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    • 2. 发明授权
    • 전자 장치 및 시스템과, 그 제조 및 사용 방법
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    • 각종의전자장치및 시스템에서전력소비를감소시키기위해일련의새로운구조및 방법이제공된다. 일부구조및 방법은대체로기존의벌크 CMOS 공정흐름및 제조기술을재사용함으로써구현될수 있고, 이는반도체업계는물론광범위한전자장치업계가비용이많이들고위험한대안의기술로의전환을피할수 있게해준다. 일부구조및 방법은 CMOS 기반디바이스가종래의벌크 CMOS와비교하여감소된σV를가질수 있게해주고채널영역에도펀트를갖는 FET의문턱전압 V가보다정밀하게설정될수 있게해주는깊게공핍된채널(Deeply Depleted Channel, DDC) 설계에관한것이다. DDC 설계는또한종래의벌크 CMOS 트랜지스터와비교하여강한바디효과를가질수 있으며, 이는 DDC 트랜지스터에서의전력소비의상당한동적제어를가능하게해줄수 있다. 여러가지이점을달성하도록 DDC를구성하는많은방식이있다.
    • 提供了一系列新的结构和方法来降低各种电子设备和系统的功耗。 一些结构和方法通常可以通过重用现有的体CMOS工艺流程和生产技术,这是半导体工业中,以及宽范围的电子设备允许的行业,以避免有害的替代品的昂贵的转换来实现。 一些结构和方法被耗尽的沟道深度这使得基于CMOS的器件是能够gajilsu减小的σV,以取代以往的体CMOS侘haejugo精确设置具有在沟道区中的掺杂剂(深耗尽沟道FET问题颚电压V gaboda, DDC)设计。 与传统的体硅CMOS晶体管相比,DDC设计还可以具有强大的身体效应,这可以实现对DDC晶体管功耗的相当动态控制。 有很多方法可以配置DDC以获得各种好处。