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热词
    • 1. 发明公开
    • 실리콘 필름층이 형성된 내열 레이저 가공용 표면 보호용 점착테이프
    • 带有硅膜的聚乙烯基材表面保护胶带
    • KR1020140134798A
    • 2014-11-25
    • KR1020130054354
    • 2013-05-14
    • 세계화학공업(주)
    • 나영수안창덕
    • C09J7/02
    • C09J7/29C09J7/22C09J7/38C09J2201/16C09J2201/606C09J2203/30C09J2423/046C09J2483/006
    • 본 발명은 실리콘 필름층이 형성된 내열 레이저 절단용 표면보호용 점착테이프에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 엘리베이트, 철도차량, 가전품 등에 사용되는 스테인리스 스틸의 정밀한 가공을 위해 사용되는 레이저절단(LASER CUTTING) 공정 중 발생되는 열, 오염물 등으로 인한 스테인리스 스틸 표면을 보호하는, 내열 레이저 가공용 표면 보호용 점착테이프에 관한 것이다.
      본 발명의 실리콘 필름층이 형성된 내열 레이저 가공용 표면 보호용 점착테이프는 폴리에틸렌 100중량부에 실리콘 5~30 중량부이 혼합된 실리콘 필름층; 상기 실리콘 필름층 상부면에 형성되는 폴리에틸렌층; 및 상기 폴리에틸렌층의 상부면에 형성되는 점착층;으로 이루어진다.
    • 本发明涉及一种具有用于激光切割的硅膜层的耐热表面保护性胶带,更具体地,涉及一种用于激光加工的耐热表面保护胶带,其保护不锈钢表面免受热,污染物等产生 在用于电梯,铁路车辆,电子设备等中的不锈钢的精确切割过程的激光切割过程中。 具有本发明的激光加工用硅膜层的耐热表面保护性粘合带包括:硅膜,其中将5-30重量份的硅混合在100重量份的聚乙烯中; 形成在硅膜层的上侧的聚乙烯层; 以及形成在聚乙烯层的上侧的粘合层。
    • 2. 发明公开
    • 기판의 접합 방법
    • 粘接基板的方法
    • KR1020130041720A
    • 2013-04-25
    • KR1020120053029
    • 2012-05-18
    • 울산과학기술원 산학협력단
    • 조윤경비자야썬카라박동규황현두
    • C09J5/00C09J5/02
    • C09J5/02C09J2400/163C09J2421/006C09J2483/006
    • PURPOSE: A method for bonding substrates is provided to irreversibly and easily bond substrates at room temperature without expensive equipment and sudden temperature change. CONSTITUTION: A method for bonding substrates comprises: a step of treating the surface of a first substrate and/or a second substrate with oxygen plasma; a step of coating the surface with aminosilane; and a step of attaching the substrates to each other. The first substrate and the second substrate are independently a metal substrate, a silicon substrate, and a rubber substrate. The plasma-treatment is conducted by using the intensity greater than 50W for 15 seconds or more. [Reference numerals] (AA) Metal substrate; (BB) Soft substrate(ex: PDMS); (CC,EE) O_2 plasma treatment; (DD) APTES treatment; (FF) Room temperature;
    • 目的:提供一种接合基板的方法,在室温下不可逆地容易地接合基板,而不需要昂贵的设备和突然的温度变化。 构成:接合基板的方法包括:用氧等离子体处理第一基板和/或第二基板的表面的步骤; 用氨基硅烷涂覆表面的步骤; 以及将基板彼此附接的步骤。 第一基板和第二基板独立地是金属基板,硅基板和橡胶基板。 等离子体处理通过使用大于50W的强度进行15秒以上。 (附图标记)(AA)金属基板; (BB)软底物(例如:PDMS); (CC,EE)O_2等离子体处理; (DD)APTES治疗; (FF)室温;