专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101390609B1 반도체 자기 조성물과 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体磁性组合物及其制造方法
公开(公告)号：KR101390609B1
公开(公告)日：2014-04-29
申请号：KR1020087020730
申请日：2007-10-26
申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
发明人： 시마다타케시 , 토지카즈야
IPC分类号： C04B35/46 , H01C7/02
CPC分类号： H01C7/025 , C01G23/006 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , H01C7/045 , H01C17/06533 , H01G4/1227 , H01G7/06 , H01L21/31691 , H01L28/55
摘要： Pb를 함유하지 않고, 큐리 온도를 정의 방향으로 시프트할 수 있음과 함께, 실온 비저항의 상승을 최소한으로 억제하면서 높은 점프 특성을 얻을 수 있는 반도체 자기 조성물의 제공. 가소분중에 BaCO
3 및 TiO
2 가 일부 잔존하여 이루어지는, (BaR)TiO
3 또는 Ba(TiM)O
3 (R 및 M은 반도체화 원소)로 이루어지는 BT 가소분과, (BiNa)TiO
3 가소분으로 이루어지는 BNT 가소분의 혼합 가소분을 소결하여 이루어지고, BaTiO
3 의 Ba의 일부를 Bi-Na로 치환한 반도체 자기 조성물로 한다.
반도체 자기 조성물
摘要翻译：会同，不含有铅，能够在改变居里温度到正向，同时抑制到最小，在室温下的电阻率的增加而提供了一种半导体陶瓷组合物获得高的跳跃特性。在煅烧粉末中，BaCO

2. 发明公开

KR1020080063264A 반도체 자기 조성물 有权
标题翻译： SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION
公开(公告)号：KR1020080063264A
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020087002793
申请日：2005-08-11
申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
发明人： 시마다타케시 , 마츠모토케이 , 테라오코이치 , 토지카즈야 , 니시카와카즈히로
IPC分类号： C04B35/468
摘要： A BaTiO3 based semiconductor ceramic composition wherein without using Pb, the Curie temperature thereof can be shifted in the positive direction and further the resistivity thereof at room temperature thereof is markedly lowered. In this composition, a part of Ba is replaced with element A1 (at least one of Na, K, Li) and element A2 (Bi), and further Ba is replaced with a specified amount of element Q. Alternatively, a part of Ba is replaced with element A1 (at least one of Na, K, Li) and element A2 (Bi), and further a part of Ti is replaced with a specified amount of element M. Consequently, this composition realizes optimum atomic valence control and enables substantial drop of resistivity at room temperature, thereby being most suitable for use in a PTC thermistor, a PTC heater, a PTC switch, a temperature detector, etc., in particular, a heater for automobile or the like.
摘要翻译：一种BaTiO 3系半导体陶瓷组合物，其中，不使用Pb时，其居里温度可以向正方向移动，并且其室温下的电阻率进一步降低。在该组成中，一部分Ba被元素A1（Na，K，Li中的至少一种）和元素A2（Bi）代替，并且还将Ba替换为规定量的元素Q.或者，一部分Ba 被元素A1（Na，K，Li中的至少一种）和元素A2（Bi）代替，并且还将一部分Ti用特定量的元素M代替。因此，该组合实现了最佳的原子价控制，并且使得 PTC热敏电阻，PTC加热器，PTC开关，温度检测器等，特别是用于汽车等的加热器最为适用。

3. 发明授权

KR101118320B1 반도체 자기 조성물 失效
公开(公告)号：KR101118320B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：KR1020117024173
申请日：2005-08-11
申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
发明人： 시마다타케시 , 마츠모토케이 , 테라오코이치 , 토지카즈야 , 니시카와카즈히로
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/01
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3251 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6585 , H01G4/1227
摘要： 본발명은, BaTiO계반도체자기조성물에있어서, Pb를사용하는일 없이, 퀴리온도를정의방향으로시프트할수 있음과함께, 실온에서의저항률을대폭적으로저하시킨, 반도체자기조성물을제공하는것을목적으로한다. 본발명은, Ba의일부를 A1원소(Na, K, Li의적어도 1종)와 A2원소(Bi)로치환함과함께, 또한 Ba를특정량의 Q원소로치환하거나, Ba의일부를 A1원소(Na, K, Li의적어도 1종)와 A2원소(Bi)로치환함과함께, Ti의일부를특정량의 M원소로치환함으로써, 최적의원자가(原子價) 제어를할 수있고, 실온에서의저항률을대폭적으로저하시킬수 있고, PTC 서미스터, PTC 히터, PTC 스위치, 온도검지기등, 특히자동차용히터등의용도에최적이다.

4. 发明公开

KR1020110129958A 반도체 자기 조성물 失效
标题翻译： SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION
公开(公告)号：KR1020110129958A
公开(公告)日：2011-12-02
申请号：KR1020117024173
申请日：2005-08-11
申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
发明人： 시마다타케시 , 마츠모토케이 , 테라오코이치 , 토지카즈야 , 니시카와카즈히로
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/01
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3251 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6585 , H01G4/1227
摘要： 본 발명은, BaTiO
3 계 반도체 자기 조성물에 있어서, Pb를 사용하는 일 없이, 퀴리 온도를 정의 방향으로 시프트할 수 있음과 함께, 실온에서의 저항률을 대폭적으로 저하시킨, 반도체 자기 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, Ba의 일부를 A1원소(Na, K, Li의 적어도 1종)와 A2원소(Bi)로 치환함과 함께, 또한 Ba를 특정량의 Q원소로 치환하거나, Ba의 일부를 A1원소(Na, K, Li의 적어도 1종)와 A2원소(Bi)로 치환함과 함께, Ti의 일부를 특정량의 M원소로 치환함으로써, 최적의 원자가(原子價) 제어를 할 수 있고, 실온에서의 저항률을 대폭적으로 저하시킬 수 있고, PTC 서미스터, PTC 히터, PTC 스위치, 온도 검지기 등, 특히 자동차용 히터 등의 용도에 최적이다.

5. 发明公开

KR1020120091432A 반도체 자기 조성물 失效
标题翻译：半导体瓷器组成
公开(公告)号：KR1020120091432A
公开(公告)日：2012-08-17
申请号：KR1020127017389
申请日：2005-08-11
申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
发明人： 시마다타케시 , 마츠모토케이 , 테라오코이치 , 토지카즈야 , 니시카와카즈히로
IPC分类号： C04B35/468 , H01C7/02
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3251 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6585 , H01G4/1227
摘要： 본 발명은, BaTiO
3 계 반도체 자기 조성물에 있어서, Pb를 사용하는 일 없이, 퀴리 온도를 정의 방향으로 시프트할 수 있음과 함께, 실온에서의 저항률을 대폭적으로 저하시킨, 반도체 자기 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, Ba의 일부를 A1원소(Na, K, Li의 적어도 1종)와 A2원소(Bi)로 치환함과 함께, 또한 Ba를 특정량의 Q원소로 치환하거나, Ba의 일부를 A1원소(Na, K, Li의 적어도 1종)와 A2원소(Bi)로 치환함과 함께, Ti의 일부를 특정량의 M원소로 치환함으로써, 최적의 원자가(原子價) 제어를 할 수 있고, 실온에서의 저항률을 대폭적으로 저하시킬 수 있고, PTC 서미스터, PTC 히터, PTC 스위치, 온도 검지기 등, 특히 자동차용 히터 등의 용도에 최적이다.
摘要翻译：本发明涉及生产BaTiO 3的方法

6. 发明公开

KR1020080026553A 전자 디바이스용 유전체 자기 조성물 无效
标题翻译：用于电子设备的电介质陶瓷组合物
公开(公告)号：KR1020080026553A
公开(公告)日：2008-03-25
申请号：KR1020077029949
申请日：2005-06-24
申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
发明人： 타다토모유키 , 니시카와카즈히로 , 토지카즈야 , 쿠라카즈히로 , 시마다타케시
IPC分类号： C04B35/465 , C04B35/50 , H01B3/12 , H01P7/10
摘要： This invention provides a dielectric ceramic composition for an electronic device that has a high specific permittivity Ir and a high Qf value, and a low temperature coefficient df at a resonance frequency, and can control the temperature coefficient df while maintaining the high Qf value. This dielectric ceramic composition is an LnAlO3-CaTiO3 dielectric ceramic composition. In this composition, the molar ratio between LnAlO3 and CaTiO3 is optimized, and Al is replaced with a small amount of Ga. The above constitution provides a structure comprising an LnAlGaO3-CaTiO3 solid solution as a main phase and an Al-Ga oxide solid solution as a second phase, an alpha-Al2O3 being substantially absent in the structure. Further, the temperature coefficient df can be controlled while maintaining the small temperature coefficient df at the resonance frequency and the high Qf value. ® KIPO & WIPO 2008
摘要翻译：本发明提供一种用于电子器件的电介质陶瓷组合物，其具有高的比介电常数Ir和高Qf值，以及谐振频率处的低温度系数df，并且可以在保持高Qf值的同时控制温度系数df。该介电陶瓷组合物是LnAlO3-CaTiO3介电陶瓷组合物。在该组成中，LnAlO 3与CaTiO 3的摩尔比优化，Al少量被Ga代替，上述结构提供了以LnAlGaO3-CaTiO3固溶体为主相，Al-Ga氧化物固溶体作为第二相，在结构中基本上不存在α-Al 2 O 3。此外，可以在将温度系数df保持在共振频率和高Qf值的同时，控制温度系数df。 ®KIPO＆WIPO 2008

7. 发明公开

KR1020080010388A 반도체 자기 조성물의 제조 방법 有权
标题翻译：生产半导体陶瓷组合物的方法
公开(公告)号：KR1020080010388A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：KR1020077022192
申请日：2006-03-31
申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
发明人： 시마다타케시 , 테라오코이치 , 토지카즈야
IPC分类号： C04B35/468 , H01L37/00
CPC分类号： H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B35/62695 , C04B35/6303 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6584 , C04B2235/96 , H01C7/025
摘要： [PROBLEMS] To provide a method for producing a semiconductor porcelain composition which can shift the Currie temperature to the positive direction without the use of Pb and can produce a semiconductor porcelain composition being markedly reduced in the resistivity at room temperature, and a method for producing a semiconductor porcelain composition which can impart uniform characteristics also to the interior of a material with no complicated heat treatment even if the material has a shape of a relatively great thickness. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A method for producing a semiconductor porcelain composition which has an empirical formula represented by [(Bi0.5Na0.5)x (Ba1-yRy)1-x]TiO3 (where R is at least one of La, Dy, Eu, Gd and Y), where x and y satisfy 0
摘要翻译： [问题]提供一种半导体陶瓷组合物的制造方法，其可以将Currie温度转变为正方向而不使用Pb，并且可以制造在室温下电阻率显着降低的半导体瓷组合物，以及生产方法即使材料具有相对较大的厚度的形状，也可以赋予材料内部不具有复杂热处理的均匀特性的半导体瓷组合物。用于解决问题的方法一种具有由[（Bi 0.5 Na 0.5）x（Ba 1-y R y）1-x] TiO 3表示的经验式的半导体瓷组合物的制造方法（其中R是La， Dy，Eu，Gd和Y），其中x和y满足0

8. 发明授权

KR101265369B1 반도체 자기 조성물 有权
公开(公告)号：KR101265369B1
公开(公告)日：2013-05-20
申请号：KR1020087002793
申请日：2005-08-11
申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
发明人： 시마다타케시 , 마츠모토케이 , 테라오코이치 , 토지카즈야 , 니시카와카즈히로
IPC分类号： C04B35/468
摘要： 본 발명은, BaTiO
3 계 반도체 자기 조성물에 있어서, Pb를 사용하는 일 없이, 퀴리 온도를 정의 방향으로 시프트할 수 있음과 함께, 실온에서의 저항률을 대폭적으로 저하시킨, 반도체 자기 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, Ba의 일부를 A1원소(Na, K, Li의 적어도 1종)와 A2원소(Bi)로 치환함과 함께, 또한 Ba를 특정량의 Q원소로 치환하거나, Ba의 일부를 A1원소(Na, K, Li의 적어도 1종)와 A2원소(Bi)로 치환함과 함께, Ti의 일부를 특정량의 M원소로 치환함으로써, 최적의 원자가(原子價) 제어를 할 수 있고, 실온에서의 저항률을 대폭적으로 저하시킬 수 있고, PTC 서미스터, PTC 히터, PTC 스위치, 온도 검지기 등, 특히 자동차용 히터 등의 용도에 최적이다.
반도체 자기 조성물

9. 发明授权

KR101189293B1 반도체 자기 조성물과 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体陶瓷组合物及其制造方法
公开(公告)号：KR101189293B1
公开(公告)日：2012-10-09
申请号：KR1020077024691
申请日：2006-04-28
申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
发明人： 시마다타케시 , 테라오코이치 , 토지카즈야
IPC分类号： C04B35/468 , H01C7/02
CPC分类号： C04B35/4682 , C01G23/006 , C01G29/006 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C04B35/62635 , C04B35/62645 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B35/6303 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/96 , H01C7/025 , H01C17/06533 , H01G4/1227
摘要： 본 발명은 BaTiO
3 의 Ba의 일부를 Bi-Na로 치환한 반도체 자기 조성물에 있어서, 가소 공정에서의 Bi의 휘산을 억제하고, Bi-Na의 조성 어긋남을 방지하여 이상(異相)의 생성을 억제하고, 실온에서의 저항률을 더욱 저하시킴과 함께, 퀴리 온도의 편차를 억제할 수 있는 반도체 자기 조성물과 그 제조 방법을 제공하는 것으로 이를 위한 수단으로서,
(BaQ)TiO
3 가소분(Q는 반도체화 원소)과 (BiNa)TiO
3 가소분을 제각기 준비하고, (BaQ)TiO
3 조성물은 비교적 고온에서, (BiNa)TiO
3 조성물은 비교적 저온에서, 각각에 응한 최적 온도로 가소함에 의해, Bi의 휘산이 억제되고, Bi-Na의 조성 어긋남을 방지하여 이상의 생성을 억제할 수가 있고, 그들 가소분을 혼합하여, 성형, 소결함에 의해, 실온에서의 저항률이 낮고, 퀴리 온도의 편차가 억제된 반도체 자기 조성물을 얻을 수 있다.

10. 发明公开

KR1020090007283A 반도체 자기 조성물 有权
标题翻译： SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION
公开(公告)号：KR1020090007283A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：KR1020087020860
申请日：2007-02-27
申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
发明人： 시마다타케시 , 토지카즈야
IPC分类号： C04B35/46 , H01C7/02
CPC分类号： H01C7/025 , C01G23/002 , C01G23/006 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B35/62818 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/608 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/85 , C04B2235/9661
摘要： A semiconductor ceramic composition that does not contain Pb, being capable of not only shifting of the Curie temperature toward the positive direction but also controlling of room temperature specific resistance, and that exhibits excellent jump characteristics. There is provided a semiconductor ceramic composition having portion of the Ba of BaTiO3 replaced by Bi-Na, which semiconductor ceramic composition contains crystals wherein within crystal grains, the composition of center portion is different from that of outer shell portion. The semiconductor ceramic composition realizes controlling of room temperature specific resistance and enhancing of jump characteristics, so that it is most suitable for use in a PTC thermistor, PTC heater, PTC switch, temperature detector, etc.
摘要翻译：不含Pb的半导体陶瓷组合物不仅能够朝向正方向移动居里温度，而且能够控制室温电阻率，并且具有优异的跳跃特性。提供了一种半导体陶瓷组合物，其中BaTiO 3的Ba部分被Bi-Na替代，该半导体陶瓷组合物含有晶体，其中在晶粒内部，中心部分的组成与外壳部分的组成不同。半导体陶瓷组合物实现了室温电阻率的控制和跳跃特性的提高，因此最适用于PTC热敏电阻，PTC加热器，PTC开关，温度检测器等。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式