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1. 发明授权

KR100782889B1 진공처리장치용 실드링 및 그를 가지는 진공처리장치 有权
标题翻译：用于真空加工装置的真空环和具有该真空装置的真空加工装置
公开(公告)号：KR100782889B1
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：KR1020060075036
申请日：2006-08-09
申请人： 주식회사 아이피에스
发明人： 엄용택 , 허현강 , 이주희
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/32559
摘要： A shield ring and a vacuum processing apparatus having the same are provided to manufacture the shield ring easily and reduce a manufacturing cost thereof by forming the shield ring in a simple structure. Rectangular electrodes(210,220) are installed in a chamber with a processing space, and a shield ring is installed on each side of the electrode. The shield ring has plural shield members(301) connected to each other at corners of the four sides of the electrode. A first stepped portion(310) is formed on any one of the shield member. The other shield member which is connected to the shield member having the first stepped portion has a second stepped portion(320) corresponding to the first stepped portion.
摘要翻译：提供了一种屏蔽环和具有该屏蔽环的真空处理设备以通过以简单的结构形成屏蔽环来容易地制造屏蔽环并降低其制造成本。矩形电极（210,220）安装在具有处理空间的腔室中，并且屏蔽环安装在电极的每一侧上。屏蔽环具有在电极的四边的角部处彼此连接的多个屏蔽构件（301）。第一台阶部分（310）形成在屏蔽件中的任一个上。与具有第一台阶部的屏蔽部件连接的另一个屏蔽部件具有与第一台阶部对应的第二台阶部320。

2. 发明授权

KR100724285B1 균일한 플라즈마 발생을 위한 플라즈마 처리장치 有权
标题翻译： 균일한플라즈마발생을위한플라즈마처리장치
公开(公告)号：KR100724285B1
公开(公告)日：2007-06-04
申请号：KR1020050085179
申请日：2005-09-13
申请人： 주식회사 아이피에스
发明人： 허현강 , 박용준
IPC分类号： H01L21/02 , H05H1/18 , H01L21/205 , H01L21/3065
摘要： A plasma processing apparatus is provided to improve the uniformity of generation of plasma on a substrate by inducing a plasma gas to an edge portion of the substrate using a shield layer. A plasma processing apparatus includes a process chamber(100) with upper and lower electrodes(110,120). An RF(Radio Frequency) power source is applied to one of the electrodes and the ground is connected too the other. The plasma processing apparatus includes a shield layer(132) for guiding a process gas onto a substrate. The shield layer is prolonged from a lower portion of the upper electrode. The shield layer is made of an insulator.
摘要翻译：提供了一种等离子体处理设备，其通过使用屏蔽层将等离子体气体引导至基板的边缘部分来提高基板上的等离子体生成的均匀性。等离子体处理设备包括具有上电极和下电极（110,120）的处理室（100）。一个RF（射频）电源被施加到其中一个电极，而地面也被连接到另一个电极。等离子体处理设备包括用于将处理气体引导到基板上的屏蔽层（132）。屏蔽层从上电极的下部延长。屏蔽层由绝缘体制成。

3. 发明授权

KR100830126B1 진공처리장치용 전극 및 그를 가지는 진공처리장치 有权
标题翻译：真空处理装置用电极及具有该真空处理装置的真空处理装置
公开(公告)号：KR100830126B1
公开(公告)日：2008-05-20
申请号：KR1020060066110
申请日：2006-07-14
申请人： 주식회사 아이피에스
发明人： 엄용택 , 이주희 , 허현강
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205
摘要： 본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 액정디스플레이 패널용 유리기판 또는 웨이퍼 등의 기판을 식각 또는 증착하기 위한 진공처리장치용 전극 및 그를 가지는 진공처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 일측에 기판의 입출을 위한 게이트가 형성되며, 내부에 처리공정을 수행하기 위한 처리공간이 형성되는 챔버 내에 설치되어 상기 처리공간 내에서 플라즈마를 형성하도록 전원이 인가되는 전극으로서, 냉매유로와, 상기 냉매유로 내로 냉매를 공급하는 유입구와, 상기 냉매유로로부터 냉매를 배출되는 배출구가 형성되며, 상기 유입구는 상기 전극의 가장자리부분에 형성되고, 상기 배출구는 상기 전극의 중앙부분에 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치용 전극을 개시한다.
진공처리장치, 플라즈마, 냉매, 게이트, 온도편차

4. 发明授权

KR100734770B1 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子体处理装置
公开(公告)号：KR100734770B1
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：KR1020050052961
申请日：2005-06-20
申请人： 주식회사 아이피에스
发明人： 차훈 , 허현강 , 박용준
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 본 발명은 플라즈마 처리장치의 구조에 관한 것으로, 보다 상세하게는 챔버내부 양측 공간에서 불필요한 플라즈마가 발생되는 것을 방지하고 하부전극을 비접촉적으로도 냉각시켜 아킹 발생을 방지할 수 있는 플라즈마 처리장치의 구조에 관한 것이다.
본 발명의 플라즈마 처리 장치를 이루는 구성수단은, 진공 상태의 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 수행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 제안된 본 발명인 플라즈마 처리 장치를 이루는 구성수단은, 진공 상태의 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 수행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 챔버 상측에 상부전극이 마련되고, 상기 상부전극과 대향하여 상기 챔버 하측에 베이스와, 절연부재와, 냉각판이 구비된 하부전극 및 정전척이 순차적으로 적층되되, 상기 베이스는 상기 하부전극 측부를 따라 수직으로 연장되는 연장 베이스를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
플라즈마, 처리장치, 베이스

5. 发明公开

KR1020080006848A 진공처리장치용 전극 및 그를 가지는 진공처리장치 有权
标题翻译：用于真空加工设备的电极和具有其的真空加工设备
公开(公告)号：KR1020080006848A
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：KR1020060066110
申请日：2006-07-14
申请人： 주식회사 아이피에스
发明人： 엄용택 , 이주희 , 허현강
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32532
摘要： An electrode for vacuum processing apparatus and a vacuum processing apparatus having the same are provided to reduce a temperature difference by forming respectively an inlet and an outlet at an edge part and a center part thereof. An electrode includes a gate for receiving and transmitting a substrate. The electrode is installed in a chamber having a treatment space for performing a treatment process in order to form plasma within the treatment space. The electrode includes a refrigerant path, an inlet(320) for supplying a refrigerant into the refrigerant path, and an outlet(330) for discharging the refrigerant from the refrigerant path. The inlet is formed at an edge of the electrode. The outlet is formed at a center part of the electrode.
摘要翻译：提供一种用于真空处理装置的电极和具有该电极的真空处理装置，以通过在其边缘部分和中心部分分别形成入口和出口来减小温差。电极包括用于接收和传输衬底的栅极。电极安装在具有用于进行处理过程的处理空间的室中，以便在处理空间内形成等离子体。电极包括制冷剂路径，用于向制冷剂路径供给制冷剂的入口（320）和用于从制冷剂路径排出制冷剂的出口（330）。入口形成在电极的边缘。出口形成在电极的中心部分。

6. 发明公开

KR1020060133221A 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：KR1020060133221A
公开(公告)日：2006-12-26
申请号：KR1020050052961
申请日：2005-06-20
申请人： 주식회사 아이피에스
发明人： 차훈 , 허현강 , 박용준
IPC分类号： H01J37/32
摘要： A plasma processing apparatus is provided to prevent the generation of unnecessary plasma by forming both inner spaces of a chamber between a sidewall of the chamber and an extended base. A plasma processing apparatus performs a predetermined process on a substrate by generating plasma an inside of a chamber(10) of a vacuum state. An upper electrode is formed at an upper side of the chamber. A base(14), an insulating member(16), a lower electrode(18) having a cooling plate, and an electrostatic chuck(20) are sequentially laminated on a lower side of the chamber. The base includes an extended base(14a) which is vertically extended along a lateral part of the lower electrode.
摘要翻译：提供等离子体处理装置，以通过在室的侧壁和延伸基座之间形成腔室的内部空间来防止产生不需要的等离子体。等离子体处理装置通过在真空状态的室（10）的内部产生等离子体，在基板上进行预定处理。上部电极形成在室的上侧。依次层叠有底座（14），绝缘构件（16），具有冷却板的下电极（18）和静电吸盘（20）。底座包括沿着下电极的侧部垂直延伸的延伸基座（14a）。

7. 发明授权

KR100637602B1 기판의 디척킹이 신속한 플라즈마 처리장치 및 기판 디척킹방법 有权
标题翻译： 기판의디척킹이신속한플라즈마처리장치및기판디척킹방
公开(公告)号：KR100637602B1
公开(公告)日：2006-10-23
申请号：KR1020050071946
申请日：2005-08-05
申请人： 주식회사 아이피에스
发明人： 차훈 , 허현강 , 엄용택
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
摘要： A plasma processing apparatus and a substrate dechucking method are provided to reduce remarkably a processing time by removing quickly an electrostatic force from a predetermined portion between a substrate and an electrostatic chuck using a discharge gas supply source. A plasma processing apparatus includes a cooling gas supply source and a discharge gas supply source. The cooling gas supply source is used for providing cooling gas to a predetermined portion between an electrostatic chuck(100) and a substrate. The discharge gas supply source is used for supplying discharge gas to the predetermined portion. The plasma processing apparatus further includes an ionizer for ionizing the discharge gas.
摘要翻译：本发明提供一种等离子体处理装置和基板分割方法，其通过使用放电气体供给源迅速地从基板与静电吸盘之间的规定部分除去静电力，从而大幅度地减少处理时间。等离子体处理装置包括冷却气体供给源和排出气体供给源。冷却气体供应源用于向静电吸盘（100）和基板之间的预定部分提供冷却气体。放电气体供应源用于向预定部分供应放电气体。等离子体处理装置还包括用于离子化放电气体的离子发生器。

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