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1. 发明授权

KR100241342B1 사이드로브가 제어된 격자도움 수직결합형 광필터 및 그의 제조 방법 失效
标题翻译：具有良好抑制特征的光栅辅助垂直耦合光耦滤波器及其实现方法
公开(公告)号：KR100241342B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970039416
申请日：1997-08-19
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 박찬용 , 이승원 , 김덕봉 , 오광룡 , 김홍만
IPC分类号： H01L31/0232
CPC分类号： G02B6/12002 , G02B6/12007 , G02B2006/12107 , G02B2006/12147
摘要： 본 발명은 파장 선택 가변 반도체 광필터에서 선택영역 성장법을 적용하여 도파로 사이의 광결합 효율을 가중화함으로써 광필터의 특성을 저해하는 사이드로브(sidelobe)가 제어된 광필터와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 선택영역 성장법에 있어서 성장이 이루어지지 않는 유전체 박막 마스크의 폭을 조절함으로써 성장층의 두께를 선택적으로 조절할 수 있고, 이 현상을 두 도파로 사이의 거리 조절에 활용함으로써 파장 선택 가변 반도체 광필터의 두 도파로 사이의 거리를 조절할 수 있으며, 따라서 두 도파로 사이의 광결합효율을 공간적으로 바꿀 수 있게 된다. 두 도파로 사이의 거리가 삼각함수의 한 주기에 해당되도록 임의로 조절한다면 사이드로브 특성이 크게 향상되기 때문에 본 발명을 적용하면 특성이 매우 우수한 반도체 광필터를 제작할 수 있다.

2. 发明公开

KR1019970054558A 수직형 경사구조의 출력단을 갖는 광변조기 집적소자의 제조방법 失效
标题翻译：用于制造具有垂直倾斜输出级的光调制器集成装置的方法
公开(公告)号：KR1019970054558A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950053687
申请日：1995-12-21
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 이승원 , 김정수 , 남은수 , 박종대 , 김홍만
IPC分类号： H01L31/00
摘要： 본 발명은 선택적 유기금속성장을 이용하여 테이퍼(taper) 구조의 출력단을 갖는 광결합효율이 향상된 광변조기 집적소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 그 특징은 광변조기 집적소자에 있어서, 선택적 MOVPE 결정성장과 조절식각을 이요하여 수직형 테이퍼 광 모드 변환기가 접적화된 InGaAsP MQW 흡수층의 단위 광 변조 소자로된 데에 있고, 그 다른 특징은 광변조기 집적소자에 있어서, 선택적 MOVPE 결정성장과 조절식각을 이용하여 수직형 테이퍼 광 모드 변환기를, 광변조기가 집적된 DFB 레이져에 추가로 집적화한 데에 있으므로, 본 발명은 광모드 변환기가 없는 경우에 비하여 무반사 박막 제작 조건을 상당히 완화시켜 무반사 박막 공정의 신뢰성과 재현성을 높일 뿐만 아니라 결국 광변조기 집적 DFB 레이져 소자자체의 성능을 향상시킨다는 효과가 있 다.

3. 发明授权

KR100169836B1 회절격자의 형성 방법 失效
标题翻译：形成衍射光栅的方法
公开(公告)号：KR100169836B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950025698
申请日：1995-08-21
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 박종대 , 이승원 , 김홍만
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 본 발명은 회절 격자의 형성방법에 관한 것으로서, 반도체기판 상에 유전막과 감광막을 순차적으로 형성한 후 감광막을 광 홀로그래피 방법으로 노광하고 현상하여 패터닝하고, 패턴된 감광막을 마스크로 이용하여 반응성 이온 식각 방법에 의해 유전막을 패터닝하며, 상기 유전막을 마스크로 이용하여 반응성 이온 식각 방법에 의해 반도체기판을 이방성 식각하여 회절 격자를 형성하고 상기 유전막을 제거한다. 따라서, 공정 시간을 감소시키며 회절 격자의 단면이 직각을 이루면서 깊이와 듀티비를 용이하게 조절할 수 있다.

4. 发明公开

KR1019990016749A 사이드로브가 제어된 격자도움 수직결합형 광필터 및 그의 제조 방법 失效
标题翻译：旁瓣控制光栅辅助垂直耦合滤光器及其制造方法
公开(公告)号：KR1019990016749A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970039416
申请日：1997-08-19
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 박찬용 , 이승원 , 김덕봉 , 오광룡 , 김홍만
IPC分类号： H01L31/0232
摘要： 본 발명은 파장 선택 가변 반도체 광필터에서 선택영역 성장법을 적용하여 도파로 사이의 광결합 효율을 가중화함으로써 광필터의 특성을 저해하는 사이드로브(sidelobe)가 제어된 광필터와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 선택영역 성장법에 있어서 성장이 이루어지지 않는 유전체 박막 마스크의 폭을 조절함으로써 성장층의 두께를 선택적으로 조절할 수 있고, 이 현상을 두 도파로 사이의 거리 조절에 활용함으로써 파장 선택 가변 반도체 광필터의 두 도파로 사이의 거리를 조절할 수 있으며, 따라서 두 도파로 사이의 광결합효율을 공간적으로 바꿀 수 있게 된다. 두 도파로 사이의 거리가 삼각함수의 한 주기에 해당되도록 임의로 조절한다면 사이드로브 특성이 크게 향상되기 때문에 본 발명을 적용하면 특성이 매우 우수한 반도체 광필터를 제작할 수 있다.

5. 发明公开

KR1019960027103A 이득 결합 분포궤환형 레이저 다이오드의 제조방법 无效
标题翻译：用于制造增益耦合分布反馈激光二极管的方法
公开(公告)号：KR1019960027103A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940036366
申请日：1994-12-23
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 박종대 , 김제한 , 이승원 , 오대곤 , 주흥로 , 박형무
IPC分类号： H01S5/12
摘要： 레이저 다이오드는 n
+ -InP 기판(17) 위에 얇게 성장되는 반절연 InP 층(18)을 가지며, 기존의 광간섭을 이용한 방식에서와 같은 구조를 갖는다.
반절연 InP 층(18)이 n
+ -InP 층에 비해 상대적으로 높은 저항을 가짐으로 인해 전류의 흐름을 줄여 주는데, 본 발명에서는 이를 이용한다.
회절격자로서 반절연 InP와 n
+ -InP가 주기적으로 반복되므로, 회절격자로부터 100㎚ 정도 위에 형성되어 있는 활성층(21)에서도 빛을 발생시키기 위한 이득의 차가 주기적으로 유발되어서 활성층(21)의 이득이 회절격자를 통하여 결합(coupling)되는 효과를 가질 수 있다.

6. 发明公开

KR1019990053074A 쌍격자구조를갖는수직결합형파장가변광필터 失效
公开(公告)号：KR1019990053074A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970072644
申请日：1997-12-23
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 박찬용 , 김덕봉 , 이승원 , 김정수
IPC分类号： G02B5/20
摘要： 본 발명은 n-형 InP 기판, 그 위에 적층되고 공간적으로 제한된 InGaAsP 제 1도파로층, 제 1도파로 위에 형성된 쌍격자 구조의 격자를 갖도록 공간적으로 제한된 n-형 InGaAsP 격자층, 그 위에 적층된 n-형 InP, 그 위에 적층되고 공간적으로 제한된 p-형 InGaAsP 제 2광도파로층, 그 위에 적층된 p-형 InP 클래드층으로 구성되는 격자도움 수직결합형 광필터에 있어서, 두 도파로 사이에 삽입된 격자배열을 두개의 격자로 구성된 쌍격자 구조로 하고 쌍격자 내부의 두 격자사이의 간격을 공간적으로 조절하면 수직결합형 광필터의 단점인 사이드로브를 제어할 수 있어서 특성을 향상시키게 된다. 두 도파로 사이에 삽입된 쌍격자 구조는 쌍격자 내부의 두 격자사이의 간격은 필터소자의 가운데(중앙) 부분에서는 각 격자와 격자사이의 거리가 서로 같고 필터의 양 끝단으로 갈수록 두 격자사이의 간격이 좁아지도록 구성되는 것을 특징으로 한다.

7. 发明公开

KR1019990042571A 파장 의존성을 갖는 광검출기를 이용한 파장 안정화 장치 无效
标题翻译：使用具有波长依赖性的光检测器的波长稳定装置
公开(公告)号：KR1019990042571A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970063420
申请日：1997-11-27
申请人： 주식회사 케이티 , 한국전자통신연구원
发明人： 이동호 , 이승원 , 조호성
IPC分类号： H04J14/02 , H04B10/572
摘要： 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 파장 의존성을 갖는 광검출기를 이용한 파장 안정화 장치에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은, 파장에 따라 수신 감도가 다른 광검출기를 이용하여 복수의 광검출기에 입사된 광세기들의 차이에 해당하는 전류를 출력하여 광원의 파장을 안정시킬 수 있는 파장 안정화 장치를 제공하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 외부로부터 입력된 광원을 분할하여 파장의 변화에 관계없이 일정한 전기적 신호를 검출하고 파장에 따라 변화되는 전기적 신호를 검출하는 광 검출부; 입력된 전기적 신호들을 증폭한 후에 이를 차동 증폭하는 증폭부; 차동 증폭된 출력전압을 기준검출전압으로 나눈 값과 외부로부터 입력된 기준전압과의 오차전압을 출력하는 연산부; 및 오차전압을 전류로 변환하여 출력하는 변환부를 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 다채널 광전송 시스템 등에 이용됨.

8. 发明授权

KR100216528B1 초격자 도파로 구조를 갖는 파장가변 반도체 광여과기 失效
标题翻译：具超声波波导的半导体光电导管滤波器
公开(公告)号：KR100216528B1
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019960066279
申请日：1996-12-16
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 박찬용 , 이승원 , 김덕봉 , 오광룡 , 김홍만
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 본 발명은 초격자(superlattice) 도파로 구조를 갖는 파장가변 반도체 광여과기에 관한 것으로, 특히 파장분할 다중 방식(Wavelength Division Multiplexing: 이하, 'WDM'이라 한다)의 광통신에 사용되는 파장선택성을 갖는 광여과기(Optical Tunable Filter)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 광여과기는, n형 InP 기판(1)과, 그 위에 두께 0.5∼1㎛로 적층된 n형 InP 성장완충층(2)과, 그 위에 InGaAsP 장벽층(3a)과 InGaAsP 우물층(3b)이 교대로 적층 형성된 InGaAsP/InGaAsP 초격자구조의 제 1 광도파로층(3)과, 그 위에 두께 0.5∼1.5㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(4)과, 그 위에 두께 0.05∼0.2㎛로 적층되고 10∼20㎛의 주기를 갖도록 공간적으로 제한된 n형 또는 p형 InGaAsP 회절격자층(5)과, 그 위에 두께 0.1∼1.0㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(6)과, 그 위에 두께 0.2∼3㎛로 적층되고 1∼5㎛의 폭과 3∼10㎜의 길이를 갖도록 공간적으로 제한된 p형 InGaAsP 제 2 광도파로층(7)과, 그 위에 두께 1∼3㎛로 적충된 p형 InP 클래드층(8)과, 그 위에 두께 0.05∼0.3㎛로 적충된 p형 InGaAsP 오믹 접촉층(9)으로 구성된 웨이퍼 상에, 상기한 제 2 광도파로층(7)보다 1∼10㎛ 더 넓은 창폭을 갖도록 적층된 실리콘 나이트라이드(SINx) 또는 이산화 규소(SiO
2 )와 같은 유전체층(10)과, 그 위에 적층된 p형 전극금속층(11) 및 상기한 기판(1) 아래에 형성된 n형 전극금속층(12)으로 이루어진다.

9. 发明公开

KR1019980047765A 초격자 도파로 구조를 갖는 파장가변 반도체 광여과기 失效
标题翻译：具有超晶格波导结构的可调谐半导体光学滤波器
公开(公告)号：KR1019980047765A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960066279
申请日：1996-12-16
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 박찬용 , 이승원 , 김덕봉 , 오광룡 , 김홍만
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 본 발명은 초격자(superlattice) 도파로 구조를 갖는 파장가변 반도체 광여과기에 관한 것으로, 특히 파장분할 다중 방식(Wavelength Division Multiplexing : 이하, 'WDM'이라 한다)의 광통신에 사용되는 파장 선택성을 갖는 광여과기(Optical Tunable Filter)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 광여과기는, n형 InP 기판(1)과, 그 위에 두께 0.5~1㎛로 적층된 n형 InP 성장완충층(2)과, 그 위에 InGaAsP 장벽층(3a)과 InGaAsP 우물층(3b)이 교대로 적층 형성된 InGaAsP/InGaAsP 초격자구조의 제 1 광도파로층(3)과, 그 위에 두께 0.5~1.5㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(4)과, 그 위에 두께 0.05~0.2㎛로 적층되고 10~20㎛의 주기를 갖도록 공간적으로 제한된 n형 또는 p형 InGaAsP 회절격자층(5)과, 그 위에 두께 0.1~1.0㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(6)과, 그 위에 두께 0.2~3㎛로 적층되고 1~5㎛의 폭과 3~10mm의 길이를 갖도록 공간적으로 제한된 p형 InGaAsP 제 2 광도파로층(7)과, 그 위에 두께 1~3㎛로 적층된 p형 InP 클래드층(8)과, 그 위에 두께 0.05~0.3㎛로 적층된 p형 InGaAs 오믹 접촉층(9)으로 구성된 웨이퍼 상에, 상기한 제 2 광도파로층(7)보다 1~10㎛ 더 넓은 창폭을 갖 도록 적층된 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 이산화규소(SiO
2 )와 같은 유전체층(10)과, 그 위에 적층된 p형 전극금속층(11) 및 상기한 기판(1) 아래에 형성된 n형 전극금속층(12)으로 이루어진다.

10. 发明公开

KR1019970032982A 유기 금속기상 에피택시 장치의 배기가스 정화 시스템 无效
标题翻译：有机金属气相外延装置的废气净化系统
公开(公告)号：KR1019970032982A
公开(公告)日：1997-07-22
申请号：KR1019950049263
申请日：1995-12-13
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 김정수 , 이승원 , 주흥로 , 김홍만
IPC分类号： B01D53/34
摘要： 본 발명은 유기금속기상에피택시 장치의 배기가스 정화시스템에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 다량의 포스핀을 사용하는 유기금속기상에피택시 장치에서 배출되는 독성가스를 효과적으로 정화할 수 있는 동시에 진공펌프에서 발생되는 오일미스트에 의한 독성가스의 제독능력의 하락을 방지할 수 있는 배기가스 정화시스템에 관한 것이다.
본 발명의 유기금속기상에피택시 장치의 배기가스 정화시스템은, 반응실을 진공으로 유지하기 위한 로타리 배인펌프(101)와, 전기한 로타리 배인펌프(101)의 후단에 형성되어 반응실로부터 배출된 PH
3 의 분해산물인 포스포러스를 흡착시켜 오일미스트 필터(103)의 막힘을 방지하며 오일미스트를 흡착시키기 위한 주 활성탄 스크러버(102)와, 전기한 주 활성탄 스크러버(102)의 후단에 형성되어 전기한 주 활성탄 스크러버(102)에서 흡착되지 못한 오일미스트를 흡착 및 응축시키기 위한 오일미스트 필터(103)와, 오일미스트 필터(103)의 후단에 형성되어 전기한 오일미스트 필터(103)에 응축된 펌프오일로부터 발생하는 독성가스를 제독하기 위한 보조 활성탄 스크러버(104)를 포함한다.

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