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1. 发明公开

KR1020130103183A 반도체 압력센서 제조방법 有权
标题翻译：一种半导体压力传感器的制造方法
公开(公告)号：KR1020130103183A
公开(公告)日：2013-09-23
申请号：KR1020120024621
申请日：2012-03-09
申请人： 주식회사 오토산업
发明人： 민남기 , 김시동 , 최우석
IPC分类号： G01L9/04 , G01L19/04 , H01L29/84
摘要： PURPOSE: A semiconductor pressure sensor manufacturing method is provided to simply manufacture a subminiature pressure sensor for high pressures having high sensitivity properties at low costs. CONSTITUTION: A semiconductor pressure sensor manufacturing method includes the following steps of: forming at least one electrode (300) on the top of a silicon-on-insulator (SOI) wafer; forming at least on strain gauge (400) on the SOI wafer; patterning a dry-film-resist (DFR) (500) on the top of the SOI wafer; bonding glass (600) on the top of the patterned DFR; forming a sensor assembly by removing a substrate (210) on the lower part of the SOI wafer; and forming a plurality of pressure sensors by dicing the sensor assembly by a unit sensor.
摘要翻译：目的：提供半导体压力传感器制造方法，以低成本简单地制造具有高灵敏度特性的高压超小型压力传感器。构成：半导体压力传感器制造方法包括以下步骤：在绝缘体上硅（SOI）晶片的顶部上形成至少一个电极（300）; 至少在SOI晶片上形成应变计（400）; 在SOI晶片的顶部上形成干膜抗蚀剂（DFR）（500）; 粘合玻璃（600）在图案化的DFR的顶部; 通过去除所述SOI晶片的下部上的衬底（210）来形成传感器组件; 以及通过单元传感器对所述传感器组件进行切割来形成多个压力传感器。

2. 发明授权

KR100996711B1 평행광원을 가진 비분산 적외선 가스 센서 有权
标题翻译：非分散红外吸收NDIR型气体传感器与准直光源
公开(公告)号：KR100996711B1
公开(公告)日：2010-11-25
申请号：KR1020070077215
申请日：2007-07-31
申请人： 주식회사 오토산업
发明人： 김시동 , 최우석 , 방현호 , 민남기
IPC分类号： G01N21/3504 , G01N21/35 , G01N21/00
摘要： 본 발명은 비분산 적외선 흡수 타입(NDIR : Non-dispersive infrared absorption type ) 가스 센서에 관한 것이다.
본 발명에 따른 비분산 적외선 가스 센서는 광원부가 복수의 기하학적 입체의 결합에 의해 형성된 광원과, 이 광원을 구성하는 복수의 기하학적 입체면의 각 표면으로부터 방사된 빛에 대해 각각 평행광을 형성하는 복수의 오목 반사경 입체면의 다단 접합에 의해 형성된 오목 반사경부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 이 같은 양상에 따라 본 발명에 따른 비분산 적외선 가스 센서는 광경로상에서 실질적인 광의 세기를 증가시켜 센서의 소형화시키면서도 동시에 감도를 향상시킨다.
비분산, 적외선 가스 센서, NDIR

3. 发明授权

KR101306294B1 ＣＮＴ 압력센서 제조방법 有权
标题翻译：碳纳米管压力传感器的制造方法
公开(公告)号：KR101306294B1
公开(公告)日：2013-09-09
申请号：KR1020120024622
申请日：2012-03-09
申请人： 주식회사 오토산업
发明人： 민남기 , 김시동 , 최우석
IPC分类号： G01L9/00 , B81C1/00
摘要： PURPOSE: A Carbon nanotube (CNT) pressure sensor manufacturing method is provided to simply manufacture a subminiature pressure sensor for high pressures having high sensitivity properties, in which the dependence on temperatures is low, at low costs. CONSTITUTION: A CNT pressure sensor manufacturing method includes the following steps of: polishing the top of a stainless steel diaphragm (200); forming an insulating layer (300) on the top of the polished diaphragm; forming a conductive layer on the top of the insulating layer; patterning an electrode (500) on the conductive layer; forming an electrode by etching the conductive layer except for the portion in which the electrode is patterned; forming a CNT layer by coating a CNT on the top of the insulating layer in which the electrode is formed; forming a pressure gauge (700) by patterning the pressure gauge on the CNT layer formed on the top of the insulating layer. [Reference numerals] (110) Polish the upper part of a stainless steel diaphragm; (120) Form an insulating layer on the upper part of the stainless steel diaphragm; (130) Form a conductive layer on the upper part of the insulating layer; (140) Perform patterning an electrode on the conductive layer and form the electrode by removing the conductive layer except for the area of the conductive layer where the electrode is patterned; (150) Form a CNT layer by coating CNT on the upper part of the conductive layer where the electrode is formed; (160) Perform patterning a pressure gauge on the CNT layer formed on the upper part of the insulating layer and form the pressure gauge by removing the CNT layer except for the area where the pressure gauge is patterned; (AA) Start; (BB) End
摘要翻译：目的：提供碳纳米管（CNT）压力传感器制造方法，以低成本简单地制造具有高灵敏度特性的高压超低压传感器，其中温度依赖性低。构成：CNT压力传感器制造方法包括以下步骤：抛光不锈钢隔膜（200）的顶部; 在抛光的隔膜的顶部上形成绝缘层（300）; 在绝缘层的顶部形成导电层; 在导电层上形成电极（500）; 通过蚀刻除了电极被图案化的部分之外的导电层形成电极; 通过在形成有电极的绝缘层的顶部涂覆CNT形成CNT层; 通过对形成在绝缘层顶部的CNT层上的压力表进行图案化而形成压力计（700）。（附图标记）（110）抛光不锈钢隔膜的上部; （120）在不锈钢隔膜的上部形成绝缘层; （130）在绝缘层的上部形成导电层; （140）通过除去电极被图案化的导电层的区域之外的除去导电层，在导电层上进行图案化电极并形成电极; （150）通过在形成电极的导电层的上部涂覆CNT形成CNT层; （160）在形成在绝缘层上部的CNT层上进行图案化压力计，除去压力计图案区域以外除去CNT层，形成压力表; （AA）开始; （BB）结束

4. 发明授权

KR101311799B1 반도체 압력센서 제조방법 有权
标题翻译：半导体压力传感器的制造方法
公开(公告)号：KR101311799B1
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020120024621
申请日：2012-03-09
申请人： 주식회사 오토산업
发明人： 민남기 , 김시동 , 최우석
IPC分类号： G01L9/04 , G01L19/04 , H01L29/84
摘要： 본 발명은 반도체 압력센서 제조방법에 관한 것으로, 반도체 제조기술과 MEMS(Microelectromechanical Technology) 기술을 이용해 자동차 산업 등의 각종 산업 분야에서 사용될 수 있는 초소형 및 고감도 특성을 가진 고압용 압력센서를 저렴한 비용으로 간단하게 제조할 수 있도록 한 것이다.

5. 发明授权

KR101311796B1 연료량 측정장치 有权
标题翻译：测量燃料水平的装置
公开(公告)号：KR101311796B1
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020120027773
申请日：2012-03-19
申请人： 주식회사 오토산업
发明人： 김시동 , 민남기
IPC分类号： G01F1/34 , B60K15/03 , G01F1/00
摘要： PURPOSE: A fuel quantity measuring device is provided to undergo influences of external foreign materials and foreign materials contained in fuel, to almost never lead to pressure errors due to a tilt of a fuel tank, and to accurately measure a fuel quantity. CONSTITUTION: A fuel quantity measuring device includes a housing unit (10), a displacer (20), a fixed bar (40), and a cantilever beam (30). The housing unit includes holes on the top and the underside. The displacer is arranged inside the housing unit to be spaced and receives the pressure of the fuel inputted via a lower hole (12) of the housing unit. The fixed bar is fixated to the top of the housing unit. The cantilever beam is fixated to one end portion of the fixed bar and includes a metallic ball (32) receiving the pressure delivered from the displacer and a pressure resistance sensor sensing the pressure.
摘要翻译：目的：提供燃料量测量装置，以承受外部异物和包含在燃料中的异物的影响，几乎不会导致由于燃料箱倾斜导致的压力误差，并且能够精确地测量燃料量。构成：燃料量测量装置包括壳体单元（10），置换器（20），固定杆（40）和悬臂梁（30）。外壳单元包括顶部和底部的孔。置换器布置在壳体单元内以间隔开并且接收通过壳体单元的下孔（12）输入的燃料的压力。固定杆固定在外壳单元的顶部。悬臂梁被固定在固定杆的一个端部，并且包括接收从置换器输送的压力的金属球（32）和感测压力的耐压传感器。

6. 发明公开

KR1020090091433A 복수 평행광원을 가진 비분산 적외선 가스 센서 有权
标题翻译：非散射红外类型气体传感器，带有光源
公开(公告)号：KR1020090091433A
公开(公告)日：2009-08-28
申请号：KR1020080016685
申请日：2008-02-25
申请人： 주식회사 오토산업
发明人： 민남기 , 최우석
IPC分类号： G01N21/3504
摘要： A non-dispersive infrared ray gas sensor having a plurality of parallel light sources is provided to increase the sensor sensitivity and the optical power of a sensor unit about 2.5 times. A non-dispersive infrared ray gas sensor having a plurality of parallel light sources comprises an infrared ray light source part(200), an optical cavity(100), an optical sensor, and an signal compensation infrared ray light source part(300). The optical cavity comprises a reflecting surface, an optical path, and an air hole. The reflecting surface reflects consecutively the light from the infrared ray light source part. The external gas passes through the air hole. The optical sensor is located at a termination part of the optical path of the optical cavity. The optical sensor measures the intensity of infrared light of the specific wavelength band which reaches after being partly absorbed by the specialty gas. The signal compensation infrared ray light source part receives the light from the reflecting surface for the signal compensation.
摘要翻译：提供具有多个平行光源的非分散红外线传感器，以将传感器单元的传感器灵敏度和光功率提高约2.5倍。具有多个平行光源的非分散红外线传感器包括红外线光源部分（200），光学腔（100），光学传感器和信号补偿红外线光源部分（300）。光腔包括反射表面，光路和气孔。反射面连续地反射来自红外线光源部的光。外部气体通过气孔。光学传感器位于光腔的光路的终端部分。光学传感器测量特定波长带的红外光的强度，其在特殊气体被部分吸收之后到达。信号补偿红外线光源部分接收来自反射面的光用于信号补偿。

7. 发明授权

KR100944273B1 복수 평행광원을 가진 비분산 적외선 가스 센서 有权
标题翻译：具有准直光源的非分散型红外线型气体传感器
公开(公告)号：KR100944273B1
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：KR1020080016685
申请日：2008-02-25
申请人： 주식회사 오토산업
发明人： 민남기 , 최우석
IPC分类号： G01N21/3504
摘要： 본 발명은 복수 평행광원을 가진 비분산 적외선 타입(NDIR : Non-dispersive infrared type)의 가스 센서에 관한 것이다.
본 발명에 따른 비분산 적외선 가스 센서는 가스 측정용 적외선 광원부 외에 상기 가스 측정용 적외선 광원부의 경년변화에 기인하는 광 세기의 변동을 측정 보상하기 위해 필요한 신호 보상용 적외선 광원부를 더 포함하고,
상기 적외선 광원부들이 각각 복수의 기하학적 입체의 결합에 의해 형성된 광원과, 이 광원을 구성하는 복수의 기하학적 입체면의 각 표면으로부터 방사된 빛에 대해 각각 평행광을 형성하는 복수의 오목 반사경 입체면의 다단 접합에 의해 형성된 오목 반사경부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 이 같은 양상에 따라 본 발명에 따른 비분산 적외선 가스 센서는 광경로상에서 실질적인 광의 세기를 증가시켜 센서의 소형화시키면서도 동시에 감도를 향상시킨다. 또한 본 발명은 신호 보상용 적외선 광원부를 통해 가스 측정용 적외선 광원부의 경년변화에 따른 광 세기의 변동을 측정하여 보상할 수 있기 때문에, 가스 센서의 확도와 신뢰성을 지속적으로 유지시켜 줄 수 있다.
비분산, 적외선 가스 센서, NDIR

8. 发明公开

KR1020090012952A 평행광원을 가진 비분산 적외선 가스 센서 有权
标题翻译：非歧管红外吸收（NDIR）型气体传感器，带有光源
公开(公告)号：KR1020090012952A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：KR1020070077215
申请日：2007-07-31
申请人： 주식회사 오토산업
发明人： 김시동 , 최우석 , 방현호 , 민남기
IPC分类号： G01N21/3504 , G01N21/35 , G01N21/00
摘要： A non-dispersive infrared gas sensor having a parallel light source is provided to improve the sensitivity of the sensor and reduce an optical path required to achieve the same sensitivity. A non-dispersive infrared gas sensor includes an infrared light source(300), an optical cavity(100) having a geometrically arranged reflecting surface and forming an extended optical path according to multi-reflection, and an optical sensor unit(500) which is located at the termination of the optical path and measures the intensity of infrared rays of a specific wavelength, which are partially absorbed by specific gas on the optical path and then arrived at the optical sensor unit.
摘要翻译：提供具有平行光源的非分散型红外线气体传感器，以提高传感器的灵敏度并减少实现相同灵敏度所需的光路。非分散红外线气体传感器包括红外光源（300），具有几何布置的反射表面并根据多反射形成延伸光路的光学腔（100），以及光学传感器单元（500）位于光路的终端处，并且测量由光路上的特定气体部分吸收的特定波长的红外线的强度，然后到达光学传感器单元。

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