수지와, (C) 하기화학식(2)로표시되는양이온중합개시제를포함하고, (B) 에폭시수지의함유량이 45질량% 이상이다. TIFF112020100408379-pct00016.tif21111TIFF112020100408379-pct00017.tif2382 (화학식(2) 중, R1은탄소수 1∼4의알킬기또는나프틸메틸기를나타내고, R2는탄소수 1∼4의알킬기를나타낸다)

7. 发明公开

KR1020220066663A 방탄소재용 프리프레그 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR1020220066663A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：KR1020200152946
申请日：2020-11-16
IPC分类号： C08J5/24 , C08G59/40 , C08G59/68 , C08L63/00 , C08L61/06 , F41H5/04 , F41H1/02
摘要： 본발명은고강도섬유기재; 및에폭시수지및 폴리(비닐아세탈)수지의수지혼합물을포함하는접착시트(층) 형성용고분자수지조성물로부터형성되고, 상기고강도섬유기재의일면또는양면에적층되어있는접착시트;를포함하는방탄소재용프리프레그및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른프리프레그는최적화된방호탄도한계및 BFD(Backface Deformation)를구비하고, 접착제의사용량이적음에도높은방탕성능을제공하며, 방탄소재를금속및 비금속과같은소재들과혼용시사용편의성이높으며, 본발명의제조방법에따르면완제품제조에드는시간을단축할수 있는장점이있다.

8. 发明授权

KR102371791B1 벤즈옥사진 수지용 잠재성 촉매로서 벤조티아졸 有权
公开(公告)号：KR102371791B1
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：KR1020187032582
申请日：2017-05-09
IPC分类号： C08G59/50 , C08G59/68 , C07D265/16 , C08J5/24 , C09D163/00 , H01L23/29
摘要： 본발명의개시내용은벤즈옥사진및 벤조티아졸설펜아미드를포함하는경화성시스템을제공한다. 경화성시스템은다관능성에폭시수지를경화하는데일반적으로사용되는온도에서촉매화될수 있고, 여전히개선된가사-시간(pot-life) 및가공시간을나타내고, 허용되는열적기계적특성을나타내는경화물품을제공한다.

9. 发明授权

KR102363322B1 이방성 도전 필름 有权
公开(公告)号：KR102363322B1
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：KR1020187019787
申请日：2017-02-10
IPC分类号： C08J5/18 , H01B1/22 , C08L63/00 , C08L71/10 , C08G59/24 , C08G59/68 , C08L71/12 , H01B5/16
摘要： 지환식에폭시화합물을사용하는양이온중합성의이방성도전필름이며, 지금까지변함없는경화온도와접속신뢰성을담보하면서도, 지금까지이상으로우수한보관라이프성을갖는이방성도전필름은, 성막용성분과양이온중합성성분을함유하는바인더조성물과, 양이온중합개시제와, 도전입자를함유한다. 이이방성도전필름은, 양이온중합개시제로서, 제4급암모늄염계열산발생제를사용하고, 양이온중합성분으로서, 지환식에폭시화합물과저극성옥세탄화합물을함유하고있다.

10. 发明授权

KR102343438B1 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR102343438B1
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：KR1020190125669
申请日：2019-10-10
IPC分类号： C08G59/68 , C08L63/00 , C08K3/013 , H01L23/29
摘要： 에폭시수지, 경화제, 무기충전제및 경화촉매를포함하고, 상기경화촉매는화학식 1의화합물을포함하는것인, 반도체소자밀봉용에폭시수지조성물및 이를사용하여밀봉된반도체소자가제공된다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式