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1. 发明授权

KR100244253B1 파일럿 신호 검출회로 失效
标题翻译：引航信号检测电路
公开(公告)号：KR100244253B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970049211
申请日：1997-09-26
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김성렬
IPC分类号： H04N5/12
摘要： 본 발명은 파일럿(Pilot) 신호 검출회로에 관한 것으로서 특히, 방송시에 오동작을 방지하는데 적당한 파일럿 신호 검출회로에 관한 것으로서, 파일럿 신호를 검출하는 스테레오 PLL 및 듀얼 PLL과, 상기 스테레오 PLL 및 듀얼 PLL에서 검출된 파일럿 신호를 비교하는 비교부와, 상기 비교부의 출력을 로직으로 처리하여 출력을 재편하는 로직 IC부와, 상기 로직 IC부의 결과로 동작되는 디코더부와, 그리고 상기 디코더부의 출력을 가지고 오디오 신호를 조합하는 메트릭스부를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.

2. 发明公开

KR1020000001657A 신호압축장치 失效
标题翻译：压缩信号装置
公开(公告)号：KR1020000001657A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980022019
申请日：1998-06-12
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김성렬
IPC分类号： H03M7/30
CPC分类号： H03G7/08 , H03F1/30 , H03G1/04
摘要： PURPOSE: A device for compressing signals is provided to increase a transmission efficiency by limiting an output on an over-input and to generate a stable output by a temperature compensation. CONSTITUTION: The signal compressing device comprises: an amplifier(22) which is serially connected to an input resistor(21) and outputting by amplifying an input signal with constant gain; and a gain control portion(23) being connected between the input terminal and the output terminal of the amplifier, for rectifying a signal in a predetermined bandwidth of the output signals of the amplifier, and for outputting a control signal which constantly controls the gain of the amplifier by compensating the temperature of the rectified signal.
摘要翻译：目的：提供一种用于压缩信号的装置，通过限制过输入的输出并通过温度补偿产生稳定的输出来提高传输效率。构成：信号压缩装置包括：放大器（22），其串联连接到输入电阻器（21）并通过放大具有恒定增益的输入信号来输出; 以及连接在放大器的输入端子和输出端子之间的增益控制部分（23），用于对放大器的输出信号的预定带宽中的信号进行整流，并输出持续控制放大器的增益的控制信号放大器通过补偿整流信号的温度。

3. 发明授权

KR100216264B1 전화기의 통화 제어 장치 失效
标题翻译：电话控制装置
公开(公告)号：KR100216264B1
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019960028085
申请日：1996-07-12
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김성렬
IPC分类号： H04M3/22
摘要： 본 발명은 전화기의 통화 제어 장치에 관한 것으로, 교환길부터의 신호를 전송하기 위한 전화 회선(L1, L2)이 훅 스위치(340)와 신호 검출기(350)에 접속되고, 상기 신호 검출기(350)에 입력되도록 구성되며, 훅 스위치(340)의 온·오프에 따른 출력 신호(B)가 마이컴(330)과 논리 회로(360)에 각각 입력되도록 구성되고, 상기의 신호(B)를 입력되는 논리 회로(360)에서는 발광 다이오드 구동신호(E)가 출력되어 발광 다이오드 구동부(370)에 입력되도록 구성되고, 마이컴(330)은 논리 회로(360) 및 훅 스위치(340)로부터 신호(B, F)를 입력받아 LCD 패널(310) 및 송수화기 (320)로 소정의 제어 신호를 출력하도록 구성되어, 미사용 전화기에 부여된 발광 다이오드를 점등하여 통화중임을 표시함과 동시에 미사용 전화기의 내부 회선을 오프시켜 미사용 전화기의 송수화기에 통화 내� �이 출력되지 않도록 함으로써 통화 내용이 외부에 노출되지 않도록 하는 효과가 제공된다.

4. 发明公开

KR1019990026896A 파일럿 신호 검출회로 失效
标题翻译：导频信号检测电路
公开(公告)号：KR1019990026896A
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019970049211
申请日：1997-09-26
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김성렬
IPC分类号： H04N5/12
摘要： 본 발명은 파일럿(Pilot) 신호 검출회로에 관한 것으로서 특히, 방송시에 오동작을 방지하는데 적당한 파일럿 신호 검출회로에 관한 것으로서, 파일럿 신호를 검출하는 스테레오 PLL 및 듀얼 PLL과, 상기 스테레오 PLL 및 듀얼 PLL에서 검출된 파일럿 신호를 비교하는 비교부와, 상기 비교부의 출력을 로직으로 처리하여 출력을 재편하는 로직 IC부와, 상기 로직 IC부의 결과로 동작되는 디코더부와, 그리고 상기 디코더부의 출력을 가지고 오디오 신호를 조합하는 메트릭스부를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.

5. 发明公开

KR1019990011646A 파일럿신호 검출장치 失效
标题翻译：导频信号检测装置
公开(公告)号：KR1019990011646A
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019970034827
申请日：1997-07-25
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김성렬
IPC分类号： G11B20/10
摘要： 본 발명은 파일럿신호 검출장치에 관한 것으로, 종래 장치는 피엘엘부가 비동기상태에서 방전할 때 충방전부의 시정수에 의해 스테레오모드와 듀얼모드가 공존하여 오동작을 유발할 수 있는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 특정밴드만을 통과시키는 밴드패스필터부와; 상기 밴드패스필터부에서 출력된 신호를 입력받아 에이엠 복조하여 파일럿신호를 검출하는 에이엠검출부와; 상기 에이엠검출부의 파일럿신호를 입력받아 이를 스테레오모드의 파일럿신호를 복조하는 스테레오피엘엘부와; 상기 에이엠검출부의 파일럿신호를 입력받아 이를 듀얼모드의 파일럿신호를 복조하는 듀얼피엘엘부와; 상기 스테레오피엘엘부의 파일럿신호나 상기 듀얼피엘엘부의 파일럿신호를 입력받아 이를 제1,제2 임계전압과 비교하여 그에 따른 안정된 동기를 구현하거나 비동기시 빠르게 로직을 천이하는 비교부와; 상기 비교부의 신호를 입력받아 이를 모드 선택신호에 따라 디코딩하여 신호를 출력하는 디코더와; 상기 디코더의 신호에 따라 원하는 형태의 오디오를 출력하는 매트릭스와; 상기 디코더의 신호를 입력받아 그 출력정보를 디스플레이하는 마이크로컴퓨터로 구성하여 두 개의 임계전압으로 동기시 및 비동기시 로직천이를 빠르게 구현함으로써 두 개의 모드가 공존하지 않게 되며 또한 동기시에도 안정하게 동작되므로 마이크로컴퓨터의 피이드백 제어가 필요하지 않아 회로를 간단하게 구성할 수 있는 효과가 있다.

6. 发明授权

KR100108894B1 반도체메모리 장치 및 그 제조방법 失效
标题翻译：半导体存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100108894B1
公开(公告)日：1996-12-06
申请号：KR1019930008694
申请日：1993-05-20
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김성렬
IPC分类号： H01L27/108

7. 发明授权

KR100301805B1 신호압축장치 失效
标题翻译：信号压缩设备
公开(公告)号：KR100301805B1
公开(公告)日：2001-09-22
申请号：KR1019980022019
申请日：1998-06-12
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김성렬
IPC分类号： H03M7/30
摘要： 과도한 입력신호에 대해 출력신호를 제한하여 안정된 출력신호를 얻기 위해 온도보상기능의 자동레벨제어부를 구성하여 과도한 입력신호에 대해서는 안정된 출력신호를 얻을 수 있는 신호압축장치를 제공하기 위한 것으로써, 입력저항, 상기 입력저항에 직렬연결되어 입력신호에 대해 일정한 이득으로 증폭하여 출력하는 연산증폭기와, 상기 연산증폭기의 출력신호에서 특정대역의 신호만을 출력하는 대역통과필터와, 상기 대역통과필터의 출력신호를 정류시키는 정류기와, 상기 정류신호와 기준신호를 비교하여 과도한 입력신호에 대해 상기 연산증폭기의 출력신호를 제한하고, 상기 출력신호 제한시 온도보상을 통해 상기 연산증폭기의 이득제어를 위한 제 1 제어신호를 출력하는 자동레벨제어부, 상기 제 1 제어신호에 의해 이득이 결정되며 상기 연산증폭기가 일정한 이득으로 상기 입력신호를 증폭하도록 상기 연산증폭기의 입력단에 제 2 제어신호를 출력하는 오퍼레이셔널 트랜스컨덕턴스 앰프리파이어를 포함하여 포함하여 구성된다.

8. 发明授权

KR100293444B1 씨모스트랜지스터의제조방법 失效
公开(公告)号：KR100293444B1
公开(公告)日：2001-09-17
申请号：KR1019930004338
申请日：1993-03-20
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김성렬
IPC分类号： H01L27/08
摘要： PURPOSE: A fabrication method of a CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) transistor is provided to simplify a fabricating process of a CMOS transistor by forming a LDD(Lightly Doped Drain) in place after tapered etching a polysilicon for a gate formation. CONSTITUTION: An n-type semiconductor layer(2) is formed on a selective region of a p-type substrate(1), a field oxide layer(3) is formed on the boundary surface the p-type substrate(1) and the n-type semiconductor layer(2). A first insulating layer(4), a first conductor(5) are formed on an exposed surface sequentially and p-type impurity is implanted on the first conductor for tapered etching. A first conductor pattern having a side of a sloped shape is formed by masking selectively a gate region only, and by tapered etching the exposed first conductor and the first insulating layer. An n-type source/drain region(12) is formed by implanting the n-type impurity of a high density on the first substrate(1). An n-type LDD region is formed on the exposed substrate(1). The first conductor pattern having a side of a sloped shape is formed by masking selectively a gate region, and by tapered etching the exposed first conductor and the first insulating layer. A p-type source/drain region(15) of a high density is formed by implanting the p-type impurity of a high density on the first semiconductor layer(2). A 9-type LDD region is formed by implanting a p-type impurity on the exposed semiconductor layer(2). A second insulating layer(16) is formed on the resultant structure to insulate the gate.

9. 发明授权

KR100215883B1 플래쉬 메모리 소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译：一种闪存存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100215883B1
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019960037838
申请日：1996-09-02
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 최종무 , 김성렬 , 박영근
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/115 , H01L29/66825
摘要： 본 발명은 플래쉬 메모리 소자에 관한 것으로 특히, 소거특성 개선 및 소자의 신뢰도 향상에 적당하도록 한 플래쉬 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이와 같은 본 발명의 플래쉬 메모리 소자는 반도체 기판; 상기 반도체 기판에 일정 간격을 갖고 일방향으로 형성되는 복수개의 고농도 불순물 영역; 상기 고농도 불순물 영역과 교차하도록 상기 반도체 기판상에 형성되는 복수개의 격리영역; 상기 격리영역 및 고농도 불순물 영역 사이에 일정간격으로 형성되는 복수개의 부유 게이트; 상기 격리영역과 동일한 방향의 상기 부유 게이트상에 격리 영역 사이 사이에 지나가는 형상으로 형성되는 복수개의 제어 게이트 라인; 그리고, 상기 제어 게이트 라인과 교차하도록 형성되고 부유 게이트 상층으로 부유 게이트 보다 좁은 폭을 갖도록 형성되는 소거 게이트 라인을 포함하여 구성된다.

10. 发明授权

KR100215862B1 반도체 소자의 캐패시터 구조 및 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100215862B1
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019960006562
申请日：1996-03-12
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김성렬
IPC分类号： H01L27/108
摘要： 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 적층형 캐패시터 하부에 터널형의 2차 캐패시터를 만들어 캐패시터의 용량을 확장 가능하게 하여 초고집적 디바이스에 적합하도록 환 반도체 소자의 캐패시터 구조 및 제조방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명 일실시예의 반도체 소자의 캐패시터는 필드 영역의 게이트 전극과 활성 영역의 게이트 전극 사이 양측벽 소정 영역에 형성되는 절연막과, 그 사이에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층 내부에 수직형의 제 1, 제 2 터널 산화막과, 상기 반도체층과 터널 산화막 표면에 유전체막과, 상기 유전체막 위와 터널 산화막내에 형성된 플레이트 전극층으로 구성되는 것을 특징으로 한다.

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