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1. 发明授权

KR101067276B1 근접장 전기방사 방식의 직접 인쇄법을 이용한 미세패턴 형성방법 失效
标题翻译：通过近场电纺技术形成微图案的方法
公开(公告)号：KR101067276B1
公开(公告)日：2011-09-26
申请号：KR1020080118748
申请日：2008-11-27
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 윤두협 , 김성현 , 이수재 , 송윤호 , 양용석 , 임상철 , 김진식
IPC分类号： B41F15/00 , B82Y30/00
摘要： 본 발명은 근접장 전기방사 방식의 직접 인쇄법을 이용한 미세패턴 형성방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 미세패턴 형성방법은 패턴 제작용 소재를 유기 용매 중에 혼합하여 전기방사 용액을 준비하는 단계; 상기 전기방사 용액을 전압이 인가된 상태로 분사 노즐로부터 토출시키는 단계; 및 분사 노즐로부터 토출된 전기방사 용액을 접지 특성을 갖는 콜렉터의 상부에 위치한 기판 표면에 부착시켜 미세패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 여기서 분사 노즐은 테이퍼-팁 형태로 설계하여 선폭이 20㎛ 이하인 미세패턴을 형성한다.
전기방사법, 근접장, 직접인새, 인쇄회로기판, 포토레지스트

2. 发明授权

KR101050695B1 바이오 센서용 트랜지스터의 제조 방법 失效
标题翻译：制造生物传感器晶体管的方法
公开(公告)号：KR101050695B1
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：KR1020080127210
申请日：2008-12-15
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 임상철 , 김성현 , 양용석 , 김진식 , 윤두협
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/05 , G01N33/53
摘要： 본 발명에 따른 바이오 센서용 트랜지스터의 제조 방법은 기판 위에 게이트 전극, 게이트 절연막 및 소스/드레인 전극을 차례로 형성하는 단계, 상기 소스/드레인 전극 사이에 유기물 반도체를 형성하는 단계, 그리고 상기 유기물 반도체를 표면처리하여 친수성의 채널을 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 유기물 반도체 물질의 적절한 표면처리를 적용하여 다양한 검출액 중 특이적으로 결합하는 타겟 물질을 검출이 가능하며, 표면 개질을 통한 검출 특성을 향상시킬 수 있다.
유기 박막 트랜지스터, 유기물 반도체, 유기물 절연체, 항원, 항체, 폴리머, 바이오 센서, 산소 플라즈마, UV오존, 상압 플라즈마, 표면처리
摘要翻译：制造根据本发明的晶体管生物传感器的方法包括：形成所述阶段之间的有机半导体的工序，源/漏电极依次形成的栅极电极，栅极的衬底上绝缘膜和源/漏电极，和有机半导体的表面 Lt亲水通道。因此，通过对有机半导体材料进行适当的表面处理，能够检测在各种检测溶液中特异性结合的目标物质，并且可以改善通过表面改性的检测特性。

3. 发明公开

KR1020110024104A 도광판 제조 방법 및 이에 의해 제조된 도광판 失效
标题翻译：制作轻型导光板的方法及其制作方法
公开(公告)号：KR1020110024104A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090081983
申请日：2009-09-01
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 양용석 , 윤두협 , 김성현 , 임상철
IPC分类号： G02B6/00 , G02F1/1335
摘要： PURPOSE: A method of fabricating a light guide panel which is included in a black light unit and the light guide panel thereof are provided to reduce the loss of the intensity of radiation from a light source while cutting down manufacturing costs. CONSTITUTION: A method of fabricating a light guide panel which is included in a black light unit and the light guide panel thereof is comprised of steps: preparing a transparent board; forming a polymer thin film on one side of the board; chemical-processing the polymer thin film; and forming a micro-lens on the polymer thin film.
摘要翻译：目的：提供一种制造包括在黑光单元中的导光板及其导光板的方法，以减少来自光源的辐射强度的损失，同时降低制造成本。构成：包括在黑光单元中的导光板及其导光板的制造方法包括以下步骤：制备透明板; 在板的一侧上形成聚合物薄膜; 化学处理聚合物薄膜; 并在聚合物薄膜上形成微透镜。

4. 发明公开

KR1020110019811A 근접장 전기 방사법에 의한 고출력 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 失效
标题翻译：使用近场电纺丝的高功率发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110019811A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：KR1020090077385
申请日：2009-08-21
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 윤두협 , 김성현
IPC分类号： H01L33/10
摘要： PURPOSE: A high power light emitting diode using a near-field electro-spinning method and a manufacturing method thereof are provided to form a nano structure on a surface of a light emitting diode to prevent light loss due to total reflection of a light emitting diode surface, thereby increasing brightness and efficiency in extracting light. CONSTITUTION: A light emitting diode laminating structure is formed on a substrate(200). The light emitting diode laminating structure comprises an n-type semiconductor layer(210), an active layer(220), a p-type semiconductor layer(230), a transmitting layer(240) and electrodes(250,260). The transmitting layer is adhered to the light emitting diode surface to function as a nano lens. A nano structure is formed on a surface of the light emitting diode laminating structure. The nano structure prevents total reflection of light passing through the light emitting diode laminating structure.
摘要翻译：目的：提供使用近场电纺法的大功率发光二极管及其制造方法，以在发光二极管的表面上形成纳米结构，以防止由于发光二极管的全反射引起的光损失表面，从而提高亮度和提取光线的效率。构成：在基板（200）上形成发光二极管层叠结构。发光二极管层叠结构包括n型半导体层（210），有源层（220），p型半导体层（230），透射层（240）和电极（250,260）。透射层粘附到发光二极管表面以用作纳米透镜。在发光二极管层压结构的表面上形成纳米结构。纳米结构防止通过发光二极管层压结构的光的全反射。

5. 发明授权

KR100964973B1 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：用于高功率的太赫兹波长材料和用于高功率的太赫兹波材料的制造方法
公开(公告)号：KR100964973B1
公开(公告)日：2010-06-21
申请号：KR1020080015284
申请日：2008-02-20
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 윤두협 , 강광용 , 이승환 , 백문철
IPC分类号： H01S3/10 , G02F2/02 , H01Q15/00 , B82Y30/00
摘要： 본 발명은 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자에 관한 것으로서, 이러한 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자는, 반절연성 기판과, 상기 반절연성 기판의 상부에 전극 간의 간격을 설정값 이상으로 넓힌 형태로 형성된 전압 인가를 위한 전극 패턴을 갖으며, 상기 전극 패턴 상부에 넓은 띠 간격 소재가 증착되거나, 상기 전극 패턴 상부에 상기 높은 넓은 띠 간격 소재를 일렬 정렬하여 어레이 형태로 형성된 광전도 안테나를 포함하여 제조됨으로써, 상기 전극 패턴에 전압이 인가되고 상기 증착된 넓은 띠 간격 소재에 자외선 영역의 광파가 주입되면 상기 광전도 안테나를 통해 높은 세기로 테라헤르츠파를 출력할 수 있다.
테라헤르츠파 발생 소자, 고출력, 광전도 안테나, 반도체 레이저, 반절연성 기판, 박막, 나노 와이어, 나노 로드.

6. 发明授权

KR100617325B1 환경 정화 시스템용 나노 구조물 失效
标题翻译：纳米结构的环境净化系统
公开(公告)号：KR100617325B1
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：KR1020050052582
申请日：2005-06-17
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 윤두협 , 맹성렬 , 김상협 , 김기출 , 강광용
IPC分类号： A61L9/20 , A61L9/00

7. 发明授权

KR100576704B1 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로 失效
标题翻译：包括金属 - 绝缘体转换型器件的电流控制电路
公开(公告)号：KR100576704B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020030078333
申请日：2003-11-06
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김현탁 , 윤두협 , 강광용 , 채병규 , 임용식 , 김성현 , 맹성렬 , 김경옥
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L45/00
摘要： 본 발명의 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로는, 전원과, 급격한 금속-절연체 상전이형 소자와, 그리고 저항요소를 구비한다. 급격한 금속-절연체 상전이형 소자는, 전원에 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 제1 전극 및 제2 전극 사이에 전계가 인가됨에 따라 급격한 금속-절연체 상전이 특성을 나타낸다. 그리고 저항요소는 전원과 급격한 금속-절연체 상전이형 소자 사이에 연결되어 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 관통하는 대량의 전류를 제어한다. 이에 따르면 급격하게 발생하는 대량의 전류에 의해 급격한 금속-절연체 상전이형 소자가 파탄되는 현상을 방지할 수 있으며, 다양한 응용분야에 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로를 적용할 수 있게 된다.
금속-절연체 상전이, 모트 트랜지스터, 대전류 제어회로

8. 发明公开

KR1020050043431A 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로 失效
标题翻译：电流控制电路，包括金属绝缘子转换型器件
公开(公告)号：KR1020050043431A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：KR1020030078333
申请日：2003-11-06
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김현탁 , 윤두협 , 강광용 , 채병규 , 임용식 , 김성현 , 맹성렬 , 김경옥
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L45/00
摘要： 본 발명의 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로는, 전원과, 급격한 금속-절연체 상전이형 소자와, 그리고 저항요소를 구비한다. 급격한 금속-절연체 상전이형 소자는, 전원에 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 제1 전극 및 제2 전극 사이에 전계가 인가됨에 따라 급격한 금속-절연체 상전이 특성을 나타낸다. 그리고 저항요소는 전원과 급격한 금속-절연체 상전이형 소자 사이에 연결되어 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 관통하는 대량의 전류를 제어한다. 이에 따르면 급격하게 발생하는 대량의 전류에 의해 급격한 금속-절연체 상전이형 소자가 파탄되는 현상을 방지할 수 있으며, 다양한 응용분야에 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로를 적용할 수 있게 된다.

9. 发明授权

KR101254757B1 근접장 전기 방사법에 의한 고출력 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 失效
标题翻译：使用近场电纺的大功率发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR101254757B1
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：KR1020090077385
申请日：2009-08-21
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 윤두협 , 김성현
IPC分类号： H01L33/10
摘要： 본 발명은 발광 다이오드에 대한 것으로, 이 소자는 발광 다이오드 적층 구조, 그리고 상기 발광 다이오드 적층 구조의 표면에 형성되며, 상기 발광 다이오드 적층구조의 내부를 통과하는 빛의 전반사를 막는 나노 구조물을 포함한다. 따라서, 반도체 소재 표면에 형성된 나노 구조물에 의해 입사된 빛의 반사각이 임계각보다 작아지도록 유도하여 나노 구조물을 통하여 밖으로 빠져 나오기 때문에 광 추출 효율을 증가시킬 수 있다.
직접인쇄, 발광 다이오드, 고출력, 근접장 전기 방사법, 광추출효율, 전반사

10. 发明公开

KR1020130017696A 광치료용 패드 无效
标题翻译：用于热像仪的垫片
公开(公告)号：KR1020130017696A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：KR1020110080275
申请日：2011-08-11
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 윤두협 , 최성율 , 최홍규 , 김종윤
IPC分类号： A61N5/06 , A61N5/08 , A61N1/04
CPC分类号： A61N5/0625 , A61N2005/0645 , A61N2005/0652 , A61N2005/0659 , A61N2005/0661 , A61N2005/0662
摘要： PURPOSE: A pad for phototherapy is provided to reduce heat generated by increasing current and to obtain stable output and wavelength. CONSTITUTION: A pad for phototherapy comprises a substrate(10), an electrode pattern(14), a light source(16), and a power supply device. The electrode pattern comprises a plurality of light source electrodes(14a) and a linear electrode(14b). The power supply device supplies electric power to the light source. The linear electrode is separate from the substrate.
摘要翻译：目的：提供用于光疗的垫，以减少增加电流产生的热量，并获得稳定的输出和波长。构成：用于光疗的垫包括基底（10），电极图案（14），光源（16）和电源装置。电极图案包括多个光源电极（14a）和线状电极（14b）。电源装置向光源供电。线性电极与衬底分开。

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