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1. 发明公开

KR1020110070410A 주파수 혼합기 失效
标题翻译：频率混频器
公开(公告)号：KR1020110070410A
公开(公告)日：2011-06-24
申请号：KR1020090127219
申请日：2009-12-18
申请人： 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 강윤모 , 안희우 , 윤태열 , 김창선 , 노예철 , 최성훈
IPC分类号： H03D7/00
CPC分类号： H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D2200/0025 , H03D2200/0043 , H03D2200/0084
摘要： PURPOSE: A frequency mixer is provided to improve noise figure, by increasing conversion gain frequency bandwidth. CONSTITUTION: A transconductance stage(110) outputs a current corresponding to a voltage of an RF signal. A switching stage(120) switches the current outputted from the transconductance stage in response to a local oscillator signal. A load terminal(140) is connected between the switching stage and a power source port. A current bleeding stage(130) is connected between the switching stage and power source port. The current bleeding stage has one resonance inductor to remove noise generated from a bleeding current source. A bias stage(150) has one or more current source for stable current flow on the transconductance stage.
摘要翻译：目的：通过增加转换增益频率带宽，提供混频器来提高噪声系数。构成：跨导级（110）输出与RF信号的电压相对应的电流。开关级（120）响应于本地振荡器信号切换从跨导级输出的电流。负载端子（140）连接在开关级与电源端口之间。在开关级和电源端口之间连接有电流出流级（130）。目前的出血阶段有一个谐振电感来消除由出血电流源产生的噪声。偏置级（150）具有用于在跨导级上稳定电流流动的一个或多个电流源。

2. 发明公开

KR1020100026332A 주파수 대역의 가변이 가능한 역 에프 안테나 无效
标题翻译：反转双臂操作天线
公开(公告)号：KR1020100026332A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：KR1020080085303
申请日：2008-08-29
申请人： 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 윤태열 , 송창욱 , 백규태 , 임종혁 , 정영배 , 전순익
IPC分类号： H01Q13/08 , H01Q3/24
CPC分类号： H01Q9/0421 , H01Q1/243 , H01Q1/38 , H01Q5/314 , H01Q9/0414 , H01Q13/10
摘要： PURPOSE: An inverted F antenna is provided to vary a frequency band without the increase of the size by changing a feeding method through a switch. CONSTITUTION: First and second radiators(11,13) are formed with a plate type. A first radiator is arranged in parallel to a ground plane(12). A second radiator is arranged in parallel to the ground surface and the first radiator. A feeding unit(14) is connected to the first radiator to supply the current to the first radiator. A short circuit unit(15) shorts the first radiator and the ground surface. A switch(16) selectively shorts the ground surface and the second radiator. The switch is one of a semiconductor switch, an MEMS(Micro Electro Mechanical System) switch, and a mechanical switch.
摘要翻译：目的：通过改变通过开关的馈送方法，提供倒置的F天线来改变频带而不增加大小。构成：第一和第二散热器（11,13）形成有板式。第一散热器与地平面（12）平行布置。第二散热器与地面和第一散热器平行布置。馈送单元（14）连接到第一辐射器以将电流提供给第一辐射器。短路单元（15）使第一个散热器和地面短路。开关（16）选择性地使地面和第二辐射体短路。该开关是半导体开关，MEMS（微机电系统）开关和机械开关之一。

3. 发明授权

KR101043668B1 능동 인덕터 失效
标题翻译：主动电感器
公开(公告)号：KR101043668B1
公开(公告)日：2011-06-24
申请号：KR1020090018429
申请日：2009-03-04
申请人： 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 김창선 , 박장현 , 최성훈 , 윤태열 , 김영민
IPC分类号： H03H11/50 , H03H11/48
摘要： 본 발명은 능동 인덕터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 접지 능동 인덕터에 관한 것이다.
본 발명에 따른 능동 인덕터는, 전원(VDD)에 일단이 연결된 전류원과, 전류원의 타단에 드레인이 연결되고 접지에 소스가 연결된 제 1 MOSFET와, 전원에 드레인이 연결되고 전류원의 타단에 게이트가 연결되고 제 1 MOSFET의 게이트에 소스가 연결된 제 2 MOSFET와, 제 1 MOSFET의 게이트에 일단이 연결되고 접지에 타단이 연결된 저항과, 전류원의 타단에 일단이 연결되고 접지에 타단이 연결된 버랙터(varactor)를 포함한다.
능동 인덕터(active inductor), 버랙터(varactor), RFIC(Radio Frequency integrated Circuits)

4. 发明公开

KR1020110051124A 저잡음 증폭기 失效
标题翻译：低噪音放大器
公开(公告)号：KR1020110051124A
公开(公告)日：2011-05-17
申请号：KR1020100032294
申请日：2010-04-08
申请人： 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 박장현 , 김창선 , 노예철 , 윤태열 , 박현규 , 이지영
IPC分类号： H03F1/26 , H03F1/34
CPC分类号： H03F1/26 , H03F1/223 , H03F1/347 , H03F3/193 , H03F2200/294 , H03F2200/36 , H03F2200/411
摘要： PURPOSE: A low noise amplifier is provided to reduce a noise and generation of heat in a state of expanding a bandwidth by forming a negative feedback which a resistance element is removed. CONSTITUTION: A common gate amplifier circuit(120) amplifies a signal of a first node(N1). The command gate amplifier circuit transmits the amplified signal to a second node(N2). The first node receives an AC(Alternating Current) element of an input signal. The common gate amplifier circuit includes an input capacitor(Cin), a bias inductor(Lb), and a first transistor(TR1). A negative feedback amplifier(140) amplifies a signal of a second node. The negative feedback amplifier circuit transmits the amplified signal to a third node(N3). The negative feedback amplifier circuit forms a second node and a third node.
摘要翻译：目的：提供一种低噪声放大器，通过形成消除电阻元件的负反馈，在带宽扩大的状态下降低噪音和产生热量。构成：公共栅极放大器电路（120）放大第一节点（N1）的信号。命令门放大器电路将放大的信号发送到第二节点（N2）。第一节点接收输入信号的AC（交流）元件。公共栅极放大器电路包括输入电容器（Cin），偏置电感器（Lb）和第一晶体管（TR1）。负反馈放大器（140）放大第二节点的信号。负反馈放大器电路将放大的信号发送到第三节点（N3）。负反馈放大器电路形成第二节点和第三节点。

5. 发明授权

KR100879270B1 밀리미터파 전압 제어 발진기 失效
标题翻译：毫伏波电压控制振荡器
公开(公告)号：KR100879270B1
公开(公告)日：2009-01-19
申请号：KR1020070085056
申请日：2007-08-23
申请人： 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 김창선 , 차진종 , 윤병진 , 윤태열 , 김성준 , 최성훈
IPC分类号： H03B5/08
CPC分类号： H03B5/1243 , H03B5/1212 , H03B5/1218 , H03B5/24 , H03B2201/0208
摘要： The millimeter wave voltage control oscillator is provided to remarkably lower the minimum capacitance value by using varactor and to expand the output frequency to the millimeter wave of the band of 30GHz. The voltage control oscillator comprises the LC resonator(602), and the attenuator(603) and current supply unit(604). The LC resonator comprises a plurality of inductors and varactor(601). When the inductance value of the inductors is fixed, the LC resonator varies the capacitance value through varactor. The LC resonator produces the oscillation signal. By utilizing the negative trans conductance(Gm) property, the attenuator attenuates the parasitic resistance component included in the oscillation signal of the LC resonator. The output of the voltage control oscillator is maintained in the specified level by the attenuator. The current supply unit performs the function of the current sinker. The voltage control oscillator varies the input voltage of varactor.
摘要翻译：提供毫米波电压控制振荡器通过使用变容二极管显着降低最小电容值，并将输出频率扩展到30GHz频带的毫米波。电压控制振荡器包括LC谐振器（602）和衰减器（603）和电流供应单元（604）。 LC谐振器包括多个电感器和变容二极管（601）。当电感器的电感值固定时，LC谐振器通过变容二极管改变电容值。 LC谐振器产生振荡信号。通过利用负反电导（Gm）特性，衰减器衰减包括在LC谐振器的振荡信号中的寄生电阻分量。电压控制振荡器的输出通过衰减器保持在指定的电平。电流供应单元执行电流沉降片的功能。电压控制振荡器可以改变变容二极管的输入电压。

6. 发明授权

KR101327551B1 저잡음 증폭기 失效
标题翻译：低噪音放大器
公开(公告)号：KR101327551B1
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：KR1020100032294
申请日：2010-04-08
申请人： 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 박장현 , 김창선 , 노예철 , 윤태열 , 박현규 , 이지영
IPC分类号： H03F1/26 , H03F1/34
摘要： 본 발명에 따른 저잡음 증폭기는, 입력 신호의 AC 성분이 제공되는 입력 노드의 신호를 증폭하여 증폭 노드로 전달하는 공통 게이트 증폭 회로, 및 상기 증폭 노드의 신호를 증폭하여 출력 노드로 전달하고, 부궤환을 형성하기 위하여 상기 증폭 노드와 상기 출력 노드 사이에 직렬 연결된 피드백 캐패시터와 피드백 인덕터를 갖는 부궤환 증폭 회로를 포함한다. 본 발명에 따른 저잡음 증폭기는 저항 성분이 제거된 부궤환을 구현함으로써, 대역폭을 확장하면서도 잡음 및 발열을 줄일 수 있다.

7. 发明授权

KR100812228B1 밀러 효과를 이용한 이중 평형 주파수 혼합기 失效
标题翻译：双平衡频率混合器使用米勒效应
公开(公告)号：KR100812228B1
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：KR1020070042187
申请日：2007-04-30
申请人： 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 이영재 , 서정배 , 신재훈 , 윤태열 , 김천수
IPC分类号： H03D7/00
摘要： A double balanced frequency mixer using a miller effect is provided to improve an integration of a chip by minimizing a noise generated from a constant current source using a miller effect and reducing a total chip area. A double balanced frequency mixer using a miller effect includes amplifying transistors(M11,M12), switching transistors(M13-M16), a constant current source(IBIAS), and buffers(B1,B2). The amplifying transistors amplify RF+ signal and RF- signal having a complementary phase inputted to a gate electrode, and output the amplified signal to a drain electrode. The switching transistors are connected to the drain electrode of the amplifying transistors in a symmetrically parallel. The switching transistors switch the amplified RF+ and RF- signals outputted from the drain electrode of the amplifying transistors in response to an LO+ signal and an LO- signal having a complementary phase. The switching transistors output complementary IF+ and IF- signals. The constant current sources have first and second transistors of which first and second capacitors are connected to the gate electrode. The constant current sources provide a current to the amplifying transistor through the first and second transistors in response to a power voltage. The buffers feedback a part of the IF+ and IF- signals outputted from the switching transistors to the first and second capacitors connected to the gate electrode of the first and second transistors.
摘要翻译：提供了使用磨机效应的双平衡混频器，以通过使用米勒效应最小化从恒定电流源产生的噪声并减少总芯片面积来改善芯片的集成。使用米勒效应的双平衡混频器包括放大晶体管（M11，M12），开关晶体管（M13-M16），恒流源（IBIAS）和缓冲器（B1，B2）。放大晶体管放大具有输入到栅电极的互补相的RF +信号和RF信号，并将放大的信号输出到漏电极。开关晶体管以对称平行的方式连接到放大晶体管的漏电极。响应于LO +信号和具有互补相位的LO信号，开关晶体管切换从放大晶体管的漏电极输出的放大的RF +和RF信号。开关晶体管输出互补的IF +和IF-信号。恒流源具有第一和第二晶体管，其中第一和第二电容器连接到栅电极。恒定电流源响应于电源电压，通过第一和第二晶体管向放大晶体管提供电流。缓冲器将从开关晶体管输出的IF +和IF信号的一部分反馈到连接到第一和第二晶体管的栅电极的第一和第二电容器。

8. 发明授权

KR101279986B1 주파수 혼합기 失效
标题翻译：混频器
公开(公告)号：KR101279986B1
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020090127219
申请日：2009-12-18
申请人： 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 강윤모 , 안희우 , 윤태열 , 김창선 , 노예철 , 최성훈
IPC分类号： H03D7/00
CPC分类号： H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D2200/0025 , H03D2200/0043 , H03D2200/0084
摘要： 본 발명에 따른 주파수 혼합기는, 알에프 신호를 입력받고, 상기 알에프 신호의 전압에 대응하는 전류를 출력하는 트랜스컨덕턴스단, 상기 알에프 신호를 중간 주파수 신호로 변조하기 위하여 상기 트랜스컨덕턴스단으로부터 출력된 상기 전류를 국부 발진 신호에 응답하여 스위칭하는 스위칭단, 상기 스위칭단과 전원 단자 사이에 연결된 부하단, 상기 스위칭단과 상기 전원 단자 사이에 연결되고, 상기 알에프 신호를 입력받아 상기 트랜스컨덕턴스단과 상보적으로 활성화됨으로써 블리딩 전류원을 발생하고, 상기 블리딩 전류원에 발생하는 잡음 제거를 위한 하나의 공진 인덕터를 갖는 커런트 블리딩단, 및 상기 트랜스컨덕턴스단과 접지 사이에 연결되고, 상기 트랜스컨덕턴스단에 안정적인 전류 흐름을 위한 적어도 하나의 전류원을 갖는 바이어스단을 포함한다. 본 발명의 주파수 혼합기는, 트랜스컨덕턴스단과 인버터 구조의 커런트 블리딩단을 구비함으로써, 변환 이득 및 주파수 대역을 증가시킨다. 또한, 본 발명의 주파수 혼합기는 하나의 공진 인덕터로 구현된 커런트 블리딩단을 구비함으로써 잡음 특성을 향상시키면서도 점유 면적을 최소화시키고, 스위칭 바이어스를 통하여 잡음을 제거할 수 있다.
주파수 혼합기, 변환 이득, 커런트 블리딩, 공진 인덕터, 스위칭 바이어스
摘要翻译：混频器在根据本发明，接收RF信号，其输出的电流对应于RF信号，其中，从所述跨导级的RF信号的电流输出来调制中频信号的电压跨导级连接在切换单元和电源端子之间的切换单元，连接在切换单元和电源单元之间的切换单元，切换单元接收RF信号并且与跨导单元互补地激活，产生的电流源，并且被连接在电流释放阶段之间，并且所说跨导级和地具有用于发生的释放电流源中的噪声减少，至少一个电流源为电流到跨导级的稳定流量的单个谐振电感＆lt; 它包括舞台。本发明的混频器包括逆变器结构的跨导级和电流泄放级，由此增加转换增益和频带。此外，本发明的混频器具有由单个谐振电感器实现的电流放电阶段，从而使占用面积最小化，同时改善噪声特性，并通过开关偏置消除噪声。

9. 发明公开

KR1020100099873A 능동 인덕터 失效
标题翻译：主动电感器
公开(公告)号：KR1020100099873A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：KR1020090018429
申请日：2009-03-04
申请人： 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 김창선 , 박장현 , 최성훈 , 윤태열 , 김영민
IPC分类号： H03H11/50 , H03H11/48
CPC分类号： H03H11/48 , H01L27/02 , H01L27/04 , H03B5/08
摘要： PURPOSE: An active inductor is provided to vary the Q-factor, inductance, magnetic-resonance frequency of inputted impedance by maintaining the total consumption amount of a current while voltages in both ends of a varactor are varied. CONSTITUTION: Current source(I1) is connected between a VDD and a V2 node. The current source is composed of a p-metal oxide semiconductor field effect transistor(MOSFET). The amount of a current is controlled by a voltage applied to the gate of the p-MOSFET. A first n-MOSFET(M1) includes a drain connected with the V2 node, a source connected with a ground, and a gate connected with a V1 node. A second n-MOSFET(M2) includes a drain connected with the VDD, a source connected with the V1 node, and a gate connected with one end of a first resistance(R1). The first resistance is connected between the V2 node and the second n-MOSFET. A second resistance(R2) is connected between the V1 node and the ground. A varactor(Cvar1) is connected between the V2 node and the ground.
摘要翻译：目的：提供有源电感器，通过在变容二极管两端的电压变化的同时保持电流的总消耗量来改变输入阻抗的Q因子，电感，磁共振频率。构成：电流源（I1）连接在VDD和V2节点之间。电流源由p金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）组成。电流的量由施加到p-MOSFET的栅极的电压控制。第一n-MOSFET（M1）包括与V2节点连接的漏极，与地连接的源极和与V1节点连接的栅极。第二n-MOSFET（M2）包括与VDD连接的漏极，与V1节点连接的源极和与第一电阻（R1）的一端连接的栅极。第一个电阻连接在V2节点和第二个n-MOSFET之间。第二个电阻（R2）连接在V1节点和地之间。变容二极管（Cvar1）连接在V2节点和地之间。

10. 发明授权

KR100976724B1 주파수 대역의 가변이 가능한 역 에프 안테나 失效
标题翻译：反转双臂操作天线
公开(公告)号：KR100976724B1
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：KR1020080085304
申请日：2008-08-29
申请人： 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 윤태열 , 백규태 , 송창욱 , 임종혁 , 정영배 , 전순익
IPC分类号： H01Q13/08 , H01Q3/24
摘要： 본 발명은 역 에프 안테나에 관한 것으로서, 단락 수단의 캐패시턴스 특성을 달라지게 함으로써 안테나의 주파수 대역을 가변하고자 한다. 이를 위하여 본 발명은 접지면과, 접지면과 이격되어 배치되는 방사체와, 방사체에 전류를 공급하는 급전 수단과, 접지면과 방사체를 연결하는 단락 수단과, 공급되는 전압에 따라 단락 수단의 캐패시턴스 특성을 달라지게 하며 단락 수단에 부착되는 튜닝 소자를 포함한다.
역 에프 안테나, PIFA(Planar Inverted F Antenna), 튜닝 다이오드, 듀얼 밴드

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