专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR102126296B1 CNC 플라즈마 홀더 가공용 텅스텐카바이드-니켈 소결체 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102126296B1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：KR1020180127025
申请日：2018-10-23
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 박현국 , 오익현 , 장준호 , 이정한
IPC分类号： C04B35/64 , C04B35/56 , C04B35/626

2. 发明授权

KR101961466B1 메탈 하이브리드 방열소재의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101961466B1
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：KR1020180126907
申请日：2018-10-23
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 오익현 , 박현국 , 장준호 , 차현록 , 이정한
IPC分类号： H05K7/20 , B22F3/16 , B22F1/02 , B22F1/00

3. 发明授权

KR101645587B1 반도체 배선용 Cu-Mg 스퍼터링 타겟의 제조방법 有权
标题翻译：制造使用半导体金属化的Cu-Mg溅射靶的Cu-Mg方法
公开(公告)号：KR101645587B1
公开(公告)日：2016-08-09
申请号：KR1020140046899
申请日：2014-04-18
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 오익현 , 박현국 , 장준호
IPC分类号： B22F3/10 , C22C9/00 , C23C14/34
摘要： 본발명은반도체배선용 Cu-Mg 스퍼터링타겟제조방법에관한것으로서, 구리분말과마그네슘분말을그라파이트소재로된 몰드내에혼합하여충진하는단계와, 구리와마그네슘분말이충진된몰드를방전플라즈마소결장치의챔버내에장착하는단계와, 챔버내부를진공화하는단계와, 몰드내의구리와마그네슘분말에설정된제1압력을유지하면서설정된승온패턴에따라승온시키면서최종목표온도에도달할때까지승온시키는단계와, 라단계의최종목표온도에서 1 내지 10분더 유지하는유지단계와, 제1압력보다낮게설정된제2압력이되게감압하여챔버내부를냉각하는냉각단계를포함한다. 이러한반도체배선용 Cu-Mg 스퍼터링타겟제조방법에의하면, 방전플라즈마소결공정을이용하여스퍼터링타겟에적합하게소결체제조시고밀도화가가능하고단일공정으로짧은시간에입자성장이거의없는균질한조직및 고순도의소결체를제조할수 있는이점이있다.

4. 发明公开

KR1020170051670A 루테늄 스퍼터링 타겟 제조방법 无效
标题翻译：钌溅射靶的制造方法
公开(公告)号：KR1020170051670A
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020150151762
申请日：2015-10-30
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 박현국 , 오익현 , 장준호 , 손현택
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/14 , B22F3/12
摘要： 본발명은루테늄분말을그라파이트소재로된 몰드내에충진하고, 별도의가압부를통해가압및 가열하여소결체를제조하는루테늄스퍼터링타겟제조방법에있어서, 상기스퍼터링타겟의일면에돌출부가형성되도록함몰홈을가지는상기가압부를설계하는세팅단계, 상기루테늄분말을상기몰드내에충진하는충진단계, 상기루테늄분말이충진된상기몰드를별도의챔버내부에장착하는장착단계, 상기장착단계를거친후 상기챔버내부를진공상태로조절하는진공단계, 상기가압부에의해상기몰드에충진된상기루테늄분말을일정한압력을유지하면서설정된승온패턴에따라기 설정된온도까지승온시키는성형단계, 상기성형단계를거친후 상기몰드를기 설정된시간동안일정온도로유지시키는유지단계및 상기유지단계이후상기챔버내부를일정압력을유지하면서냉각하는냉각단계를포함하는루테늄스퍼터링타겟제조방법이개시된다.
摘要翻译：本发明是通过加压和加热通过单独的压力产生具有凹槽的烧结体的钌粉末填充在模具中成的石墨材料，在钌溅射靶的制造方法，使得所形成的凸起，以在溅射靶的表面该设定步骤中，在填充步骤中，安装步骤中，安装有一个单独的腔室内部的钌粉末yichungjin模具用于填充钌粉末进入真空的按压部件的模具设计到室条件的安装步骤之后真空调整，上述的模制步骤由压力部根据温度上升模式被设定，同时保持在模具恒定所述钌粉末填充压力升高到预定的温度，然后进行预先设置在模具的成形步骤以及在保持步骤后保持预定压力的同时冷却腔室内部的冷却步骤钌溅射靶的制造方法，包括：一个被启动。

5. 发明公开

KR1020150121377A 반도체 배선용 Cu-Mg 스퍼터링 타겟의 제조방법 有权
标题翻译：制造用于使用半导体金属化的CU-MG溅射靶的方法
公开(公告)号：KR1020150121377A
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：KR1020140046899
申请日：2014-04-18
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 오익현 , 박현국 , 장준호
IPC分类号： B22F3/10 , C22C9/00 , C23C14/34
CPC分类号： B22F3/10 , C22C9/00 , C23C14/34
摘要： 본발명은반도체배선용 Cu-Mg 스퍼터링타겟제조방법에관한것으로서, 구리분말과마그네슘분말을그라파이트소재로된 몰드내에혼합하여충진하는단계와, 구리와마그네슘분말이충진된몰드를방전플라즈마소결장치의챔버내에장착하는단계와, 챔버내부를진공화하는단계와, 몰드내의구리와마그네슘분말에설정된제1압력을유지하면서설정된승온패턴에따라승온시키면서최종목표온도에도달할때까지승온시키는단계와, 라단계의최종목표온도에서 1 내지 10분더 유지하는유지단계와, 제1압력보다낮게설정된제2압력이되게감압하여챔버내부를냉각하는냉각단계를포함한다. 이러한반도체배선용 Cu-Mg 스퍼터링타겟제조방법에의하면, 방전플라즈마소결공정을이용하여스퍼터링타겟에적합하게소결체제조시고밀도화가가능하고단일공정으로짧은시간에입자성장이거의없는균질한조직및 고순도의소결체를제조할수 있는이점이있다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造用于半导体布线的Cu-Mg溅射靶的方法。该方法包括以下步骤：通过在由石墨材料制成的模具中混合来填充铜粉和镁粉; 在放电等离子体烧结装置的室内安装填充有铜粉和镁粉的模具; 在室内产生真空; 将温度升高到最终目标温度，同时保持对模具内的铜粉和镁粉的第一预设压力，并且根据预设的升温模式升高温度; 在上一步骤的最终目标温度下保持1至10分钟的状态; 并且通过将压力降低到预设为比第一压力更低的压力的第二压力来冷却腔室的内部。根据半导体布线的Cu-Mg溅射靶的制造方法，使用放电等离子体烧结法制造适合于溅射靶的粒料时，可以实现更高的密度，并且具有均匀的微结构和高纯度的粒子几乎没有粒子可以在短时间内使用单一工艺制造生长。

6. 发明公开

KR1020140119859A 반도체 배선용 Al-Si(Cu) 스퍼터링 타겟의 제조방법 无效
标题翻译：制造用于半导体金属化的AL-SI（CU）溅射靶的方法
公开(公告)号：KR1020140119859A
公开(公告)日：2014-10-13
申请号：KR1020130033058
申请日：2013-03-27
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 오익현 , 박현국 , 장준호 , 유정한 , 손현택
IPC分类号： C23C14/34 , B22F3/12
摘要： The present invention relates to a method for manufacturing an Al-Si (Cu) sputtering target for semiconductor wiring. The method for manufacturing an Al-Si (Cu) sputtering target for semiconductor wiring includes: a step of melting base materials by heating an upper crucible of evacuated gas atomizing equipment and a lower crucible which receives molten base materials from the upper crucible and discharges the molten base materials through an orifice hole connected with a lower chamber using high frequency, wherein the upper crucible installed in the upper chamber of the gas atomizing equipment is filled with base materials of aluminum, copper, and silicon; a step of manufacturing powders by spraying argon gas into the lower chamber while the molten base materials flow from the upper crucible to the lower crucible through the orifice hole; a step of filling a mold made of graphite after cooling and extracting the manufacturing powders and mounting the mold filled with the powders in a chamber of a spark plasma sintering device; a step of increasing a temperature up to the predetermined final target temperature according to a predetermined pattern of increasing temperature while uniformly maintaining a pressure of the powders in the mold of the chamber of the evacuated spark plasma sintering device; and a step of cooling the chamber after maintaining the final target temperature for a predetermined time period when the temperature of the mold approaches the final target temperature. The method for manufacturing an Al-Si (Cu) sputtering target for semiconductor wiring can manufacture a pellet for an Al-Si (Cu) sputtering target with uniform high purity composition and property and little temperature deviation between internal and external parts through the spark plasma sintering process from ball-shaped high purity powders with uniform composition manufactured through a gas atomizing process.
摘要翻译：本发明涉及半导体布线的Al-Si（Cu）溅射靶的制造方法。制造半导体布线的Al-Si（Cu）溅射靶的方法包括：通过加热真空气体雾化设备的上坩埚和从上坩埚接收熔融基材的下坩埚来熔化基材的步骤，熔融基材通过与低室连接的孔口使用高频，其中安装在气体雾化设备的上腔室中的上坩埚填充有铝，铜和硅的基材; 通过将熔融基材从上坩埚通过孔口从上坩埚流到下坩埚，将氩气喷射到下腔体中来制造粉末的步骤; 冷却并提取制造粉末之后填充由石墨制成的模具并将填充有粉末的模具安装在放电等离子体烧结装置的腔室中的步骤; 根据预定的温度升高模式将温度升高到预定最终目标温度的步骤，同时均匀地保持粉末在真空火花等离子体烧结装置的腔室的模具中的压力; 以及当模具的温度接近最终目标温度时，在保持最终目标温度达预定时间段之后冷却腔室的步骤。制造用于半导体布线的Al-Si（Cu）溅射靶的方法可以制造具有均匀的高纯度组成的Al-Si（Cu）溅射靶的颗粒，并且通过放电等离子体制造内部和外部部件之间的温度偏差小通过气体雾化工艺制造的具有均匀组成的球形高纯度粉末的烧结过程。

7. 发明授权

KR101902860B1 타이어 금형 제작용 원료분말 제조방법 및 제조장치 有权
公开(公告)号：KR101902860B1
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：KR1020160138455
申请日：2016-10-24
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 오익현 , 박현국 , 장준호
IPC分类号： B22F9/08
摘要： 본발명은 SUS계의모재인금속원료를가열하여액화시키는용융도가니및 상기용융도가니를통해용융된원료용탕의공급량을조절하는턴디시도가니를수용하고, 선택적으로내부진공을조절하는상부챔버를포함하는상부챔버, 상기상부챔버의하부에배치되며밀폐가능하도록구성되어상부로부터전달되는상기원료용탕을수용하는하부챔버, 상기상부챔버와상기하부챔버사이에구비되며상기하부챔버와상기턴디시도가니의내부가연통되도록구성되어상기턴디시도가니내부의상기원료용탕을상기하부챔버로공급하는용탕노즐, 상기용탕노즐에인접하게배치되는분사노즐을가지며, 상기원료용탕의배출시 상기분사노즐을통해상기원료용탕이배출되는영역에기 설정된압력으로가스를분사하여상기원료용탕이분무형태로배출되도록하는분사모듈및 상기용탕노즐의둘레를감싸도록배치되고, 전류의흐름이인가되어상기용탕노즐을유도가열하고, 자기장을형성하여상기원료용탕이상기용탕노즐의내측벽면에응고되지않고원활하게하는전자기유도모듈; 을포함하며, 상기용탕노즐을통해분사되는상기원료용탕이금속분말로냉각되어상기원료분말을형성하는원료분말제조장치가개시된다.

8. 发明公开

KR20180045098A 타이어 금형 제작용 원료분말 제조방법 및 제조장치 有权
公开(公告)号：KR20180045098A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：KR20160138455
申请日：2016-10-24
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 오익현 , 박현국 , 장준호
IPC分类号： B22F9/08
摘要： 본발명은 SUS계의모재인금속원료를가열하여액화시키는용융도가니및 상기용융도가니를통해용융된원료용탕의공급량을조절하는턴디시도가니를수용하고, 선택적으로내부진공을조절하는상부챔버를포함하는상부챔버, 상기상부챔버의하부에배치되며밀폐가능하도록구성되어상부로부터전달되는상기원료용탕을수용하는하부챔버, 상기상부챔버와상기하부챔버사이에구비되며상기하부챔버와상기턴디시도가니의내부가연통되도록구성되어상기턴디시도가니내부의상기원료용탕을상기하부챔버로공급하는용탕노즐, 상기용탕노즐에인접하게배치되는분사노즐을가지며, 상기원료용탕의배출시 상기분사노즐을통해상기원료용탕이배출되는영역에기 설정된압력으로가스를분사하여상기원료용탕이분무형태로배출되도록하는분사모듈및 상기용탕노즐의둘레를감싸도록배치되고, 전류의흐름이인가되어상기용탕노즐을유도가열하고, 자기장을형성하여상기원료용탕이상기용탕노즐의내측벽면에응고되지않고원활하게하는전자기유도모듈; 을포함하며, 상기용탕노즐을통해분사되는상기원료용탕이금속분말로냉각되어상기원료분말을형성하는원료분말제조장치가개시된다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式