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1. 发明授权

KR101534372B1 고압 고온 소결 처리가 열전 성능 지수(ＺＴ)에 미치는 영향 有权
标题翻译：通过高压，高温烧结影响MERIT（ZT）的热电影图
公开(公告)号：KR101534372B1
公开(公告)日：2015-07-07
申请号：KR1020117015802
申请日：2009-01-09
申请人： 다이아몬드 이노베이션즈, 인크.
发明人： 말릭압드스-사미 , 동용관 , 디살보프랜시스제이
IPC分类号： H01L35/34 , B01J3/06
CPC分类号： H01L31/18 , B01J3/06 , B01J2203/06 , C01B19/007 , H01L35/16 , H01L35/34
摘要： 반도체의성능지수(ZT)를증가시키기위한방법은압력전달매체에반도체를포함하는반응전지를형성하는단계와, 상기반응전지를반도체의성능지수(ZT)를증가시키기에충분한시간동안높은온도및 높은압력에노출시키는단계, 그리고증가된성능지수를갖는반도체를회수하는단계를포함한다.

2. 发明授权

KR101392306B1 압력 손실이 없는 초임계상 이산화탄소 주입 및 반응 방법 有权
标题翻译：超临界相二氧化碳的注入和驱动反应方法，不会损失其压力
公开(公告)号：KR101392306B1
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020130093066
申请日：2013-08-06
申请人： 한국지질자원연구원
发明人： 오준호 , 김구영 , 김태희
IPC分类号： G01N1/28
CPC分类号： B01J3/008 , B01J2203/06 , Y02P20/544
摘要： Disclosed is an injection and reaction method of supercritical phase carbon dioxide without pressure loss. The injection and reaction method of supercritical phase carbon dioxide without pressure loss comprises the steps of preparing vapor carbon dioxide; generating liquid carbon dioxide by pressurizing the prepared vapor carbon dioxide; generating supercritical phase carbon dioxide by controlling the temperature of the generated liquid carbon dioxide; charging and pressurizing an injection line from the inside of a reactor and an injection unit with an incompressible fluid; injecting the generated supercritical phase carbon dioxide to the inside of the reactor; and controlling the pressure of the injected supercritical phase carbon dioxide by a pressure adjusting unit.
摘要翻译：公开了没有压力损失的超临界相二氧化碳的注入和反应方法。无压力损失的超临界相二氧化碳的注入和反应方法包括制备蒸汽二氧化碳的步骤; 通过对制备的蒸汽二氧化碳进行加压来产生液体二氧化碳; 通过控制产生的液态二氧化碳的温度产生超临界相二氧化碳; 对来自反应器内部的注入管线和具有不可压缩流体的注射单元进行加压和加压; 将生成的超临界相二氧化碳注入反应器内部; 以及通过压力调节单元控制注入的超临界相二氧化碳的压力。

3. 发明公开

KR1020110129852A 고압 고온 소결 처리가 열전 성능 지수(ＺＴ)에 미치는 영향 有权
标题翻译：通过高压，高温烧结影响MERIT（ZT）的热电影图
公开(公告)号：KR1020110129852A
公开(公告)日：2011-12-02
申请号：KR1020117015802
申请日：2009-01-09
申请人： 다이아몬드 이노베이션즈, 인크.
发明人： 말릭압드스-사미 , 동용관 , 디살보프랜시스제이
IPC分类号： H01L35/34 , B01J3/06
CPC分类号： H01L31/18 , B01J3/06 , B01J2203/06 , C01B19/007 , H01L35/16 , H01L35/34
摘要： 반도체의 성능 지수(ZT)를 증가시키기 위한 방법은 압력 전달 매체에 반도체를 포함하는 반응 전지를 형성하는 단계와, 상기 반응 전지를 반도체의 성능 지수(ZT)를 증가시키기에 충분한 시간 동안 높은 온도 및 높은 압력에 노출시키는 단계, 그리고 증가된 성능 지수를 갖는 반도체를 회수하는 단계를 포함한다.

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