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    • 8. 发明授权
    • 임피던스 분석을 이용하는 화학물질 검출방법
    • 化学检测方法的阻抗分析
    • KR101759176B1
    • 2017-07-19
    • KR1020170053703
    • 2017-04-26
    • 한국생산기술연구원
    • 박재영김호형이흥렬이호년
    • G01N27/12G06F17/10
    • 본발명은반도체식가스센서를이용한화학물질검출방법에관한것으로, 전극부(110) 및상기전극부(110)에전기적으로접속되는감지부(120)를포함하여구성되는반도체식가스센서(100)를이용하여대상가스(target gas)의종류및 농도를판별하는방법에있어서, (I) 상기반도체식가스센서(100)를준비하는단계; (II) 상기대상가스(target gas)를상기감지부(120)에흡착시키는단계; (III) 상기전극부(110)에전원을인가하는단계; (IV) 상기대상가스(target gas)가흡착된감지부(120)의임피던스를측정하는단계; (V) 상기임피던스의실수부및 허수부가도출되는단계; (VI) 상기대상가스(target gas)가흡착된감지부(120)의임피던스의실수부및 허수부의관계를상기대상가스(target gas)의농도별로기록하고있는제2기준데이터(420)와, 상기 (V)단계에서도출된임피던스의실수부및 허수부를대비하여상기대상가스(target gas)의종류및 농도를확정하는단계를포함하여이루어지고, 상기전원은교류전원인것을특징으로하는대상가스(target gas)의종류및 농도를판별하는방법을제공한다.
    • 本发明涉及一种使用半导体式气体传感器中,电极单元110和半导体式气体传感器(100被配置成在化学检测方法,包括检测单元120,以及电连接到电极110 (I)准备半导体式气体传感器100的工序,决定对象气体的种类和浓度的方法, (II)将目标气体吸附到感测单元120; (III)向电极单元110施加功率; (IV)测量吸附目标气体的感测单元120的阻抗; (V)导出阻抗的实部和虚部; 和(VI)的目标气体(目标气体)是吸收检测单元120的实部和虚部之间的阻抗关系在不同浓度的目标气体(目标气体)2基于该数据420被记录, 它是由一个步骤,用于对所述阻抗实部和虚在(V)阶段中的浮雕的部分决定的目标气体(目标气体)的种类和浓度制成,功率为目标气体,其特征在于展原因( 目标气体和目标气体的浓度。
    • 10. 发明公开
    • 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법 및 이에 의한 나노다공성3차원구조 박막
    • 使用挡板和纳米多孔三维结构薄膜制造纳米多孔三维结构薄膜的方法
    • KR1020170030132A
    • 2017-03-17
    • KR1020150127060
    • 2015-09-08
    • 한국생산기술연구원
    • 이호년김현종
    • H01L29/06H01L21/203H01L21/324B82B3/00B82B1/00
    • 본발명의일실시예는열증착을수행하는경우에배플(baffle)을사용하여열전도율이낮은다양한소재의기판위에나노다공성3차원구조박막을형성하는제조방법을제공한다. 본발명의실시예에따른배플을이용한나노다공성3차원구조박막의제조방법은증착챔버에기판을고정시키고, 기판과증발원(heat source) 간소정의위치에열 차단의기능을구비한배플(baffle)을설치하는단계, 증착챔버내부를진공상태로만들어주는단계, 진공상태인증착챔버에공정가스를주입하여공정가스가초기공정압력을형성하는단계, 기판의온도를 50℃이하로설정하는기판온도설정단계, 열증착공정으로써증착물질이담긴증발원(heat source)의온도를상승시켜증착물질의증기를형성하는단계및 (ⅴ)단계에서생성된증착입자가기판상에증착되는단계를포함한다.
    • 本发明的一个实施方式提供一种在进行热蒸镀时使用挡板在具有低导热率的各种材料的基板上形成纳米多孔三维结构薄膜的制造方法。 制造使用根据挡板的纳米多孔的三维结构的薄膜与本发明的一个实施例的方法是安全的基底到沉积室,并具有在所述衬底中的热障和蒸发源的功能(热源)简单限定的位置的挡板(挡板) 将沉积室的内部设定为真空状态,在真空状态下将处理气体注入沉积室中以形成初始处理压力,将基板温度设定为50℃或更低, (v)通过热沉积工艺升高含有沉积材料的热源的温度来形成沉积材料的蒸气;以及(v)将沉积材料沉积在沉积板上。