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1. 发明公开

KR1020170039741A 다층 질화철 경자성 재료 审中-实审
标题翻译：多层氮化铁硬磁材料
公开(公告)号：KR1020170039741A
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：KR1020177006380
申请日：2015-08-05
申请人： 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 미네소타
发明人： 왕지안-핑 , 지앙얀펭
IPC分类号： H01F1/059 , H01F1/055 , H01F1/06 , H01F10/14 , H01F41/02
CPC分类号： H01F1/059 , C23C16/34 , C23C16/448 , C23C16/45561 , C23C16/507 , C23C16/56 , C30B19/00 , C30B25/00 , C30B29/38 , C30B29/68 , H01F10/147 , H01F41/20 , H01F41/22 , H01F41/28 , H02K1/02
摘要： 본개시내용은α"-FeN을포함하는적어도하나의층과, α"-Fe(NZ)또는α"-FeN및α"-FeZ의혼합물을포함하는적어도하나의층을포함하는다층경자성재료를기재한다. 여기서, Z는 C, B 또는 O 중적어도하나를포함하고, x는 0보다크고 1보다작은수이다. 본개시내용은화학증착또는액상에피택시에의해α"-FeN을포함하는적어도하나의층과, α"-Fe(NZ)또는α"-FeN및α"-FeZ의혼합물을포함하는적어도하나의층을포함하는다층경자성재료를제조하는기법을기재한다.
摘要翻译：用于本公开内容的多层硬磁材料包括至少一种含有层“至少一个层中，含有α-FeN” -Fe（NZ）或α“-FeN和α”α-FeZ的混合物和基体材料。其中Z包含C，B或O中的一个，并且x是大于零且小于1的数字。本公开的至少一个，其具有“至少一个层中，含有α-FeN” -Fe（NZ）或α“-FeN和α”通过化学气相沉积或液相外延α-FeZ的混合物，该方法包括：

2. 发明授权

KR100437440B1 자성 석류석 단결정막 및 그 제조 방법, 및 그것을 사용한 패러데이 회전자 有权
标题翻译： 자성석류석단결정막및그제조방법，및그것을사용한패러데이회전자
公开(公告)号：KR100437440B1
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：KR1020010014906
申请日：2001-03-22
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 오이도아츠시 , 야마사와가즈히토
IPC分类号： C30B29/28
CPC分类号： H01F41/28 , C30B19/02 , C30B29/28 , G02F1/0036 , H01F10/245
摘要： 본 발명은 Bi 치환 희토류 철 석류석 단결정막 및 그 제조 방법, 및 그것을 사용한 패러데이 회전자에 관한 것으로서, 막 육성중이나 냉각중 또는 연마 가공중에 깨짐이 발생하기 힘든 자성 석류석 단결정막 및 그 제조 방법을 제공한다. 또, 막 육성중이나 냉각중 또는 연마 가공중에 깨짐이 발생하기 힘든 자성 석류석 단결정막을 사용하여 높은 수율로 제작할 수 있는 패러데이 회전자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
Bi 치환 자성 석류석 단결정을 액상 에피택셜 성장법을 사용하여 육성하는 자성 석류석 단결정막의 제조 방법에 있어서, 단결정막의 성장과 함께 자성 석류석 단결정의 격자정수를 일정, 또는 서서히 감소시키고, 이어서 단결정막의 성장과 함께 격자정수를 증가시켜 자성 석류석 단결정막을 형성한다.
摘要翻译： Bi-取代的稀土 - 铁石榴石单晶薄膜及其制造方法，以及包含它的法拉第旋转器技术领域本发明涉及Bi-取代的稀土 - 铁石榴石单晶薄膜及其制造方法。其目的是提供一种在生长或冷却或抛光和加工时几乎不破裂的磁性石榴石单晶膜，并提供一种制造它的方法。本发明的目的还在于提供一种通过加工在生长或冷却或抛光和加工时几乎不破裂的磁性石榴石单晶膜而以高产率生产的法拉第旋转器。在通过以液相外延生长的方式生长Bi置换磁性石榴石单晶来生产磁性石榴石单晶膜的方法中，生长的磁性石榴石单晶的晶格常数被控制为不变化或随着单晶膜的增长而逐渐减小，然后随之增加。＆lt;图像＆GT;

3. 发明公开

KR1020010092715A 자성 석류석 단결정막 및 그 제조 방법, 및 그것을 사용한 패러데이 회전자 有权
标题翻译： MAGNETIC GARNET单晶片，其制造方法和使用电影的FARADAY转子
公开(公告)号：KR1020010092715A
公开(公告)日：2001-10-26
申请号：KR1020010014906
申请日：2001-03-22
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 오이도아츠시 , 야마사와가즈히토
IPC分类号： C30B29/28
CPC分类号： H01F41/28 , C30B19/02 , C30B29/28 , G02F1/0036 , H01F10/245
摘要： PURPOSE: To prepare a magnetic garnet single crystal film, e.g. a Bi-substituted rare earth element-iron garnet film, which is hardly broken during growing, cooling or polishing, to provided a method for producing the same, and a Faraday rotor which can be produced in a high yield by using the magnetic garnet single crystal film which is hardly broken during growing,cooling or polishing. CONSTITUTION: In a method of producing a magnetic garnet single crystal film, which comprises growing a Bi-substituted magnetic garnet single crystal by applying a liquid-phase epitaxial growing method, the magnetic, garnet single crystal film is deposited while making the lattice constant of the magnetic garnet single crystal constant or gradually decreasing the lattice constant with the growth of a single crystal film and then increasing the lattice constant with the growth of the single crystal.
摘要翻译：目的：制备磁性石榴石单晶膜，例如在生长，冷却或抛光过程中几乎不破碎的Bi取代稀土元素 - 铁石榴石膜，以提供其制备方法，以及可以通过使用磁性石榴石单体以高产率制备的法拉第转子在生长，冷却或抛光期间几乎不破裂的晶体膜。构成：在通过应用液相外延生长法生长双取代的石榴石单晶的磁性石榴石单晶膜的制造方法中，使磁性石榴石单晶膜沉积，同时使晶格常数为磁性石榴石单晶常数或随着单晶膜的生长逐渐减小晶格常数，然后随着单晶的生长而增加晶格常数。

4. 发明授权

KR100235766B1 정자파 장치의 삽입손실 및 리플의 억제방법 失效
标题翻译：一种降低磁波波浪装置的插入损耗和纹波的方法
公开(公告)号：KR100235766B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019970001288
申请日：1997-01-17
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 구마토리야마코토 , 후지이다카시 , 다카기히로시
IPC分类号： H01F41/02
CPC分类号： H01F41/28 , H01F10/245 , H03H2/001 , Y10S428/90
摘要： 본 발명은, Gd
3 Ga
5 O
12 로 표시되는 단결정 기판 위에 액상의 에피택시법(liquid phase epitaxy)에 의해 형성되는, Y
3－x M
x Fe
5－y N
y O
12 (식중에서, M은 La, Bi, Lu 및 Gd로부터 선택된 적어도 1종이며; N은 Al, In 및 Sc로부터 선택된 적어도 1종이고; x와 y는 각각 0＜x≤1.0, 0＜y≤1.5로 정의된다)로 표시되는 단결정막을 사용하는 정자파 장치(magnetostatic wave device)에 있어서, 상기 단결정막이 상기한 단결정 기판의 격자정수(lattice constant)보다 더 큰 격자정수를 가지며; 두 격자정수의 차(△a)가 0.0004㎚≤△a≤0.001㎚의 범위에 있음을 특징으로 하는 정자파 장치에 관한 것이다. 이 정자파 장치는 (작은 삽입손실(insertion loss) 및 작은 리플(ripple) 등과 같은) 양호한 특성을 갖고 있다.
[색인어]
액상의 애피택시법, 단결정막, 정자파 장치, 삽입손실, 리플

5. 发明授权

KR100208882B1 정자파 장치 失效
标题翻译：磁感应波形装置
公开(公告)号：KR100208882B1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970000378
申请日：1997-01-09
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 마사루후지노
IPC分类号： H01F13/00
CPC分类号： H03H2/001 , H01F10/245 , H01F41/28
摘要： 본 발명은, (철을 함유하는)자성 가닛(magnetic garnet)의 단결정막을 사용하는 정자파 장치(magnetostatic wave device)에 있어서, 자성가닛에 인듐이나 주석을 10~3000중량ppm의 양으로 첨가하는 것을 특징으로 하는 정자파 장치에 관한 것이다.

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