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    • 1. 发明授权
    • 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법 및 그제조방법에 의한 타겟
    • 高品质大面积玻璃氧化物靶及其制造方法的制备方法
    • KR100734811B1
    • 2007-07-03
    • KR1020050086592
    • 2005-09-16
    • 한국기초과학지원연구원정세영
    • 조채용정세영원미숙
    • H01L21/20
    • 본 발명은 반도체 또는 산화물 박막 제조를 위한 스파터링증착법 또는 펄스화레이저증착법에 사용되는 금속산화물 타겟을 제조하는 제조방법 및 그 방법에 의한 타겟에 관한 것으로, 특히 반도체 또는 산화물 박막 제조를 위한 스파터링증착법 또는 펄스화레이저증착법에 사용되는 금속산화물 타겟을 제조하는 제조방법에 있어서, 상기 금속산화물을 조성하는 각 조성물을 적정 크기로 분쇄하여, 소정 조성비율로 혼합시키는 혼합단계와; 상기 소정 조성비로 혼합된 시료를 도가니에 수용시키는 수용단계와; 상기 도가니를 버너에 의해 가열하여 시료를 용융시키는 용융단계와; 상기 용융단계 도중에 상기 도가니를 버너 상부에서 선회시키는 선회단계와; 상기 도가니 내에서 완전히 용융된 시료를 성형접시로 이동시키는 이동단계와; 상기 성형접시로 이동된 용융된 시료를 냉각시키는 냉각단계와; 상기 성형접시 내에서 냉각된 시료를 분리시키는 분리단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라 적정 조성비의 금속산화물 시료를 용융하여 다양한 크기의 성형접시에 부은 후 냉각시켜 글래시 타겟 형태로 완성하여 타겟제조시간 및 노력, 비용을 월등히 개선시킨 고품질의 대면적 글래시 금속산화물 타겟을 제조할 수 있는 이점이 있다.
      반도체 산화물 박막 스파터링 펄스화레이저증착 타겟 금속산화물
    • 2. 发明公开
    • 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치와그 방법
    • 脉冲激光沉积系统和制造大面积和高质量膜的方法
    • KR1020050069969A
    • 2005-07-05
    • KR1020050051046
    • 2005-06-14
    • 한국기초과학지원연구원정세영
    • 조채용정세영김종필
    • H01S3/10
    • H01S3/225H01S3/0071H01S3/1003
    • 본 발명은 펄스레이저증착장치에 관한 것으로서, 챔버 내에 설치된 타겟에 펄스레이저 광선을 조사하여, 상기 타겟에 대향된 위치에 형성된 기판에 박막을 증착시키는 펄스레이저증착장치에 있어서, 상기 타겟으로 조사되는 상기 펄스레이저 광선의 촛점 거리가 연속변화되는 래스터링수단이 형성된 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치를 기술적 요지로 한다. 또한, 챔버 내에 설치된 타겟에 펄스레이저 광선을 조사하여, 상기 타겟에 대향된 위치에 형성된 기판에 박막을 증착시키는 펄스레이저증착방법에 있어서, 래스터링 수단에 의해 상기 타겟으로 조사되는 상기 펄스레이저 광선의 촛점 거리를 연속변화시키는 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 래스터링수단에 의해 타겟을 움직이지 않은 채 타겟을 균일하게 사용할 수 있고, 장치가 간단하여 경제적이며, 대면적의 고품질 박막 제조가 가능한 이점이 있다. 또한, 대면적 폴리머 기판 상에 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막(AZO)의 고품질 제조가 가능하며, 이에 따른 전기루미네선스(EL) 소자의 물성이 뛰어나 대면적의 유기 전기루미네선스 디스플레이 소자에 대한 실용화가 가능한 이점이 있다.
    • 3. 发明公开
    • 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법 및 그제조방법에 의한 타겟
    • 高品质大面积玻璃氧化物目标的制造方法及其制造方法
    • KR1020050097480A
    • 2005-10-07
    • KR1020050086592
    • 2005-09-16
    • 한국기초과학지원연구원정세영
    • 조채용정세영원미숙
    • H01L21/20
    • C23C14/3414
    • 본 발명은 반도체 또는 산화물 박막 제조를 위한 스파터링증착법 또는 펄스화레이저증착법에 사용되는 금속산화물 타겟을 제조하는 제조방법 및 그 방법에 의한 타겟에 관한 것으로, 특히 반도체 또는 산화물 박막 제조를 위한 스파터링증착법 또는 펄스화레이저증착법에 사용되는 금속산화물 타겟을 제조하는 제조방법에 있어서, 상기 금속산화물을 조성하는 각 조성물을 적정 크기로 분쇄하여, 소정 조성비율로 혼합시키는 혼합단계와; 상기 소정 조성비로 혼합된 시료를 도가니에 수용시키는 수용단계와; 상기 도가니를 버너에 의해 가열하여 시료를 용융시키는 용융단계와; 상기 용융단계 도중에 상기 도가니를 버너 상부에서 선회시키는 선회단계와; 상기 도가니 내에서 완전히 용융된 시료를 성형접시로 이동시키는 이동단계와; 상기 성형접시로 이동된 용융된 시료를 냉각시키는 냉각단계와; 상기 성형접시 내에서 냉각된 시료를 분리시키는 분리단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라 적정 조성비의 금속산화물 시료를 용융하여 다양한 크기의 성형접시에 부은 후 냉각시켜 글래시 타겟 형태로 완성하여 타겟제조시간 및 노력, 비용을 월등히 개선시킨 고품질의 대면적 글래시 금속산화물 타겟을 제조할 수 있는 이점이 있다.
    • 4. 发明授权
    • 교량 방호벽 연결부용 커버체
    • 桥梁防护墙体结构
    • KR101642008B1
    • 2016-07-25
    • KR1020160006945
    • 2016-01-20
    • 주식회사 삼일테크정세영성태규장영태
    • 정세영성태규장영태
    • E01D19/10E01F15/08
    • 본발명은교량방호벽연결부용커버체에관한것으로서, 방호벽커버체를길이의신축이자유로운탄성재질로구비함으로서시공이용이하게이루어짐과함께, 차량충격으로인한파손발생이방지되도록하기위한것이다. 이를실현하기위한본 발명은, 교량방호벽(100) 사이의연결부이격공간의외부노출을방지하기위해플렉시블재질로이루어지는 2개의커버본체(10)가쌍을이루어양측방호벽(100)에각각결합되는커버체에있어서, 상기커버본체(10)는길이의가변이가능하도록웨이브형상을이루는탄력부(11)가일측에구비되고, 타측에는방호벽(100)에밀착되도록평탄면을이루는평탄부(12)가일체형구조를이루어구비되며; 상기평탄부(12)는금속재질의고정플레이트(20)에의해방호벽(100)에압착고정되는것을특징으로한다.
    • 本发明涉及一种用于桥梁保护墙壁接头的盖体,其中用于保护壁的盖体由弹性材料制成,其长度可以自由地拉伸以便于安装并防止车辆撞击造成的损坏。 根据本发明,盖体包括一对由柔性材料制成的盖体(10),以防止将桥梁保护壁(100)之间的接头的分离空间暴露于外部并安装在保护壁( 100)。 盖体(10)包括:弹性单元(11),其具有波形以改变其长度并且设置在其一侧上; 和设置在其另一侧的扁平单元(12)形成为紧密地附接到保护壁(100)的平坦表面,并且具有一体的结构。 扁平单元(12)通过金属材料的固定板(20)按压并固定在保护壁(100)上。
    • 6. 发明公开
    • 준설토사 함유 폐수 처리시설 및 이를 이용한 폐수 처리방법
    • 处理含有废水的废水处理设施及其废水处理方法
    • KR1020120011938A
    • 2012-02-09
    • KR1020100072893
    • 2010-07-28
    • 정세영
    • 정세영
    • C02F1/52B01D21/01C02F9/00
    • C02F1/5227B01D21/01C02F9/00
    • PURPOSE: A facility for treating dredged soil containing wastewater and a method for treating wastewater using the same are provided to increase the settling efficiency of a settling basin by separating a sand basin and the settling basin and injecting chemical into primarily treated water from the sand basin. CONSTITUTION: A sand basin(100) precipitates sand sludge from wastewater and generates primarily treated water. A first reactor(310) and a second reactor(320) generate secondarily treated water based on coagulation of the primarily treated water and chemical. A waterway type settling basin(500) precipitates sludge by plug-flowing the secondarily treated water. A chemical injecting unit(400) injects the chemical into the reactors. Draining wells(200, 250) are arranged at the sand basin and the settling basin to reduce the moisture content of the treated water. A crane(600) moves along the path(800) of the settling basin and collects and discharges sludge from the entire of the settling basin.
    • 目的:提供一种用于处理含有废水的疏浚土壤的设施和使用该废水的废水处理方法,通过分离砂盆和沉降池并将化学品注入主要来自砂盆的处理水来提高沉降池的沉降效率 。 构成:一个砂盆(100)沉淀出废水中的砂泥,主要生成处理过的水。 基于主要处理的水和化学品的凝结,第一反应器(310)和第二反应器(320)产生二次处理的水。 水道沉降池(500)通过堵塞二次处理的水来沉淀污泥。 化学注入单元(400)将化学品注入反应器。 排水井(200,250)布置在沙盆和沉降池中,以减少处理水的含水量。 起重机(600)沿沉降池的路径(800)移动,并从整个沉淀池中收集并排出污泥。
    • 7. 发明授权
    • 단결정을 이용한 나노 물질 제조방법 및 이 방법에 의한나노 물질
    • 纳米材料采用单晶及其制造方法
    • KR100606335B1
    • 2006-08-02
    • KR1020030050337
    • 2003-07-22
    • 정세영조채용
    • 정세영조채용박상언
    • B82B3/00B82Y40/00
    • 본 발명은 단결정을 이용한 나노물질 제조방밥 및 이 방법에 의해 제조되는 나노물질에 관한 것으로, X(X:3족원소)에 NaN
      3 를 혼합한 혼합물을 형성시켜 성장도가니에 봉입한 후, 상기 성장도가니측으로 질소가스를 공급시킴에 의해 XN 단결정을 성장시키는 단결정 형성과정과; 상기 단결정 형성과정에서 형성된 XN 단결정을 연마하여 수십 내지 수 마이크로 크기의 XN 미분체로 형성시키는 미분체 형성과정과; 공기분위기에서 상기 미분체 형성과정에서 형성된 XN 미분체를 도가니에 수용하여 열처리 시키는 열처리과정; 그리고, 열처리과정을 거친 후 도가니의 온도를 상온까지 냉각시키는 냉각과정;을 포함하여 구성되어 X
      2 O
      3 나노 물질이 형성되는 단결정을 이용한 나노 물질 제조방법을 기술적 요지로 한다. 그리고, 본 발명은 질소가스공급에 의한 플럭스법으로 형성된 XN(X:3족원소) 단결정을 미분체로 분쇄하고, 도가니 내에 수용하여 공기분위기에서 열처리 한 후, 상온으로 냉각시킴에 의해 X
      2 O
      3 나노 물질이 형성되는 단결정을 이용한 나노 물질을 또한 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 플럭스로 NaN
      3 를 이용하고 질소가스를 공급시킴에 의해 형성된 XN단결정을 이용하여 나노입자를 형성시킴에 의해 나노 입자 크기의 균일하고, 불순물의 영향이 거의 없는 고품위의 X
      2 O
      3 나노 물질이 형성된다는 이점이 있다.
      나노물질 플럭스 단결정 미분체 열처리 냉각
    • 9. 发明授权
    • 마그네슘 다이보라이드 단결정 및 그 제조방법
    • 二硼化镁的单晶及其制造方法
    • KR100524130B1
    • 2005-10-26
    • KR1020020019132
    • 2002-04-09
    • 정세영조채용주식회사 컴텍스
    • 정세영조채용
    • C30B1/00
    • 본 발명은 마그네슘 다이보라이드(MgB
      2 ) 단결정에 관한 것으로, 마그네슘(Mg)에 보론(B)을 첨가하고, 여기에 나트륨(Na), 리튬(Li), 루비듐(Rb), 칼륨(K) 중에서 선택된 하나의 알칼리금속을 첨가하여 원료시약을 제작하여 성장도가니에 수용시켜 외부도가니로 밀봉하고, 외부에서 가열시킴과 동시에 성장도가니 내부를 가압시킨 후, 상온까지 단계적으로 냉각시키고 가압해제 시킴에 의해 형성되는 마그네슘 다이보라이드 단결정 및 최초의 반응물질로 마그네슘(Mg)에 보론(B)을 첨가하고, 촉매제로서 알칼리 원소를 첨가하여 혼합물을 형성시키는 혼합과정과; 상기 혼합물을 성장도가니에 수용시키고, 상측에 압력전달튜브가 형성된 외부도가니 내에 성장도가니를 위치시킨 후, 성장도가니를 외부로 부터 밀봉시키는 밀봉과정과; 상기 외부도가니를 가스 공급이 가능한 수정관이 설치된 가열로의 수정관 내부에 위치시킨후, 수정관측으로 가스를 공급시키면서 성장도가니를 가온,가압시키는 가온가압과정과; 상기 가온가압과정 후, 상기 성장도가니를 상온까지 단계적으로 냉각시키는 냉각과정; 그리고, 내부의 압력을 제거한 후, 성장도가니를 개봉하여 세척 및 건조 시키는 후처리과정;을 포함하여 구성되는 마그네슘 다이보라이드 단결정 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 알칼리 원소를 촉매제(catalyst)로 이용한 플럭스 법을 사용하여 비교적 저온 및 저압하에서 마그네슘 다이보라이드 단결정을 제조하게 되어 제작이 용이함과 동시에 제작원가를 절감시키는 이점이 있다.
    • 10. 实用新型
    • 시디플레이어용 삼차원 진동방지 랙
    • 用于CD播放机的3-D防震架
    • KR200391407Y1
    • 2005-08-05
    • KR2020050007804
    • 2005-03-22
    • 정세영
    • 정세영조채용박상언
    • G11B33/08
    • G11B33/08G11B19/2018G11B2220/2545
    • 본 고안은 시디플레이어용 삼차원 진동방지 랙에 관한 것으로, 사곽프레임 형상으로 형성되며, 상부에 상부고리가 다수개 형성된 본체와; 상기 본체 내부에 수평으로 형성되며, 관통공이 상기 상부고리에 대응되는 위치에 형성된 앰프거치대와; 상기 앰프거치대 하부에 형성되며, 하부고리가 상기 관통공에 대응되는 위치에 형성된 시디플레이어거치대와; 상기 본체의 상부고리에 탄성결합되어 상기 앰프거치대와 접촉되지 않도록 관통공을 통과하여 상기 시디플레이어거치대의 하부고리에 탄성결합되는 탄성결합부재;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 시디플레이어용 삼차원 진동방지 랙을 기술적 요지로 한다. 또한, 시디플레이어거치대와; 상기 시디플레이어거치대 하부에 형성되며, 상부받침대와, 상기 상부받침대 하부에 형성되어 상기 상부받침대와 수직베어링에 의해 연결된 하부받침대로 형성되고, 상기 상부받침대와 하부받침대 각각의 대응되는 위치에 자성체가 형성되어 상기 상부받침대가 자기부양되도록 형성된 받침대와; 상기 시디플레이어거치대와 상기 상부받침대 사이에 탄성결합된 탄성결합부재;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 시디플레이어용 삼차원 진동방지 랙을 또 다른 기술적 요지로 한다. 이에 따라 시디플레이어에 전달되는 수평방향 및 수직방향의 모든 진동을 막을 수 있어 깨끗한 음질에 의한 최고의 음악을 감상할 수 있는 이점이 있다.