专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101761274B1 광전자 적용을 위한 구리 복합물 有权
标题翻译：用于光电子应用的铜络合物
公开(公告)号：KR101761274B1
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020117030929
申请日：2010-06-24
申请人： 시노라 게엠베하
发明人： 몽코위우스,우베 , 피셔,토비아스 , 호프벡,토마스 , 바우만,토마스 , 그랩,토비아스 , 예르신,하르트무트
IPC分类号： C07F1/08 , C07D211/00 , H01L51/50 , H01L31/04
CPC分类号： H01L51/0091 , C07F1/005 , C07F9/587 , C07F9/62 , C07F9/65122 , H01L51/009 , H01L51/4253 , H01L51/5012 , H01L51/5072 , Y02E10/52 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 본발명은식 A를가지며,여기서, X = Cl, Br 또는 I(서로독립하여), N*∩E =비덴테이트리간드, 여기서, E= RE형태(R=알킬, 아릴, 알콕시, 페녹시또는아미드)의포스피닐/아세닐라디칼; N*= 피리딜, 피리미딜, 피리다지닐, 트리아지닐, 오자졸릴, 티아졸일, 이미다졸릴으로부터선택된방향족의부분인이민함수이고, 상기방향족은선택적으로유기용제에서구리(I) 복합물의용해도를증가시키기위한적어도하나의치환체를가지며, "∩"는방향족의같은부분인적어도하나의탄소원자이고. 탄소원자는이민질소원자와인 또는비소원자에바로인접하는, 구리(I) 복합물에관한것이며, 또한광전자조립체특히, OLEDs에서의구리(I) 복합물의사용에관한것이다. 참고 [i] 씨. 아다치, 엠. 에이. 발도, 에스. 엘. 포레스트, 에스. 라만스키, 엠. 이. 톰슨, 알. 씨. 궝, 어플리언스피직스. 레트. 2001, 78, 1622. [ii] 엑스. 에이치. 양, 디. 씨. 뮐러, 디. 네허, 케이. 미홀츠, 마스터. 2006, 18, 948, 엑스. 에이치. 양디. 네허, 어플리언스피직스.. 레트. 2004, 84 2476. [iii] 제이. 시날 (ed.), 유기발광장치 - 설문조사, AIP - 프레스, 스프링어, 뉴욕, 2004. [iv] 에이치. 예신, 톱. 컬르. 화학. 2004, 241, 1. [v] 에이치. 예신, 형광물질을갖는고효율 OLEDs, 와일리 - 브이씨에이치, 바인하임 2008. [vi] 젯에이치카파피, 유기전자발광, 테일러 & 프랜시스, 보카라톤, 2005. [vii] 엠이톰슨, 피아이드쥬로비히, 제이. 리 (남부캘리포니아대학, 로스앤젤레스, 캘리포니아), WO 2004/017043 A2, 2004. [viii] 엠이톰슨, 피아이드쥬로비히, 알. 궝 (남부캘리포니아대학, 로스앤젤레스, 캘리포니아, 유니버설디스플레이사, 에윙, 뉴욕), WO 2004/016711 A1, 2004. [ix] 에이. 쯔보야마, 에스. 오카다, 티. 타키구찌, 케이. 우에노, 에스. 이가와, 제이. 가마타니, 엠. 후루고리, 에이치. 이와와카 (캐논주식회사, 동경), WO 03/095587 A1, 2003. [x] 씨.-엠. 체, 미국 2003/0205707 A1, 2003. [xi] 씨.-엠. 체, 더블유. 루, 엠. 씨.-더블유. 찬, 미국 2002/0179885 A1, 2002. [xii] 제이. 가마타니, 에스. 오카다, 에이. 쯔보야마, 티. 다기구찌, 에스. 이가와, 미국 186,080분의 2,003 A1, 2003. [xiii] 피. 스퇴벨, 난바흐, 에이. (코빈유기반도체 GmbH), DE 10350606 A1, 2005. [xiv] 엠. 볼드, 씨. 레나르츠, 엠. 에겐, 에이치.-더블유. 슈미트, 엠. 더라켓, 엠. 베이트, 씨. 누베르, 더블유. 코와스키, 씨. 쉴드크네취(BASF AG), DE 10338550 A1, 2005. [xv] 씨. 레나르츠, 에이. 보글러, 브이. 파울로스키 (BASF AG), DE 10358665 A1, 2005. [xvi] 비. 하이시, 티피에스톰스, 제이. 피. 첸 (캐논주식회사, 동경), 미국 989,273분의 2,006 B2, 2006. [xvii] 엔. 셔틀, 에스. 훈, 아이. 바흐, 피. 스토에셀, 케이. 트레쳐 (코비온유기반도체), WO 2006/003000 A1, 2006. [xviii] 에이. 보글러, 브이. 파울로스키, 에이치.-더블유. 슈미트, 엠. 더라켓 (BASF AG), WO 2006/032449 A1, 2006. [xix] 티케이하트워, 제이.피.스핀들러, 알. 에이치영 (이스트먼코닥컴퍼니), WO 2006/028546 A1, 2006. [xx] 피. 씨. 포드, 이. 카리아티, 제이. 보라스카, 화학. 알이브이 1999 년, 99 3625. [xxi] 에이치. 아라키, 케이. 쯔게, 와이. 사사키, 에스. 이시자카, 엔. 기타무라, 무기화학. 2007, 46, 10032. [xxii] 에이. 러슬러, 지. 스킬러스, 에스. 이.플라시니스, 케미인 우세러자이트 2001, 35, 32. [xxiii] 와이. 선, 케이. 예, 에이치. 장, 제이. 장, 엘. 자오, 비. 리, 지. 양, 비. 양, 와이. 왕, 에스.-더블유. 라이, 씨.-엠. 체, 안주. 화학. 2006, 118, 5738. [xxiv] 와이. 첸, 제이. 에프. 제럴드, 엘. 티. 채더튼, 엘. 체프론, 어플. 피직스s. 레트. 1999, 74, 2782.
摘要翻译：本发明具有式A，其中（彼此独立地）X = Cl，Br或I，N * =∩E普罗维登西亚莱斯岛泰特配体，其中RE = E形式（R =烷基，芳基，烷氧基，苯氧基或酰胺）; N * =吡啶基，嘧啶基，哒嗪基，三嗪基，哒嗪基里奥哈，噻唑，咪唑，和选自噻芳族的迁移功能，其中所述芳族是任选铜（I）配合物的在有机溶剂中的溶解度 “至少有一个碳原子是芳香族的相同部分。碳原子涉及亚胺氮原子直接相邻的或酒，铜（I）的砷原子的配合物，还涉及使用一个光电组件特别是，有机发光二极管eseoui铜（I）配合物。参考[i] Mr .. Adachi，M. 雅芳。 Valdo，S. 萨尔瓦多。福雷斯特，S。 Ramsey，M. A. 汤普森，铝。先生 궝，家电物理。快报。 2001年，78年，1622年。[ii] x。 HI。杨，D. 先生穆勒，D。 Nehor，Kay。 Mitholz，硕士。 2006，18，948，x。 HI。隋炀帝。 Neher，家电物理.. Rett。 2004，84 2476. [iii] J. Shinar（ed。），Organic Light Emitting Devices - Survey，AIP-Press，Springer，New York，2004。[iv] H .. 是的，看到了。 Keolreu。化学。 2004，241,1。[v] H. 高效率yesin，荧光OLED，威利-Vħ先生，Weinheim中2008. [VI] H.喷射卡帕血液，有机电致发光，泰勒＆弗朗西斯，博卡拉顿，2005。[VII] M.汤普森，血液 - 眼 Jourobihi，杰伊。（南加州大学洛杉矶分校），WO2004 / 017043A2,2004。[viii] M.Thompson，P.Eid Lubby，（南加利福尼亚大学，加利福尼亚州洛杉矶，Universal Display Company，Ewing，纽约），WO 2004 / 016711A1,2004。[ix] AA。 Tsuboyama，S。冈田，发球。 Takiguchi，Kay。 Ueno，S. 艾嘉，杰伊。 Gamatani，M. Furugori，H。 Iwawaka（Canon Inc.，Tokyo），WO 03 / 095587A1,2003。[x]。 S.，USA 2003 / 0205707A1,2003。[xi] M.-M. Che，W. Lou，M. W.- W.先生 Chan，美国2002/0179885 A1,2002。[xii] J. Gamathani，S。冈田，艾。茶山，茶。 Tachi Gucci，S. IGWA，2003年，美国第186,080号，2003年。[xiii] p。史蒂文尔，我是巴赫，艾。（Corbin Organic Semiconductor GmbH），DE 10350606 A1,2005。[xiv] M.et al。大胆，先生.. 雷纳德，M. 因为，H.-- W. 施密特，M. 球拍，米。贝特先生.. Nouvel，W. 科瓦斯基先生 BASF AG，DE 10338550 A1,2005。[xv]。雷纳德，艾。 Vogler，v。 BASF AG，DE 10358665 A1,2005。[xvi] 海狮，Typhi Storms，Jay。 P. 陈（佳能公司，东京），美国989/273 B2，2006。[xvii]日元。 Shuttle，S. 勋，孩子。巴赫，血。 Stoessel，凯。 Trequier（Cobion Organic Semiconductor），WO 2006 / 003000A1,2006。[xviii] A .. Vogler，v。 Paulosky，H.- W. 施密特，M. BASF AG，WO 2006/032449 A1，2006。[xix] TK Hearts，J.P.Spindler，Al。 H.Young（Eastman Kodak Company），WO 2006 / 028546A1,2006。[xx] p。先生福特，这个。马车，杰伊。 Boraska，化学。 Alves 1999，99 3625. [xxi] H .. 荒木，凯。荃，威。 Sasaki，S。石坂，日元。无机化学。 2007，46，10032. [xxii] AA。拉塞尔，吉。 Skillers，S. E. Plasinis，Chemieu Ucerzaiit 2001,35,32。[xxiii] Wai。 Line，k。是的，嗨。 Chang，J。 Chang，El。赵，雨。李，吉。羊，雨。杨伟伟 King，S.- W. 黑麦先生 - 米先生筛，小吃。化学。 2006，118,5738。[xxiv] Wai。陈，杰伊。弗。杰拉尔德，埃尔。 T恤。 Chatterton，El。 Chephron，应用程序。物理学。快报。 1999，74，2782。

2. 发明授权

KR101758388B1 금속 착물 有权
公开(公告)号：KR101758388B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020117020452
申请日：2010-01-14
申请人： 메르크 파텐트 게엠베하
发明人： 슈퇴쎌필립 , 하일홀거 , 요세텐도미니크 , 플룸크리슈토프 , 게르하르트안야 , 브로이닝에스터
IPC分类号： C07F15/00 , C07F19/00 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号： C07F19/00 , C07F1/00 , C07F1/08 , C07F15/0033 , C07F15/0086 , C09B57/00 , C09B57/001 , C09B57/007 , C09B57/008 , C09B57/10 , C09K11/06 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1048 , C09K2211/1051 , C09K2211/1074 , C09K2211/185 , C09K2211/188 , H01L51/0037 , H01L51/0059 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/0091 , H01L51/5016 , H01L2251/308 , Y02E10/549
摘要： 본발명은금속착물및 상기금속착물을포함하는전자소자, 특히유기전계발광소자에관한것이다.

3. 发明公开

KR1020160137825A 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 표시 장치 审中-实审
标题翻译：制造发光显示装置的方法和使用它的发光显示装置
公开(公告)号：KR1020160137825A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：KR1020150071721
申请日：2015-05-22
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 공향식 , 강윤호 , 곽동훈 , 김성웅 , 김율국 , 김재훈 , 나예슬 , 백석순 , 황재권
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/50 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/0005 , H01L27/3246 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0059 , H01L51/0091 , H01L51/5056 , H01L51/56
摘要： 발광표시장치의제조방법및 이를이용한발광표시장치가제공된다. 일례로, 발광표시장치의제조방법은비화소영역에의해구분되는복수의화소영역을포함하는기판상에상기화소영역별로제1 전극을형성하는단계; 상기기판상에상기제1 전극을노출하는화소개구부를가지는화소정의막을형성하는단계; 상기제1 전극상에정공주입층을형성하는단계; 상기정공주입층과접촉하는부분만이광에의해경화되는친액성물질층을상기정공주입층상에형성하고, 개구부와상기개구부의외측에위치하는차광부를포함하는오픈마스크를상기개구부가상기복수의화소영역과상기비화소영역과중첩하도록상기화소정의막의상부에배치시키고, 상기광을상기친액성물질층에조사시킴으로써, 상기정공주입층상에상기정공주입층과완전히중첩하는친액성층을형성하는단계; 상기친액성층상에정공수송층을형성하는단계; 상기정공수송층상에발광층을형성하는단계; 및상기발광층상에제2 전극을형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：一种制造发光显示装置的方法，所述方法包括在每个所述像素区域中在基板上形成第一电极，所述基板包括由非像素区域划分的多个像素区域; 形成像素限定层，所述像素限定层在所述基板上具有多个像素开口，每个所述像素开口暴露所述第一电极; 在所述第一电极上形成空穴注入层; 在空穴注入层上形成亲液层，与空穴注入层完全重叠; 在亲液层上形成空穴传输层; 在空穴传输层上形成发光层; 以及在所述发光层上形成第二电极。

4. 发明授权

KR101645784B1 유기 발광 소자 및 전하 수송층에서 구리 착화합물의 용도 有权
标题翻译：有机发光组件和铜复合物在充电运输层中的使用
公开(公告)号：KR101645784B1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：KR1020137018155
申请日：2011-11-24
申请人： 오스람 오엘이디 게엠베하
发明人： 랑어윈 , 크리스투캇크리스티안
IPC分类号： H01L51/50 , C09K11/06
CPC分类号： H01L51/5048 , H01L51/0059 , H01L51/0091 , H01L51/5024 , H01L51/5052 , H01L51/506
摘要： 유기발광소자(100)는전자기복사선(114)의방출을위한활성층(110)을포함한다. 또한, 상기유기발광소자는활성층(110)과애노드(102) 사이에배치되고애노드(102) 및, 애노드(102)로부터활성층(110)으로전하캐리어를수송하기위한유기전하수송층(108)을포함한다. 활성층(110)에의해방출된전자기복사선(114)은애노드(102)를통해유기발광소자(100)로부터아웃커플링될수 있다. 유기전하수송층(108)은구리착화합물을포함하고, 상기구리착화합물은화학식 I에따른화학구조를갖는하나이상의리간드를포함한다. [화학식 I]상기식에서, E과 E는각각서로독립적으로원소들, 산소, 황또는셀레늄중 하나이며, R은수소또는치환또는비치환, 분지형, 선형또는환형탄화수소의군에서선택된다.

5. 发明公开

KR1020160027119A 광전자 컴포넌트, 유기 기능 층 및 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 审中-实审
标题翻译：光电子元件，有机功能层和生产光电元件的方法
公开(公告)号：KR1020160027119A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020167002637
申请日：2014-06-25
申请人： 오스람 오엘이디 게엠베하
发明人： 애거,아른트 , 슈미트,군터
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/00 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/0091 , H01L51/001 , H01L51/0051 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/009 , H01L51/5056 , H01L51/506 , H01L51/5088 , H01L51/5096 , H01L51/56
摘要： 본발명은기판(1), 제1 전극(2), 제2 전극(9) 및상기제1 전극(2)과상기제2 전극(9) 사이에배치되어있는하나이상의유기기능층을포함하는광전자컴포넌트와관계된다. 상기유기기능층은매트릭스재료, 제1 화합물및 제2 화합물을포함하고, 이때상기제1 화합물과상기제2 화합물이상호작용하고, 이때상기제1 화합물및/또는상기제2 화합물과상기매트릭스재료가상호작용하며, 그리고이때상기상호작용들에의해상기유기기능층의전도성이생성된다. 본발명은또한유기기능층 및광전자컴포넌트의제조방법과도관계된다.

6. 发明公开

KR1020150112811A 유기 일렉트로루미네센스 소자용 발광 재료 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자 审中-实审
标题翻译：有机电致发光器件及其有机电致发光器件的材料
公开(公告)号：KR1020150112811A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：KR1020150036813
申请日：2015-03-17
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 국립대학법인 홋가이도 다이가쿠
发明人： 아카시,노부타카 , 카토,마사코 , 오하라,히로키 , 코바야시,아츠시
IPC分类号： C07F1/08 , C09K11/06 , H01L51/00 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0091 , C07F1/08 , H01L51/5012
摘要： 본발명은발광효율이향상된유기일렉트로루미네센스소자용발광재료및 유기일렉트로루미네센스소자를제공한다. 본발명은하기화학식 1로나타내지는구리(I) 착체를포함하는유기일렉트로루미네센스소자용발광재료및 이를포함하는유기일렉트로루미네센스소자에관한것이다. [화학식 1] [CuX(PPh)L]
摘要翻译：提供了一种具有增强的发光效率的有机电致发光器件的发光材料和有机电致发光器件。此外，本发明涉及包含由化学式1表示的铜（I）络合物的有机电致发光器件的发光材料以及包含该铜的有机电致发光器件。

7. 发明公开

KR1020140111221A 트랜지스터 및 이의 제조방법 审中-实审
标题翻译：具有纳米颗粒的晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140111221A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：KR1020140025761
申请日：2014-03-04
申请人： 에스케이이노베이션 주식회사
发明人： 김준형 , 이영근 , 유홍 , 안성재 , 김태희
IPC分类号： H01L29/775 , H01L21/335
CPC分类号： H01L51/0566 , B82Y10/00 , H01L51/0091 , H01L51/0094 , H01L51/0558
摘要： Described are a transistor and a method for fabricating the same. A transistor according to one embodiment of the present invention can include a channel region which includes a linker formed on a substrate and metallic nanoparticles grown from metal ions combined with the linker; a source region located at one end of the channel region; a drain region which is located at the other end of the channel region and faces the source region; and a gate which is combined with the channel region to control the charge transfer in the channel region.
摘要翻译：描述了一种晶体管及其制造方法。根据本发明的一个实施例的晶体管可以包括沟道区，其包括形成在衬底上的接头和从与接头组合的金属离子生长的金属纳米粒子; 源区域，位于所述沟道区域的一端; 漏极区，位于沟道区的另一端并面向源极区; 以及与通道区域组合以控制沟道区域中的电荷转移的栅极。

8. 发明授权

KR101426109B1 금 착체 및 그의 제조 방법, 및 상기 금 착체를 이용하는 유기 자외 전계 발광 소자 有权
标题翻译：金复合物，金复合物的生产方法和使用金复合物的有机超紫外线电致发光元件
公开(公告)号：KR101426109B1
公开(公告)日：2014-08-05
申请号：KR1020097010539
申请日：2007-10-23
申请人： 우베 고산 가부시키가이샤
发明人： 후지무라,오사무 , 후쿠나가,겐지 , 혼마,다카시 , 마치다,도시카즈
IPC分类号： C07F1/12 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC分类号： C07F1/00 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1044 , C09K2211/188 , H01L51/0037 , H01L51/004 , H01L51/0084 , H01L51/0091 , H01L51/5016 , H01L51/5036
摘要： 화학식 (1)로 표시되는 금 착체 및 그의 제조 방법, 및 상기 금 착체를 이용하는 유기 자외 전계 발광 소자를 제공한다.

(식 중, L은 질소 함유 헤테로환 카르벤 배위자를 나타내고, X는 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알킬아미노카르보닐기, 아릴아미노카르보닐기, 아릴알킬아미노카르보닐기, 알킬머캅토카르보닐기, 아릴머캅토카르보닐기, 알킬술포닐기, 또는 아릴술포닐기를 나타내고; 또한, X의 탄소 원자 상의 하나 또는 복수의 수소 원자가 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아르알킬기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알킬머캅토기, 아릴머캅토기, 치환아미노기로 치환될 수도 있음)
금 착체, 금 착체의 제조 방법, 유기 자외 전계 발광 소자

9. 发明公开

KR1020140057524A 신규 화합물 및 그것을 이용한 유기 디바이스 无效
标题翻译：新型化合物和使用它的有机器件
公开(公告)号：KR1020140057524A
公开(公告)日：2014-05-13
申请号：KR1020147001725
申请日：2012-06-22
申请人： 고쿠리쓰다이가쿠호진 규슈다이가쿠
发明人： 장치성 , 아다치지하야 , 마츠나미시게유키 , 사카노우에게이
IPC分类号： C07F9/53 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/005 , C07F9/5045 , C07F9/5325 , C07F9/5329 , C07F9/5728 , C07F9/582 , C07F9/65517 , C07F9/655354 , C07F15/0033 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , H01L51/008 , H01L51/0085 , H01L51/009 , H01L51/0091 , H01L51/5016 , H01L51/5072 , H05B33/14
摘要： 하기 일반식으로 나타내는 화합물은 전하 수송 재료로서 우수한 특성을 갖는다

[식 중, R
1 ∼ R
3 은 치환기, n1 및 n2 는 0 ∼ 5 의 정수, n3 은 0 ∼ 4 의 정수, X 는 -O-, -S-, -SO
2 -, -CS-, -R
4 -, -C(R
5 )(R
6 )-, -PO(R
7 )-, -Si(R
8 )(R
9 )-, ＞PO-, ＞Si(R
10 )- 또는 ＞Si＜ 로 나타내는 연결기, m 은 2 ∼ 4 의 정수이고, R
4 는 지방족 고리형 연결기, R
5 ∼ R
10 은 수소 원자, 알킬기, 아릴기 등을 나타낸다].

10. 发明公开

KR1020140033168A 구리(I) 착물, 특히 광전자 구성요소용 구리(I) 착물 审中-实审
标题翻译：铜（I）配合物，特别是用于光电子组件的铜（I）配合物
公开(公告)号：KR1020140033168A
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：KR1020137034502
申请日：2012-06-29
申请人： 시노라 게엠베하
发明人： 바우만토마스 , 그라브토비아스 , 징크다니엘
IPC分类号： C07F1/08 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0091 , C07F1/005 , C07F1/08 , C07F9/5045 , H01L51/009 , H01L51/5016 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 화학식 A의 구리(I) 착물에 관한 것이다:

화학식 A
상기 식에서
X
* 는 Cl, Br, I, CN, SCN, 알키닐 및/또는 N
3 (서로 독립적임)이고;
N
* ∩E는 두자리 리간드이며, 여기에서
E는 R
2 E 형태의 포스파닐/아르제닐기(R = 알킬, 아릴, 알콕실, 페녹실 또는 아미드)이고;
N
* 는 피라졸, 이속사졸, 이소티아졸, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 테트라졸, 옥사트리아졸 및 티아트리아졸로 구성된 그룹 중에서 선택된 N-헤테로방향족 5-원환의 구성요소인 이민 작용기이며;
"∩"은 마찬가지로 방향족기의 구성요소인 적어도 하나의 탄소 원자이고, 상기 탄소 원자는 이민 질소 원자 및 인 또는 비소 원자 양자 모두에 직접 인접하여 위치한다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式