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1. 发明公开

KR1020140016995A 가스 배리어성 필름, 가스 배리어성 필름의 제조 방법 및 전자 디바이스 有权
标题翻译：气体阻隔膜，气体阻隔膜的制造工艺和电子设备
公开(公告)号：KR1020140016995A
公开(公告)日：2014-02-10
申请号：KR1020137034662
申请日：2012-06-13
申请人： 코니카 미놀타 가부시키가이샤
发明人： 모리다카히로
IPC分类号： B32B9/00 , B32B5/14 , B05D1/38 , B05D7/24 , H01L51/50
CPC分类号： H01L31/0203 , B05D3/067 , B05D3/145 , B05D7/04 , B05D7/546 , B05D7/586 , B05D2252/10 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B27/281 , B32B27/283 , B32B27/285 , B32B27/286 , B32B27/302 , B32B27/304 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B2307/306 , B32B2307/412 , B32B2307/7242 , B32B2457/00 , C23C16/0272 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C18/14 , H01L31/049 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L2251/558 , Y02E10/50 , Y10T428/24975
摘要： 본 발명은 매우 우수한 가스 배리어 성능과 높은 내구성을 갖는 가스 배리어성 필름, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 전자 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 가스 배리어성 필름은, 기재 위에, 적어도 Si와 O와 N을 함유하는 가스 배리어층이 2층 이상 적층된 가스 배리어성 필름이며, 가스 배리어층 전체에 있어서 두께 방향의 조성 분포가 기재에 가까운 것부터 순서대로, 하기 (A)의 조성 범위를 만족하는 두께 방향으로 연속된 20nm 이상의 영역과, 하기 (B)의 조성 범위를 만족하는 두께 방향으로 연속된 50nm 이상의 영역을 갖는 것을 특징으로 한다. (A) 가스 배리어층의 조성을 SiOwNx로 나타냈을 때, w≥0.8, x≥0.3, 2w+3x≤4이다. (B) 가스 배리어층의 조성을 SiOyNz로 나타냈을 때, 0
摘要翻译：本发明提供阻气性优异，耐久性高的阻气膜及其制造方法以及使用该阻气膜的电子装置。所述阻气膜具有至少两个至少含有Si，O和N并且层压在基板上的气体阻隔层，其中阻气层的总厚度组成分布包括厚度方向连续区域 20nm以上，满足以下组成范围（A）和厚度为50nm以上的厚度连续区域，从基板侧依次满足以下组成范围（B）。（A）：当阻气层的组成以SiO wNx，w‰¥0.8，x‰¥0.3，2w + 3x‰4表示时，（B）：当表示阻气层的组成时通过SiOyNz，0

2. 发明公开

KR1020130086381A 가스 배리어성 필름 및 전자 디바이스 有权
标题翻译：气体阻隔膜和电子器件
公开(公告)号：KR1020130086381A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：KR1020137016080
申请日：2011-12-01
申请人： 코니카 미놀타 가부시키가이샤
发明人： 모리다카히로
IPC分类号： B32B9/00 , B05D3/06 , B05D7/24
CPC分类号： H01L23/564 , C08J7/042 , C08J2383/02 , C23C14/0676 , C23C14/562 , C23C16/0272 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C26/00 , C23C28/04 , H01L2924/0002 , Y10T428/26 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 가스 배리어 성능, 내열성이 우수한 가스 배리어성 필름과, 그것을 사용한 내구성이 우수한 전자 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 기재 상에, 물리 증착법 또는 화학 증착법에 의해 형성된 Si와 N을 함유하는 제1 가스 배리어층과, 폴리실라잔 화합물을 함유하는 용액을 도포하여 형성된 제2 가스 배리어층을 갖고, 그 제2 가스 배리어층은 진공 자외선을 조사하여 개질 처리가 실시되고, 각각의 층의 조성을 SiO
x N
y 로 나타냈을 때, 그 제2 가스 배리어층의 두께 방향에 있어서의 조성 SiO
x N
y 의 분포가, 하기 (A)에서 규정하는 조건을 만족시키는 가스 배리어성 필름에 관한 것이다. (A) 상기 제2 가스 배리어층이, 0.25≤x≤1.1이고 또한 0.4≤y≤0.75인 영역을, 두께 방향으로 50㎚ 이상 가질 것.
摘要翻译：提供了阻气性和耐热性优异的阻气膜; 以及使用阻气膜的耐久性优异的电子设备。阻气膜在基材上具有通过物理气相沉积法或化学气相沉积法形成并含有Si和N的第一阻气层; 以及通过涂布含有聚硅氮烷化合物的溶液形成的第二阻气层，其中通过用真空紫外线照射来对第二阻气层进行转化处理; 并且当每层的组成由SiO x N y表示时，第二阻气层的组成SiO x N y在厚度方向上的分布满足以下（A）中规定的条件：（A）第二阻气层包括厚度方向为0.25‰×‰¤1.1和0.4‰¤y‰¤0.75的区域的50nm以上。

3. 发明授权

KR101905298B1 가스 배리어성 필름 및 전자 디바이스 有权
公开(公告)号：KR101905298B1
公开(公告)日：2018-10-05
申请号：KR1020167036284
申请日：2015-06-24
申请人： 코니카 미놀타 가부시키가이샤
发明人： 모리다카히로
IPC分类号： C08J7/04 , C09D183/16 , C08J7/12 , H05B33/02 , H05B33/04 , H01L51/50
CPC分类号： B32B27/00 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/04
摘要： 높은가스배리어성과우수한가스배리어성의면내균일성을갖는가스배리어성필름을제공한다. 또한, 고온고습환경에서의내구성이우수한전자디바이스를제공한다. 기재위에앵커코팅층, 상기앵커코팅층에접하고있고진공성막법에의해형성되는가스배리어층을이 순서대로갖는가스배리어성필름이며, 상기앵커코팅층은, 폴리실라잔을함유하는층에에너지를인가한개질처리를행하여얻어지는층이며, 또한, 상기앵커코팅층의두께를 A(㎚)라하고, 상기앵커코팅층전체의규소원자에대한질소원자의원자비(N/Si)를 B라했을때, A×B≤60인, 가스배리어성필름.

4. 发明公开

KR1020170012411A 가스 배리어성 필름 및 전자 디바이스 审中-实审
标题翻译：气体阻隔膜和电子器件
公开(公告)号：KR1020170012411A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020167036284
申请日：2015-06-24
申请人： 코니카 미놀타 가부시키가이샤
发明人： 모리다카히로
IPC分类号： C08J7/04 , C09D183/16 , C08J7/12 , H05B33/02 , H05B33/04 , H01L51/50
CPC分类号： B32B27/00 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/04
摘要： 높은가스배리어성과우수한가스배리어성의면내균일성을갖는가스배리어성필름을제공한다. 또한, 고온고습환경에서의내구성이우수한전자디바이스를제공한다. 기재위에앵커코팅층, 상기앵커코팅층에접하고있고진공성막법에의해형성되는가스배리어층을이 순서대로갖는가스배리어성필름이며, 상기앵커코팅층은, 폴리실라잔을함유하는층에에너지를인가한개질처리를행하여얻어지는층이며, 또한, 상기앵커코팅층의두께를 A(㎚)라하고, 상기앵커코팅층전체의규소원자에대한질소원자의원자비(N/Si)를 B라했을때, A×B≤60인, 가스배리어성필름.
摘要翻译：提供了具有良好的阻气性和优异的阻气性的面内均匀性的阻气膜。此外，提供了在高温，高湿度环境下具有优异的耐久性的电子设备。该阻气膜依次包括固定涂层和阻气层，其中阻气层与锚涂层接触并通过真空沉积形成。该固着涂层通过重整工艺获得，该方法涉及向含有聚硅氮烷的层施加能量，并且将A（nm）定义为锚固涂层的厚度，B作为氮原子的原子比（N / Si）在整个锚涂层中的硅原子，它认为A×B≤60。

5. 发明授权

KR101452680B1 가스 배리어성 필름, 가스 배리어성 필름의 제조 방법 및 전자 디바이스 有权
标题翻译：气体阻隔薄膜，气体阻隔薄膜及电子装置的制造方法
公开(公告)号：KR101452680B1
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：KR1020137034662
申请日：2012-06-13
申请人： 코니카 미놀타 가부시키가이샤
发明人： 모리다카히로
IPC分类号： B32B9/00 , B32B5/14 , B05D1/38 , B05D7/24 , H01L51/50
CPC分类号： H01L31/0203 , B05D3/067 , B05D3/145 , B05D7/04 , B05D7/546 , B05D7/586 , B05D2252/10 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B27/281 , B32B27/283 , B32B27/285 , B32B27/286 , B32B27/302 , B32B27/304 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B2307/306 , B32B2307/412 , B32B2307/7242 , B32B2457/00 , C23C16/0272 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C18/14 , H01L31/049 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L2251/558 , Y02E10/50 , Y10T428/24975
摘要： 본 발명은 매우 우수한 가스 배리어 성능과 높은 내구성을 갖는 가스 배리어성 필름, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 전자 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 가스 배리어성 필름은, 기재 위에, 적어도 Si와 O와 N을 함유하는 가스 배리어층이 2층 이상 적층된 가스 배리어성 필름이며, 가스 배리어층 전체에 있어서 두께 방향의 조성 분포가 기재에 가까운 것부터 순서대로, 하기 (A)의 조성 범위를 만족하는 두께 방향으로 연속된 20nm 이상의 영역과, 하기 (B)의 조성 범위를 만족하는 두께 방향으로 연속된 50nm 이상의 영역을 갖는 것을 특징으로 한다. (A) 가스 배리어층의 조성을 SiOwNx로 나타냈을 때, w≥0.8, x≥0.3, 2w+3x≤4이다. (B) 가스 배리어층의 조성을 SiOyNz로 나타냈을 때, 0
摘要翻译：本发明公开了具有优异的气体阻隔性和高耐久性的气体阻隔性膜，其制造方法以及使用其的电子设备。本发明的阻气性膜在上述至少Si和O所描述的，和N是气体阻隔层是在所描述的含有在厚度方向上的气体阻隔层的整个组合物的分布的两个或更多层的阻气膜叠层体，从关闭序列，50nm以上的区域中满足的组成范围的厚度方向上连续的特征在于具有在满足为20nm或更多个区域的组成范围的厚度方向的下述（a）一个系列，和与（B）。（A）当阻气层的组成由SiOwNx表示时，w≤0.8，x≤0.3和2w +3x≤4。（B）气体阻隔层的组成由SiO y N z表示时，0

6. 发明授权

KR101430892B1 가스 배리어성 필름 및 전자 디바이스 有权
标题翻译：气体阻隔膜和电子器件
公开(公告)号：KR101430892B1
公开(公告)日：2014-08-18
申请号：KR1020137016080
申请日：2011-12-01
申请人： 코니카 미놀타 가부시키가이샤
发明人： 모리다카히로
IPC分类号： B32B9/00 , B05D3/06 , B05D7/24
CPC分类号： H01L23/564 , C08J7/042 , C08J2383/02 , C23C14/0676 , C23C14/562 , C23C16/0272 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C26/00 , C23C28/04 , H01L2924/0002 , Y10T428/26 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 가스 배리어 성능, 내열성이 우수한 가스 배리어성 필름과, 그것을 사용한 내구성이 우수한 전자 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 기재 상에, 물리 증착법 또는 화학 증착법에 의해 형성된 Si와 N을 함유하는 제1 가스 배리어층과, 폴리실라잔 화합물을 함유하는 용액을 도포하여 형성된 제2 가스 배리어층을 갖고, 그 제2 가스 배리어층은 진공 자외선을 조사하여 개질 처리가 실시되고, 각각의 층의 조성을 SiO
x N
y 로 나타냈을 때, 그 제2 가스 배리어층의 두께 방향에 있어서의 조성 SiO
x N
y 의 분포가, 하기 (A)에서 규정하는 조건을 만족시키는 가스 배리어성 필름에 관한 것이다. (A) 상기 제2 가스 배리어층이, 0.25≤x≤1.1이고 또한 0.4≤y≤0.75인 영역을, 두께 방향으로 50㎚ 이상 가질 것.
摘要翻译：提供了阻气性和耐热性优异的阻气膜; 以及使用阻气膜的耐久性优异的电子设备。阻气膜在基材上具有通过物理气相沉积法或化学气相沉积法形成并含有Si和N的第一阻气层; 以及通过涂布含有聚硅氮烷化合物的溶液形成的第二阻气层，其中通过用真空紫外线照射来对第二阻气层进行转化处理; 并且当每层的组成由SiO x N y表示时，第二阻气层的组成SiO x N y在厚度方向上的分布满足以下（A）中规定的条件：（A）第二阻气层包括厚度方向为0.25‰×‰¤1.1和0.4‰¤y‰¤0.75的区域的50nm以上。

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