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    • 4. 发明公开
    • ZnO계 바리스터 조성물
    • 基于ZNO的VARISTOR组合物
    • KR1020110022237A
    • 2011-03-07
    • KR1020090079746
    • 2009-08-27
    • 주식회사 아모텍한국세라믹기술원
    • 홍연우신효순여동훈노상섭홍경표정준환
    • C04B35/453H01C7/112H01C7/10
    • H01C7/112C04B35/453C04B35/6262C04B35/63C04B2235/3224C04B2235/3294C04B2235/3298H01C17/06546
    • PURPOSE: An ZnO-based varistor composition is provided to ensure excellent EDS(Electro-Static Discharge) property and work stability by not containing Bi2O3, Sb2O3 and Pr6O11. CONSTITUTION: An ZnO-based varistor composition includes Ca, Co, Cr and La but not Bi2O3, Sb2O3 and Pr6O11. The varistor composition comprises, based on the total metal atoms, Zn 90-98at%, Ca 0.2-10at%, Co 0.2-5at%, Cr 0.05-3at% and La 0.05-3at%. A method for preparing the ZnO-based varistor composition comprises the steps of: mixing ZnO with a component which contains Ca, Co, Cr and La but not Bi2O3, Sb2O3 and Pr6O11, and pulverizing and calcining the mixture to prepare calcined powder; adding a binder to the calcined powder, and molding and sintering them; and coating an electrode on the sintered body and packaging.
    • 目的:提供ZnO基非线性电阻组合物,通过不含Bi2O3,Sb2O3和Pr6O11,确保优异的EDS(静电放电)性能和工作稳定性。 构成:一种ZnO基变阻器组合物包括Ca,Co,Cr和La,但不包括Bi2O3,Sb2O3和Pr6O11。 基于总金属原子,可变电阻组合物包含Zn 90-98at%,Ca 0.2-10at%,Co 0.2-5at%,Cr 0.05-3at%和La 0.05-3at%。 制备ZnO基非线性电阻组合物的方法包括以下步骤:将ZnO与含有Ca,Co,Cr和La而不是Bi 2 O 3,Sb 2 O 3和Pr 6 O 11的组分混合,并粉碎和煅烧该混合物以制备煅烧粉末; 向煅烧粉末中加入粘合剂,并成型并烧结它们; 并在烧结体上包覆电极并进行包装。
    • 5. 发明授权
    • 복합소자
    • 复杂的设备
    • KR101012965B1
    • 2011-02-08
    • KR1020080102587
    • 2008-10-20
    • 주식회사 아모텍
    • 류재수전충규노상섭이형록
    • H01C7/10H01C17/00
    • 캐패시터와 서프레서를 원칩화하여 ESD, 서지 등의 과전압 성분에 대한 감쇄특성 및 열화 특성 등을 향상시키도록 한 복합소자를 제시한다. 제시된 복합소자는 복수의 시트가 적층된 소체, 소체에 형성된 제 1 외부 단자, 소체에 형성된 제 2 외부 단자, 소체의 내부에서 시트상에 형성되고 제 1 및 제 2 외부 단자중에서 어느 한 외부 단자에 접속되되 몸통부 및 몸통부에서 돌출되어 소체의 외부로 노출된 갭 전극부를 포함하는 제 1 전극 패턴, 및 소체의 내부에서 시트상에 형성되고 제 1 및 제 2 외부 단자중에서 다른 한 외부 단자에 접속되되 몸통부 및 몸통부에서 돌출되어 소체의 외부로 노출된 갭 전극부를 포함하는 제 2 전극 패턴을 구비하고, 제 1 전극 패턴과 제 2 전극 패턴은 각기 다른 시트에 형성되어 적층된다.
    • 6. 发明公开
    • 복합소자
    • 复杂设备
    • KR1020100043518A
    • 2010-04-29
    • KR1020080102587
    • 2008-10-20
    • 주식회사 아모텍
    • 류재수전충규노상섭이형록
    • H01C7/10H01C17/00
    • PURPOSE: A complex device is provided to rapidly remove high voltage due to a slow response of a suppressor and a peak component at a rapid speed by using an attenuation characteristic of a frequency component. CONSTITUTION: A plurality of sheets are laminated in a laminated element(10). A first and a second external terminals(12,14) are formed in the element. The first electrode pattern is formed on the sheet inside the element. The first electrode pattern is connected to one external terminal among the first and the second external terminals. The first electrode pattern comprises a body part(16c) and a gap electrode parts(16a,16b) exposed to the outside of the element. The second electrode pattern is formed on the sheet inside the element. The second electrode pattern is connected to the other external terminal among the first and the second external terminals. The second electrode pattern comprises a body part and a gap electrode parts exposed to the outside of the element.
    • 目的:提供一种复杂器件,通过使用频率分量的衰减特性,通过抑制器和峰值分量的快速响应快速消除高电压。 构成:多个片层叠在层压元件(10)中。 第一和第二外部端子(12,14)形成在元件中。 第一电极图案形成在元件内的片材上。 第一电极图案连接到第一和第二外部端子中的一个外部端子。 第一电极图案包括主体部分(16c)和暴露于元件外部的间隙电极部分(16a,16b)。 第二电极图案形成在元件内的片材上。 第二电极图案与第一外部端子和第二外部端子中的另一个外部端子连接。 第二电极图案包括暴露于元件外部的主体部分和间隙电极部分。