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1. 发明授权

KR101728054B1 방사선 검출기 어셈블리 有权
标题翻译：辐射探测器组件
公开(公告)号：KR101728054B1
公开(公告)日：2017-05-02
申请号：KR1020140133357
申请日：2014-10-02
申请人： 주식회사 아비즈알
发明人： 이진서 , 홍태권 , 최원준 , 이긍원 , 홍진기 , 주성중
IPC分类号： G01T1/20 , G01T1/208
摘要： 본발명은방사선검출기어셈블리에관한것이다. 본발명의실시예에따른방사선검출기어셈블리는방사선발생장치로부터조사되는방사선을소정파장범위의빛으로변환하는신틸레이터패널과, 신틸레이터패널의하부에배치되며신틸레이터패널에의해변환된소정파장범위의빛의밝기를근거로소정크기의전압또는전류를발생시키는적어도하나의아발란치다이오드와, 적어도하나의아발란치다이오드각각에전기적으로연결되며, 적어도하나의아발란치다이오드각각에바이어스전압을전달하는바이어스전압공급부와, 적어도하나의아발란치다이오드에전기적으로연결되며, 적어도하나의아발란치다이오드로부터발생된전압또는전류를전달받아방사선검출영상을획득하는픽셀어레이를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种辐射探测器组件。根据本发明的一个实施例的辐射检测器组件包括一个闪烁体面板，其将预定的辐射波长范围的光从放射线发生装置照射时，设置在闪烁体面板的下部由所述闪烁器面板预定波长范围转换，和产生的电压或基于uibit的亮度的电流的预定尺寸的至少一个雪崩二极管，它被电连接到所述至少一个雪崩二极管，分别地，偏置电压施加到每个雪崩二极管中的至少一个一个是电连接到偏置电压供给部，和至少一个雪崩二极管通过，通过接收电压或电流从雪崩二极管中的至少一个和像素阵列产生，以获得辐射图像检测。

2. 发明公开

KR1020160039968A 방사선 검출기 어셈블리 有权
标题翻译： X射线探测器总成
公开(公告)号：KR1020160039968A
公开(公告)日：2016-04-12
申请号：KR1020140133357
申请日：2014-10-02
申请人： 주식회사 아비즈알
发明人： 이진서 , 홍태권 , 최원준 , 이긍원 , 홍진기 , 주성중
IPC分类号： G01T1/20 , G01T1/208
摘要： 본발명은방사선검출기어셈블리에관한것이다. 본발명의실시예에따른방사선검출기어셈블리는방사선발생장치로부터조사되는방사선을소정파장범위의빛으로변환하는신틸레이터패널과, 신틸레이터패널의하부에배치되며신틸레이터패널에의해변환된소정파장범위의빛의밝기를근거로소정크기의전압또는전류를발생시키는적어도하나의아발란치다이오드와, 적어도하나의아발란치다이오드각각에전기적으로연결되며, 적어도하나의아발란치다이오드각각에바이어스전압을전달하는바이어스전압공급부와, 적어도하나의아발란치다이오드에전기적으로연결되며, 적어도하나의아발란치다이오드로부터발생된전압또는전류를전달받아방사선검출영상을획득하는픽셀어레이를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种降低热噪声的X射线检测器组件。根据本发明的实施例，X射线检测器组件包括：将从X射线产生装置发射的X射线转换成预定波长的光的闪烁器面板; 布置在所述闪烁体面板的下部的至少一个雪崩二极管，基于由所述闪烁体面板转换的预设波长范围的光的亮度产生预设尺寸的电压或电流; 分别与所述至少一个雪崩二极管电连接的偏置电压部分，分别将所述偏置电压传送到所述至少一个雪崩二极管; 以及像素阵列，其电连接到至少一个雪崩二极管，通过接收从所述至少一个雪崩二极管产生的电压和电流来获得X射线检测图像。

3. 发明公开

KR1020140014779A 이중 챔버 마그네트론 스퍼터링 장치 无效
标题翻译：具有双室的MAGNETRON喷溅装置
公开(公告)号：KR1020140014779A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020120081736
申请日：2012-07-26
申请人： 주식회사 아비즈알
发明人： 홍태권 , 최원준 , 김희성
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/50
摘要： The present invention relates to a magnetron sputtering device with a double chamber which enables two substrates to perform the same process by installing a double chamber. The magnetron sputtering device with a double chamber comprises: a first process chamber having a first substrate support; a second process chamber having a second substrate support; a magnetron arranged between the first and second process chambers; and a power supply part for supplying power to a target attached to the magnetron. The magnetron sputtering device with a double chamber can transfer particles separated from the target to both the first and second process chambers.
摘要翻译：本发明涉及一种具有双室的磁控溅射装置，其使得两个基板能够通过安装双室来执行相同的处理。具有双室的磁控管溅射装置包括：具有第一基板支撑件的第一处理室; 具有第二基板支撑件的第二处理室; 布置在第一和第二处理室之间的磁控管; 以及用于向附接到磁控管的目标电源供电的电源部。具有双室的磁控管溅射装置可以将从目标分离的颗粒转移到第一和第二处理室。

4. 发明公开

KR1020140014780A 마그네트론 냉각부를 구비한 마그네트론 스퍼터링 장치 无效
标题翻译：具有MAGNETRON冷却单元的MAGNETRON喷溅设备
公开(公告)号：KR1020140014780A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020120081737
申请日：2012-07-26
申请人： 주식회사 아비즈알
发明人： 홍태권 , 최원준 , 김희성
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/352 , H01J37/32899 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3452 , H01J37/3497
摘要： The present invention relates to a magnetron sputtering device having a magnetron cooling part which can cool a magnetron using cooling gas. The magnetron sputtering device comprises: a process chamber having a substrate support; a magnetron arranged in one side of the process chamber and having a first magnet part and a second magnet part facing each other; a power supply part for supplying power to targets attached to the first and second magnet parts; and a magnetron cooling part for supplying the cooling gas to the first and second magnet parts.
摘要翻译：本发明涉及一种磁控管溅射装置，其具有可以使用冷却气体来冷却磁控管的磁控管冷却部件。磁控溅射装置包括：具有基板支撑件的处理室; 磁控管布置在处理室的一侧，并具有彼此面对的第一磁体部分和第二磁体部分; 电源部分，用于向附接到第一和第二磁体部分的目标提供电力; 以及用于将冷却气体供应到第一和第二磁体部件的磁控管冷却部件。

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