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1. 发明公开

KR1020100095763A 반도체 패키지 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100095763A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：KR1020090014744
申请日：2009-02-23
申请人： 주식회사 케이이씨
发明人： 박중언 , 최재식 , 박황희 , 백준영
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/37 , H01L2224/37011 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/48247 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/92246 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099
摘要： PURPOSE: A semiconductor package and a manufacturing method thereof are provided to improve an electric property and a thermal fatigue by preventing a fall-down phenomenon in a bonding process. CONSTITUTION: A plurality of leads(120) is arranged on one side of a die paddle in parallel. A semiconductor die(130) is electrically connected to the die paddle. A clip electrically connects the plurality of leads with the semiconductor die. An encapsulant(160) encapsulates the die paddle, a plurality of leads, a semiconductor die and the clip and exposes the lower side of the lead and the die paddle to the outside. At least one recess is formed on the lead. A conductive adhesive is interposed between the recess and the outer surface thereof and fixes the clip to the lead.
摘要翻译：目的：提供半导体封装及其制造方法，以通过防止接合工艺中的下降现象来改善电性能和热疲劳。构成：多个引线（120）平行布置在管芯焊盘的一侧。半导体管芯（130）电连接到管芯焊盘。夹子将多个引线与半导体管芯电连接。密封剂（160）封装管芯焊盘，多个引线，半导体管芯和夹子，并将引线和管芯焊盘的下侧暴露于外部。在引线上形成至少一个凹槽。导电粘合剂插入在凹部和其外表面之间，并将夹子固定到引线上。

2. 发明授权

KR101014915B1 반도체 패키지 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101014915B1
公开(公告)日：2011-02-15
申请号：KR1020090014744
申请日：2009-02-23
申请人： 주식회사 케이이씨
发明人： 박중언 , 최재식 , 박황희 , 백준영
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/37 , H01L2224/37011 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/48247 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/92246 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099
摘要： 본 발명은 반도체 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 본딩 공정중 클립의 위치 이동을 방지하고, 솔더의 흘러 내림 현상을 방지하며, 전기적 특성 및 열피로 특성을 향상시키는 데 있다.
이를 위해 본 발명은 다이 패들과, 다이 패들의 일측에 나란하게 배열된 다수의 리드와, 다이 패들에 전기적으로 접속된 반도체 다이와, 다수의 리드와 반도체 다이를 전기적으로 접속하는 클립과, 다이 패들, 다수의 리드, 반도체 다이 및 클립을 인캡슐레이션하되, 리드 및 다이 패들의 저면은 외부로 노출되도록 하는 인캡슐란트를 포함하고, 리드에는 적어도 하나의 요홈이 형성되고, 요홈 및 그 외주연에는 도전성 접착제가 개재되어 클립을 고정하는 반도체 패키지를 개시한다.

3. 发明授权

KR101129733B1 전력용 반도체 디바이스 有权
标题翻译：功率半导体器件
公开(公告)号：KR101129733B1
公开(公告)日：2012-03-23
申请号：KR1020100080844
申请日：2010-08-20
申请人： 주식회사 케이이씨
发明人： 박중언 , 최재식
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/495
摘要： 이 발명은, 메인 터미널이나 보조 터미널의 솔더링 접합시 셀프얼라인이 가능함으로써 터미널을 지지해주는 지그를 필요로 하지 않으며, 터미널의 단자 절곡 공정을 생략함으로써 제조공정을 단순화시켜서 제조비용을 절감할 수 있는, 전력용 반도체 디바이스에 관한 것으로서,
커버와, 셀프 얼라인되어 상기한 커버에 삽입된 후 절곡되어 결합되어 있는 적어도 하나 이상의 메인 터미널과, 셀프 얼라인되어 상기한 커버에 삽입된 후 절곡되어 결합되어 있는 적어도 하나 이상의 보조 터미널과, 상기한 보조 터미널이 삽입 성형사출되어 있으며 상기한 커버와 결합되는 케이스를 포함하여 이루어진다.

4. 发明公开

KR1020110075231A 전력 반도체 패키지 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：功率半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110075231A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：KR1020090131618
申请日：2009-12-28
申请人： 주식회사 케이이씨
发明人： 박중언 , 최재식
IPC分类号： H01L23/36 , H01L29/78
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/83385 , H01L2924/13034 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L23/50 , H01L23/3677 , H01L23/488 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： PURPOSE: A power semiconductor package and a manufacturing method thereof are provided to disperse and buffer thermal stress by forming a trench at a heat-sink. CONSTITUTION: A semiconductor die includes a first electrode(111) which is formed thereon. A second electrode(112) is formed in the opposite direction of the first electrode. A heat sink(120) is connected to the first electrode of the semiconductor die. A plurality of protrusions(121a) is formed toward the first electrode. A first solder(130) is inserted between the first electrode of the semiconductor die and the heat sink.
摘要翻译：目的：提供功率半导体封装及其制造方法，通过在散热器上形成沟槽来分散和缓冲热应力。构成：半导体管芯包括形成在其上的第一电极（111）。第二电极（112）沿第一电极的相反方向形成。散热器（120）连接到半导体管芯的第一电极。多个突起（121a）朝向第一电极形成。第一焊料（130）插入在半导体管芯的第一电极和散热器之间。

5. 外观设计

KR3005999610000S 有权
公开(公告)号：KR3005999610000S
公开(公告)日：2011-05-27
申请号：KR3020090057592
申请日：2009-12-30
申请人： 주식회사 케이이씨
设计人： 최재식 , 박중언

6. 发明公开

KR1020120017902A 전력용 반도체 디바이스 有权
标题翻译：功率半导体器件
公开(公告)号：KR1020120017902A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020100080844
申请日：2010-08-20
申请人： 주식회사 케이이씨
发明人： 박중언 , 최재식
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/495
CPC分类号： H01L23/32 , H01L23/04 , H01L23/50
摘要： PURPOSE: A power semiconductor device is provided to reduce manufacturing costs by omitting a terminal bending process. CONSTITUTION: A cover(1) includes a support for a soldering junction. A main terminal(2) is self-aligned and is bent and combined with the cover after the main terminal is inserted into the cover. A sub terminal(4,5,6) is self-aligned and is bent and combined with the cover after the sub terminal is inserted into the cover. The sub terminal is inserted and molded in a case and is combined with the cover. A terminal unit of the main terminal is fixed to a bolt coupling groove with a bolt and a nut.
摘要翻译：目的：提供功率半导体器件，通过省略端子弯曲工艺来降低制造成本。构成：盖（1）包括用于焊接接头的支撑。主端子（2）自主对准，并在主端子插入盖子之后弯曲并与盖子组合。子端子（4,5,6）是自对准的，并且在子端子插入盖子之后弯曲并与盖组合。子端子插入并模制在壳体中并与盖组合。主端子的端子单元用螺栓和螺母固定在螺栓连接槽上。

7. 发明授权

KR101067980B1 전력 반도체 패키지 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：功率半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：KR101067980B1
公开(公告)日：2011-09-26
申请号：KR1020090131618
申请日：2009-12-28
申请人： 주식회사 케이이씨
发明人： 박중언 , 최재식
IPC分类号： H01L23/36 , H01L29/78
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/83385 , H01L2924/13034 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 본 발명은 전력 반도체 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 히트싱크에 다수의 돌기, 요철 또는 딤플을 형성하고, 그 위에 반도체 다이를 장착함으로써, 반도체 다이가 정확히 수평 상태로 히트싱크에 장착되도록 함과 동시에, 반도체 다이와 히트싱크 사이의 접합 면적을 증가시켜 신뢰성을 향상시키는데 있다.
이를 위해 본 발명은 제1전극이 형성되고, 상기 제1전극의 반대 방향에 제2전극이 형성된 반도체 다이; 상기 반도체 다이의 제1전극에 접속되며, 상기 제1전극을 향하여 다수의 돌기가 형성된 히트싱크; 상기 반도체 다이의 제1전극과 상기 히트싱크 사이에 개재된 제1솔더; 및, 상기 반도체 다이의 제2전극에 형성된 제2솔더로 이루어진 전력 반도체 패키지 및 그 제조 방법을 개시한다.

8. 发明授权

KR101014941B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101014941B1
公开(公告)日：2011-02-15
申请号：KR1020080106653
申请日：2008-10-29
申请人： 주식회사 케이이씨
发明人： 허홍표 , 최재식
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/28
CPC分类号： H01L24/73 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/36 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/40249 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49 , H01L2224/49111 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/37099
摘要： 본 발명은 드레인 전극과 소스 전극 간 온저항(R
ds(ON) )을 낮추고 방열 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 장치는 다이 패드, 상기 다이 패드의 상부에서 외부 방향으로 연장된 헤더부, 상기 다이 패드의 양측부에서 외부방향으로 연장된 지지바, 상기 다이 패드의 하측과 이격되어 배열되는 제 1 전극 리드, 및 상기 다이 패드의 하측과 상기 제 1 전극 리드에 이격되어 배열되는 제 2 전극 리드를 포함하는 리드 프레임; 상기 리드 프레임의 다이 패드 위에 탑재되고, 상면에 제 1 전극 패드와 제 2 전극 패드가 형성된 반도체 다이; 상기 제 1 전극 리드와 상기 제 1 전극 패드를 전기적으로 연결하는 제 1 접속 부재, 및 상기 제 2 전극 리드와 상기 제 2 전극 패드를 전기적으로 연결하는 제 2 접속 부재를 포함하는 도전성 접속 부재; 및 상기 리드 프레임, 상기 반도체 다이 및 상기 도전성 접속 부재를 덮도록 인캡슐레이션 하되, 상기 헤더부와 상기 제 1 전극 리드 및 제 2 전극 리드가 측면으로 돌출되고 상기 다이 패드의 하면이 노출되도록 형성되는 인캡슐런트를 포함하며, 상기 제 2 전극 리드의 면적이 상기 제 1 전극 리드의 면적보다 큰 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过形成具有比引线框架上的第一电极引线更大的面积的第二电极引线来改善散热性能。构成：头部单元（120）从管芯焊盘的上侧延伸到外部方向。支撑杆从芯片的两侧向外延伸。第一电极引线与管芯焊盘的下侧分离。第二电极引线（150）从芯片焊盘和第一电极引线的下侧分离。第一电极焊盘和第二电极焊盘形成在半导体管芯的上侧。导电连接单元（220）包括第一连接单元和第二连接单元。密封剂封装引线框架，半导体管芯和导电连接单元。

9. 发明公开

KR1020100047662A 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： SMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF
公开(公告)号：KR1020100047662A
公开(公告)日：2010-05-10
申请号：KR1020080106653
申请日：2008-10-29
申请人： 주식회사 케이이씨
发明人： 허홍표 , 최재식
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/28
CPC分类号： H01L24/73 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/36 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/40249 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49 , H01L2224/49111 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/37099
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve a heat radiation property by forming a second electrode lead with a larger area than a first electrode lead on a lead frame. CONSTITUTION: A header unit(120) is extended from the upper side of a die pad to the external direction. A support bar is extended from both sides of the die pad to the external direction. A first electrode lead is separated from the lower side of the die pad. A second electrode lead(150) is separated from the lower side of the die pad and the first electrode lead. The first electrode pad and the second electrode pad are formed on the upper side of a semiconductor die. A conductive connection unit(220) includes a first connection unit and a second connection unit. An encapsulant encapsulates the lead frame, the semiconductor die, and the conductive connection unit.
摘要翻译：目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过形成具有比引线框架上的第一电极引线更大的面积的第二电极引线来改善散热性能。构成：头部单元（120）从管芯焊盘的上侧延伸到外部方向。支撑杆从芯片的两侧向外延伸。第一电极引线与管芯焊盘的下侧分离。第二电极引线（150）从芯片焊盘和第一电极引线的下侧分离。第一电极焊盘和第二电极焊盘形成在半导体管芯的上侧。导电连接单元（220）包括第一连接单元和第二连接单元。密封剂封装引线框架，半导体管芯和导电连接单元。

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