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1. 发明公开

KR1020060058644A 출력 스테이지 및 증폭기 제어 루프 有权
标题翻译：输出级，放大器控制环和输出级的应用
公开(公告)号：KR1020060058644A
公开(公告)日：2006-05-30
申请号：KR1020050112781
申请日：2005-11-24
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 크루크,에르빈 , 클라인,호르스트
IPC分类号： H03F3/26 , H03F1/22
CPC分类号： H03F3/45094 , H03F3/3001 , H03F3/3432 , H03F3/45192 , H03F2203/45326 , H03F2203/45648 , H03G1/0029
摘要： 본 발명은 출력 스테이지, 증폭기 제어 루프 및 출력 스테이지의 사용에 관한 것이다. 출력 스테이지는 제1 전도성 유형을 갖는 제1 트랜지스터쌍 및 제2 전도성 유형을 갖는 제2 트랜지스터쌍을 포함한다. 제1 트랜지스터쌍((P11, P12)의 제1 및 제2 트랜지스터 및 제2 트랜지스터쌍(N11, N12)의 제1 및 제2 트랜지스터의 소스 연결부는 각각 제1 또는 제2 회로 노트(7, 8)에 연결된다. 출력 스테이지는 제1 전도성 유형을 갖는 제1 전류 반사기(4) 및 제2 전도성 유형을 갖는 제2 전류 반사기(5)를 포함한다. 전류 반사기 트랜지스터(P22, N22)는 신호 출력부(3)와 결합된다. 신호 입력부(1)는 제1 및 제2 트랜지스터쌍의 제1 트랜지스터(P11, N11)의 제어 연결부와 결합된다. 제1 트랜지스터쌍의 제2 트랜지스터(P12)의 제2 연결부는 제2 전류 반사기(5)에 연결되며, 제2 트랜지스터쌍의 제2 트랜지스터(N121)의 제2 연결부는 제1 전류 반사기(4)와 결합된다.
출력 스테이지, 증폭기 제어 루프, 트랜지스터쌍, 소스 연결부, 전류 반사기

2. 发明授权

KR100781139B1 출력 스테이지 및 증폭기 제어 루프 有权
标题翻译：输出级和放大器控制环
公开(公告)号：KR100781139B1
公开(公告)日：2007-11-30
申请号：KR1020050112781
申请日：2005-11-24
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 크루크,에르빈 , 클라인,호르스트
IPC分类号： H03F3/26 , H03F1/22
CPC分类号： H03F3/45094 , H03F3/3001 , H03F3/3432 , H03F3/45192 , H03F2203/45326 , H03F2203/45648 , H03G1/0029
摘要： 본 발명은 출력 스테이지, 증폭기 제어 루프 및 출력 스테이지의 사용에 관한 것이다. 출력 스테이지는 제1 전도성 유형을 갖는 제1 트랜지스터쌍 및 제2 전도성 유형을 갖는 제2 트랜지스터쌍을 포함한다. 제1 트랜지스터쌍((P11, P12)의 제1 및 제2 트랜지스터 및 제2 트랜지스터쌍(N11, N12)의 제1 및 제2 트랜지스터의 소스 연결부는 각각 제1 또는 제2 회로 노드(7, 8)에 연결된다. 출력 스테이지는 제1 전도성 유형을 갖는 제1 전류 미러(4) 및 제2 전도성 유형을 갖는 제2 전류 미러(5)를 포함한다. 전류 미러 트랜지스터(P22, N22)는 신호 출력부(3)와 결합된다. 신호 입력부(1)는 제1 및 제2 트랜지스터쌍의 제1 트랜지스터(P11, N11)의 제어 연결부와 결합된다. 제1 트랜지스터쌍의 제2 트랜지스터(P12)의 제2 연결부는 제2 전류 미러(5)에 연결되며, 제2 트랜지스터쌍의 제2 트랜지스터(N121)의 제2 연결부는 제1 전류 미러(4)와 결합된다.
출력 스테이지, 증폭기 제어 루프, 트랜지스터쌍, 소스 연결부, 전류 미러

3. 发明公开

KR1020020053031A 과전압 방지 无效
标题翻译：过压保护
公开(公告)号：KR1020020053031A
公开(公告)日：2002-07-04
申请号：KR1020017013491
申请日：2000-04-19
申请人： 인피니온 테크놀로지스 아게
发明人： 스텐스트롬헬게
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45085 , H03F1/52 , H03F3/45071 , H03F2203/45326
摘要： 비교기또는연산증폭기와같은차동형의증폭기는베이스입력단자들에의해서형성되는두개의입력단자(1,3)를갖는데, 예를들면 npn-형의증폭트랜지스터(T1,T2) 이다. 입력트랜지스터의콜렉터는예를들면전류미러회로(T4,T5)를통해서소정의공급전압(Vcc)에접속된다. 입력트랜지스터의에미터는전류발생기로서접속된트랜지스터(T3)를통해서접지전위에가까운또 다른공급전압(V)에접속된다. 입력트랜지스터내의베이스-에미터접합은다이오드로서접속되는보호트랜지스터(T6,T7)에의해서보호되며, 그에미터및 베이스는서로접속된다. 보호트랜지스터에서의효과적인 pn-접합은보통은더 큰브레이크스루전압을갖는베이스와콜렉터사이의접합이며이어서베이스및 에미터사이의 pn-접합이다. 따라서증폭기의입력단자의보호가획득되는데이는예를들면집적회로에서간단한방법으로달성될수 있다. 그후, 보호트랜지스터는입력트랜지스터와대체로같은방법으로이루어지며이들과대체로같은전기적인특성을갖는다.

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