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    • 2. 发明授权
    • 스위칭 회로, 이를 포함하는 전하량 검출 증폭기 및 광자 계수 검출 장치
    • 开关电路,电荷量检测放大器和包括其的光子系数检测装置
    • KR101809542B1
    • 2017-12-18
    • KR1020110142385
    • 2011-12-26
    • 삼성전자주식회사한국과학기술원
    • 한상욱김현식성영훈양준혁조규형
    • H03K17/04H03F3/70
    • A61B6/4241H03F3/45475H03F2200/261H03F2203/45512H03F2203/45534H03F2203/45536
    • 소정회로소자(120)의제1 단자(n1)에연결된소스(S1)와상기회로소자(120)의제2 단자(n2)에연결된드레인(D1)을갖는제1 트랜지스터(TN1); 전류소스(IS)로부터의전류가흐르는드레인(D2)과소스(S2)를가지며, 게이트(G2)가드레인(D2)에연결된제2 트랜지스터(TN2); 및제2 트랜지스터(TN2)의드레인(D2)과소스(S2)간전류의흐름에따라생성되는제2 트랜지스터(TN2)의게이트(G2)와소스(S2)간전압에대응하는전압을제어신호(CS)에따라제1 트랜지스터(TN1)의게이트(G1)에선택적으로입력하는멀티플렉서(110)를포함하는스위칭회로(100)와, 이를포함하는전하량검출증폭기(200) 및광자계수검출장치(400)가개시된다. 본발명에의하면, 제1 트랜지스터의스위칭과정에서발생되는전하주입(charge injection) 전하량을줄일수 있으며, 이에따라노이즈를제거하여전하량검출증폭기(charge sense amplifier)와광자계수검출장치의검출정확도를향상시킬수 있다.
    • 第一晶体管TN1具有连接到预定电路元件120的第一端子n1的源极S1和偶然连接到元件120的第二端子n2的漏极D1; 具有来自电流源IS的电流流过的漏极D2和栅极S2并连接到栅极G2保护通道D2的第二晶体管TN2; 并且根据第二晶体管TN2的漏极D2和源极S2之间的电流的流动产生与第二晶体管TN2的栅极G2和源极S2之间的电压对应的电压, 包括多路复用器110的开关电路100用于根据光电二极管200的控制信号CS选择性地将输入信号输入到第一晶体管TN1的栅极G1, )是当gagae。 根据本发明,可以减少在第一晶体管的切换过程中产生的电荷注入电荷的量,由此通过去除噪声来提高电荷感测放大器和光子系数检测装置的检测精度。 有。