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1. 发明授权

KR100148418B1 무전압 광쌍안정 논리소자 失效
标题翻译：非偏光光学可移动逻辑器件
公开(公告)号：KR100148418B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019940030617
申请日：1994-11-21
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 최영완 , 권오균 , 김광준 , 이일항
IPC分类号： H01L27/12 , H01J40/14
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 본 발명은 외부전원 인가없이도 광 쌍안정을 크게 증가시켜 일반적인 역방향 전압을 필요로 하는 광 논리소자에서의 문제점을 제거할 수 있는 AFP ESQW S-SEED(AE-SEED)또는 AFP ACQW SEED(AA-SEED)등의 무전압 광 쌍안정 논리장치의 제작을 매우 간결하면서도 효율적으로 할수 있는 소자구조(lay-out)를 제시하였다.
종래의 S-SEED및 2차원 배열은 전압인가를 위하여 따로 금속선과 금속패드를 필요로 하였다.
그러나 충분히 큰 무전압 광 쌍안정이 가능한 AE-SEED또는 AA-SEED및 그들의 2차원 배열에서는 무전안 광 쌍안정 S-SEED를 구성하는 데에 필요한 금속선 연결을 제외한 일반적인 구조에서 필요로 하는 나머지 금속선과 금속패드를 제거하고 쉽게 제작될 수 있다는 것을 본 발명은 보이고 있다.
이러한 구조를 더욱 효율적으로 하기 위해서 본 발명에서 제시하는 구도는 두개의 PIN 다이오드 SEED를 서로 반대방향으로 마주보게 하여 각 SEED의 p-층과 n-층의 거리를 극소화하여 2차원 배열의 집적도를 증가시킬 수 있고,불필요한 수동요소를 극소화시킨 구조도 포함되어 있다.

2. 发明授权

KR100125014B1 초고속 광스위칭 소자 失效
标题翻译：高速开关元件
公开(公告)号：KR100125014B1
公开(公告)日：1997-12-01
申请号：KR1019930013359
申请日：1993-07-15
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 한선규 , 이종태 , 유병수 , 정태형 , 최영완 , 박병운 , 이일항
IPC分类号： G02F1/01
CPC分类号： G02F1/01716 , B82Y20/00 , G02F2001/01733
摘要： Disclosed is a ultra-high speed optic switching device including a first quantum well structure(1) and a second quantum well structure(2). The first and second quantum well structures(1, 2) have different energy gap each other. The first quantum well structure(1) absorbs a bleaching phenomenon of a long time band. The first quantum well structure(1) has the same long time constant as the second quantum well structure(2). The long time bleaching phenomenon of the first quantum well structure(1) is as same as the long time absorption phenomenon of the second quantum well structure(2). Thus, the switching can be used for the future optic communication.
摘要翻译：公开了一种包括第一量子阱结构（1）和第二量子阱结构（2）的超高速光学开关器件。第一和第二量子阱结构（1,2）彼此具有不同的能隙。第一量子阱结构（1）吸收长时间带的漂白现象。第一量子阱结构（1）具有与第二量子阱结构（2）相同的长时间常数。第一量子阱结构（1）的长时间漂白现象与第二量子阱结构（2）的长时间吸收现象相同。因此，切换可以用于将来的光通信。

3. 发明授权

KR1019970011140B1 공명 투과광전 소자의 구조 失效
标题翻译：共振隧道电子设备的结构
公开(公告)号：KR1019970011140B1
公开(公告)日：1997-07-07
申请号：KR1019930026787
申请日：1993-12-08
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 추혜용 , 박병운 , 최영완 , 한선규
IPC分类号： H01L31/12 , H01S3/18
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L31/0352
摘要： The present invention relates to the operating mechanism of a resonant tunneling opto-electronic device and its vertical structure using the characteristics that resonant tunneling diode's peak laterally moves by light. In this device, an n-type 2 x 1018cm-3 GaAs buffer layer (1) is formed to a thickness of 10000ohm.strong on an n-type GaAs substrate, and a 4 x 1017cm-3 doped n-type GaAs interval layer (2) and a GaAs interval layer (3) of 100ohm.strong are formed thereon. An undoped AlAs layer of 100ohm.strong is symmetrically grown thereon as a quantum barrier (4) to reduce non-resonant tunneling current. An undoped In(0.2)Ga(0.8)As layer of 45ohm.strong is grown between the barrier (4) as a quantum well (5) to increase current amount, and an interval layer (6) is formed by undoped GaAs to a thickness of 500ohm.strong to increase voltage drop in the double barrier quantum well structure. A window layer (7) of doped n-type GaAs is formed to a thickness of 500ohm.strong, and a window layer (8) is formed to a thickness of 500ohm.strong with 2 x 1018cm-3 doped GaAs and Al (40%). In addition, a window layer (7) is formed to a thickness of 5000ohm.strong with 2 x 1018cm-3 doped Al(0.4)Ga(0.6)As.
摘要翻译：本发明涉及谐振隧道光电器件的操作机构及其垂直结构，其使用谐振隧道二极管的峰值由光线横向移动的特性。在该器件中，在n型GaAs衬底上形成厚度为10000ohm的n型2×1018cm-3 GaAs缓冲层（1），并且掺杂4×1017cm-3的n型GaAs间隔层（2）和在其上形成100ohm.strong的GaAs间隔层（3）。将100ohm.strong的未掺杂的AlAs层作为量子势垒（4）对称地生长，以减少非共振隧道电流。在栅极（4）作为量子阱（5）之间生长未掺杂的In（0.2）Ga（0.8）As的45ohm.strong层以增加电流量，并且通过未掺杂的GaAs形成间隔层（6）至厚度为500ohm.strong以增加双重势垒量子阱结构中的电压降。掺杂的n型GaAs的窗口层（7）形成为500ohm.strong的厚度，并且窗口层（8）形成为厚度为500ohm。具有2×1018cm-3掺杂的GaAs和Al（40 ％）。此外，窗口层（7）形成为具有2×1018cm-3掺杂的Al（0.4）Ga（0.6）As的5000欧姆的厚度。

4. 发明授权

KR1019970006615B1 장파장용 광스윗치 구현을 위한 InP계 다중양자우물 구조의 최적화 방법 失效
标题翻译：用于优化系统中多个量子阱结构的方法
公开(公告)号：KR1019970006615B1
公开(公告)日：1997-04-29
申请号：KR1019930029620
申请日：1993-12-24
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 심숙이 , 최영완 , 권오균 , 이일항
IPC分类号： H01L29/15 , H01S3/18
摘要： In the method for embodying an optical switch element for use of a long wavelength, which is utilized in a long distance communication through a use of an optical fiber, the method for optimizing a multi quantum well structure of an INP kingdom comprises the step of searching for an optimized structure capable of adjusting a constructive component rate and a structure of an INGAASP/INP hybrid structure to operate in a 1.55 micro-m wavelength area for getting the minimum loss value of the optical fiber, maximize an optical absorption and output strength rate and whereby embody the optical switch for use of the long wavelength.
摘要翻译：在用于通过使用光纤的长距离通信中使用长波长的光开关元件的方法中，优化INP王国的多量子阱结构的方法包括搜索步骤对于能够调整结构性分量速率和INGAASP / INP混合结构的结构的优化结构，以在1.55微米波长区域中操作以获得光纤的最小损耗值，使光吸收和输出强度率最大化并且由此实现长波长使用的光开关。

5. 发明公开

KR1019950021812A 비대칭 패브릿-페롯 시드 광논리 소자 无效
标题翻译：非对称法布里 - 珀罗种子光学逻辑元件
公开(公告)号：KR1019950021812A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930028264
申请日：1993-12-17
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 최영완 , 권오균 , 한선규 , 이종태 , 이일항 , 심숙이
IPC分类号： H01L31/08
摘要： 본 발명은 비대칭 패브리-페롯(asymmetry-Fabry Petot)공명 구조를 갖는 SEED(Self Electro-optic Effect Device)에 관한 것으로, 비대칭 패브리-페롯 SEED구조보다 반사율의 변화 △R을 증가시켜 광 시스템에서 사용될 때 높은 ON/OFF강도비에 의한 안정된 신뢰도를 유지하면서 데이타 처리속도인 비트레이트를 증가시킬 수 있는 개량된 비대칭 패브리-페롯 SEED이다.
본 발명은 반사율의 변화 △R이 진성영역의 다중 양자 우물의 광 흡수 계수의 비인 α(V)/α(O)와 반비계 관계가 있다는 점에 착안하여 최소한의 광 흡수 계수비를 갖는 다중 양자 우물을 이용한 높은 반사율 ON/OFF강도비를 유지하는 동시에 반사율변화를 증가시킨다.
본 발명의 구조는 α(O)값이 큰 양자 우물 구조를 이용하여 비대칭 패브리-페롯 SEED구조를 구성하므로 반도체 다중 양자 우물층의 수를 줄일수 있어 에피텍시(epitaxy)층의 성장이 용이하다.

6. 发明授权

KR100148597B1 왜곡 성장층을 이용한 금속/반도체 접합 쇼트키 다이오드 광소자 失效
标题翻译：金属半导体结型肖特基二极管光电器件使用应变层结构
公开(公告)号：KR100148597B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019940030898
申请日：1994-11-23
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 권오균 , 최영완 , 김광준 , 이일항
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/108
摘要： 본 발명은 왜곡 성장층을 이용한 금속/반도체 접합 쇼트키 다이오드 광소자에 관한 것으로서 보다 상세하게는 화합물 반도체에서 전기광 흡수 효과를 갖는 다중양자우물(Multiple Quantum Well)구조를 금속/반도체접하 쇼트키 다이오드의 중간층으로 사용하는 광소자에 관한 것이다.
특징적인 구성으로는 반 절연성 갈륨비소기판 위에 갈륨비소거울층과 알미늄비소거울층이 다수 주기적으로 성장되어 있고 그 위에 다시 n
+ 혹은 p
+ 반도체층이 성장되고 상기의 반도체층위에 전극 및 거울역할을 위한 쇼트키금속층을 성장시키기 위해 갈륨비소완충층을 성장시킨 금속/반도체접합 다이오드소자에 있어서, 상기 반도체층과 접합시 쇼트키 특성을 갖는 금속막사이의 중간층에 전기광흡수특성을 갖는 다중양자우물구조를 두어 금속층/다중양자층/반도체층으로 다이오드를 구성한 다이오드 구조로 구성함에 있으며, 또한 상기 다이오드는 전극, 열전도 및 거울 역할을 하는 금속막과 다층 반도체막 거울 사이에 공명 및 비공명조건을 갖는 구조로 단결정기판을 광학적 투명층으로 하기 위해 반도체거울층 및 다이오드 구조층의 일부 혹은 전부를 왜곡층으로 성장함에 있으며, 다이오드층이 성장된 기판의 반대면은 광학적 무반사막으로 처리하여 구성함에 있다.

7. 发明公开

KR1019950021821A 공명 투과광전 소자의 구조 失效
公开(公告)号：KR1019950021821A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930026787
申请日：1993-12-08
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 추혜용 , 박병운 , 최영완 , 한선규
IPC分类号： H01L31/12 , H01S3/18
摘要： 본 발명은 공명 투과광전 소자 및 수직구조에 관한 것으로서, 본 발명의 특징은 종래에 사용되고 있는 광검출기나 광전도체와는 상이하게 빛에 의해 생성된 정공이 장벽앞에 축적됨으로써 이중장벽양자우물구조에서의 더욱 많은 전압강하를 유도하여 공명투과다이오드의 피크가 낮은 전압으로 이동하는 새로운 개념으로 동작하며, 또한 공명투과 전류가 빛에 의해 제어되므로 현재 광전소자로 가장 많이 사용되는 PIN다이오드에 비하여 10
3 배 이상 전류량이 많다.
따라서 주변회로를 구동시키기 위하여 광전소자로부터의 출력 신호를 증폭시키는 기능이 생략되므로 회로를 단순화시킬 수 있다.

8. 发明公开

KR1019950021818A 장파장용 광스윗치 구현을 위한 InP계 다중양자우물 구조의 최적화 방법 失效
标题翻译：基于InP的长波长光开关多量子阱结构优化
公开(公告)号：KR1019950021818A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930029620
申请日：1993-12-24
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 심숙이 , 최영완 , 권오균 , 이일항
IPC分类号： H01L29/15 , H01S3/18
摘要： 본 발명은 광섬유를 이용한 장거리 통신에 쓰일 수 있는 장파장용 광스윗치 소자를 구현하는 방법에 있어서 다중 양자우물의 물질로 InGaAsP/InP 혼성구조의 구성 성분비 및 구조를 조정하여 광섬유에서 손실 최소치를 갖는 파장영역에서 작동하며 광 출력 강도비 및 광흡수 최대치를 극대화하는 최적화된 방법에 관한 것이다.

9. 发明公开

KR1019950021801A 광 논리소자(SEED) 및 그의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019950021801A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930026307
申请日：1993-12-03
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 최영완 , 권오균 , 심숙이 , 이일항
IPC分类号： H01L31/00 , H01L33/00
摘要： 본 발명은 외부 인가전압 없이도 광 시스템에서 실용가능한 정도의 광 쌍안정을 실현 할 수 있는 광 논리소자의 창출을 그 내용으로 한다.
혼합물 반도체로 이루어진 얕은 다중양자 우물(Shal1ow Mutiple Quantum Well, SMQW)의 저전계흡수(low field electroabsoption) 특성과 비대칭 페브리 페롯(ASymmetric Fabry Perot, ASFP)공명 구조를 결합함으로써 이를 창출하였다.
ASFP공명구조로 이루어진 PIN다이오드 SEED는 그 구조특성상 광 흡수층인 다중양자 우물로 이루어진 진성영역의 두께를 일반적인 SEED구조보다 크게 줄여 줄 수 있다는 점에 착안하였다.
이는 일정한 내재전위(built in potential)를 가정할때, SMQW ASFP S-SEED회로에서의 인가전압 VAP=0일 경우의 각 SEED에 존재하는 전계의 차이가 일반적인 SMQW S-SEED회로에서의 각 SEED에 존재하는 전계의 차이보다 크게 된다는 것을 뜻한다.
즉 각 SEED소자의 광 흡수율의 차이가 크게되고 광 쌍안정의 반사율 차이와 폭(width)이 증가된다는 것이다.
본 발명에 의한 적절한 소자설계는 Self-Biased SMQW ASFP S-SEED(VAP=D)의 두 다이오드 전계차이가 일반적인 SMQW S-SEED의 동작전압 VAP=5Volt일때의 두 다이오드 전계차이정도가 되도록 할 수 있다.

10. 发明授权

KR100129837B1 시간 지연용 선형 동작 장비(LINER MOTION LINE FOR DELAY) 失效
标题翻译：线性运动线延迟
公开(公告)号：KR100129837B1
公开(公告)日：1998-04-08
申请号：KR1019940032651
申请日：1994-12-03
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김광준 , 권오균 , 최영완 , 이일항
IPC分类号： G01J3/00
摘要： Disclosed is a linear motion line for time delay within a fast spectrum experiment utilizing a laser. The line comprises a drive shaft, a head, an overaction preventer and a separator. A conchoid is formed on the external surface of the drive shaft which is rotated by a motor. The head is magnetically attached to a reflecting mirror which performs a straight line motion by the drive shaft. The overaction preventer controls an operation of the head. The separator connects or disconnects the drive shaft. Thereby, a life time of the head will be longer by the simple mechanism.
摘要翻译：公开了一种使用激光的快速光谱实验中的时间延迟线性运动线。该线包括驱动轴，头部，过度防护器和分离器。在由电动机旋转的驱动轴的外表面上形成有结构。头部磁性地连接到由驱动轴执行直线运动的反射镜。过载防护器控制头部的操作。分离器连接或断开驱动轴。因此，通过简单的机制，头的寿命会更长。

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