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1. 发明公开

KR20070092155A METHOD AND SYSTEM FOR ENHANCED LITHOGRAPHIC ALIGNMENT 审中-公开
标题翻译：用于增强光刻对准的方法和系统
公开(公告)号：KR20070092155A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：KR20070022433
申请日：2007-03-07
申请人： ASML NETHERLANDS BV
发明人： LALBAHADOERSING SANJAYSINGH , MUSA SAMI
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L23/544 , G03F9/7076 , G03F9/708 , G03F9/7084 , H01L21/3105 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/975 , H01L2223/54426 , H01L2924/00
摘要： A method and a system for enhancing lithographic alignment are provided to obtain an improved alignment system and an improved method of a lithography system. A substrate preparing process is performed to prepare a lower alignment mark structure for defining a lower trench region on a substrate(411). An applying process is performed to apply a hard mask coating having a top surface on the substrate. An exposing process is performed to expose parts of the hard mask coating to a dose of radiation in order to raise a top surface region of the hard mask coating located on the lower trench region in the lower alignment mark structure. As a result, the top surface region is higher than parts of the top surface adjacent to the top surface region of the hard mask coating. The hard mask coating is formed of amorphous carbon.
摘要翻译：提供了一种用于增强光刻对准的方法和系统，以获得改进的对准系统和光刻系统的改进方法。进行衬底制备工艺以制备用于限定衬底（411）上的下沟槽区域的下部对准标记结构。执行施加工艺以在基底上施加具有顶表面的硬掩模涂层。进行曝光处理以将硬掩模涂层的一部分暴露于一定量的辐射，以便提高位于下对准标记结构中的下沟槽区上的硬掩模涂层的顶表面区域。结果，顶表面区域高于与硬掩模涂层的顶表面区域相邻的顶表面的部分。硬掩模涂层由无定形碳形成。

2. 发明公开

KR20180021140A 기판에 마크 패턴을 전사하는 방법, 캘리브레이션 방법 및 리소그래피 장치 审中-公开
标题翻译：用于将标记图案转印到衬底上的方法，校准方法和光刻设备
公开(公告)号：KR20180021140A
公开(公告)日：2018-02-28
申请号：KR20187002405
申请日：2016-06-27
申请人： ASML NETHERLANDS BV
发明人： ABEN PAUL CORNELIS HUBERTUS , LALBAHADOERSING SANJAYSINGH , SCHOONUS JURGEN JOHANNES HENDERIKUS MARIA , DECKERS DAVID FRANS SIMON
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7019 , G03F7/70466 , G03F7/70516 , G03F7/70633 , G03F7/70683 , G03F9/708
摘要： 본발명은: a) 기준기판에제 1 마크패턴을제공하는단계; b) 기준기판상에제 1 레지스트층을제공하는단계 -상기제 1 레지스트층은제 1 레지스트의현상에필요한최소방사선도즈를가짐- ; c) 패터닝된방사선빔을형성하기위해, 방사선빔의단면에제 2 마크패턴을부여하는데 기준패터닝디바이스를이용하는단계; 및 d) 제 1 레지스트층의최소방사선도즈이상의누적된방사선도즈를받은제 2 마크패턴에따른제 1 레지스트층의타겟부내의노광영역들을생성하도록상기패터닝된방사선빔으로기준기판의제 1 레지스트층의타겟부를 n 번노광하는단계 -n은적어도 2의값을갖는정수임- 를포함하는방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括：a）在参考衬底上提供第一标记图案; b）在参考衬底上提供第一抗蚀剂层，第一抗蚀剂层具有显影第一抗蚀剂所需的最小辐射剂量; c）使用参考图案形成装置将第二标记图案赋予辐射束的横截面以形成图案化的辐射束; 并且d）第一辐射以产生暴露区域在所述第一抗蚀剂层的目标部分根据所述第二标记图案的图案化的束抗蚀剂的参考衬底的层接收到的第一抗蚀剂层的累积辐射剂量高于最小辐射剂量将目标部分的目标部分暴露n次具有至少2的值的整数。

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