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1. 发明公开

KR1020100000558A 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100000558A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020080060105
申请日：2008-06-25
申请人： 주성엔지니어링(주) , 한국과학기술원
发明人： 박재우 , 김철환 , 이규환 , 권영호
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/66742
摘要： PURPOSE: A thin film transistor and a method of manufacturing the same are provided to improve the performance characteristic of a circuit device by using p-type metal oxide thin films as an active layer of a transistor. CONSTITUTION: A gate electrode(110) is overlapped with a part of the p type metal oxide active layer(130). Source and drain electrodes(150,160) are connected to a part of the p-type metal oxide active layer. A gate insulating layer(120) is formed between the p-type metal oxide active layer and gate electrode. An ohmic contact layer is formed between the p-type metal oxide active layer, the source, and drain electrode. The gate electrode is formed on the substrate(100). The p-type metal oxide active layer is formed on the gate electrode.
摘要翻译：目的：提供薄膜晶体管及其制造方法，以通过使用p型金属氧化物薄膜作为晶体管的有源层来改善电路器件的性能特性。构成：栅电极（110）与p型金属氧化物活性层（130）的一部分重叠。源极和漏极（150,160）连接到p型金属氧化物有源层的一部分。在p型金属氧化物活性层和栅电极之间形成栅极绝缘层（120）。在p型金属氧化物有源层，源极和漏极之间形成欧姆接触层。栅电极形成在基板（100）上。 p型金属氧化物有源层形成在栅电极上。

2. 发明授权

KR101537007B1 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR101537007B1
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：KR1020140029004
申请日：2014-03-12
申请人： 주성엔지니어링(주) , 한국과학기술원
发明人： 박재우 , 전남호 , 유승협 , 이형섭 , 김철환 , 이규환
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 본발명은박막트랜지스터및 이의제조방법에관한것으로, 화학증착법으로제작된금속산화물활성층과, 상기금속산화물활성층에적어도일부가중첩된게이트전극과, 적어도상기금속산화물활성층과게이트전극사이에마련된게이트절연막및 적어도그 일부가상기금속산화물활성층에접속된소스및 드레인전극을포함하는박막트랜지스터와이의제조방법에관한것이다. 이와같이금속산화물박막을화학증착법으로제작하여공정을단순화시킬수 있고, 생산성향상은물론생산비용을절감시킬수 있으며, 금속산화물박막상에오믹접촉층을형성하여금속산화물박막의막질변화를방지하고, 소스및 드레인전극과의접촉면저항을줄일수 있다.

3. 发明授权

KR101456454B1 반도체 소자 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101456454B1
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020080060107
申请日：2008-06-25
申请人： 주성엔지니어링(주) , 한국과학기술원
发明人： 박재우 , 김철환 , 이규환 , 이창재
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 본 발명은 반도체 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 제 1 영역과 제 2 영역이 정의된 기판과, 상기 기판의 제 1 영역에 형성되어 N타입 금속 산화물 활성층을 갖는 제 1 타입의 박막 트랜지스터 및 상기 기판의 제 2 영역에 형성되어 P타입 금속 산화물 활성층을 갖는 제 2 타입의 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이와 같이 본 발명은 N타입과 P타입의 금속 산화물 박막을 박막 트랜지스터의 활성층으로 각기 사용하여 N타입 동작 특성과 P타입 동작 특성을 갖는 박막 트랜지스터들을 단일 기판 상에 제작할 수 있고, 박막 트랜지스터들의 동작 특성을 향상시킬 수 있다.
금속 산화물, 활성층, 박막 트랜지스터, N타입, P타입
摘要翻译：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，更具体地涉及具有形成在衬底的第一区域中并具有N型金属氧化物活性层的第一类型薄膜晶体管的半导体器件，以及形成在衬底的第二区域中并具有P型金属氧化物活性层的第二类型薄膜晶体管及其制造方法。如上所述，根据本发明，通过分别使用N型和P型金属氧化物薄膜作为薄膜晶体管的有源层，可以在单个衬底上制造具有N型操作特性和P型操作特性的薄膜晶体管，可以改进。

4. 发明公开

KR1020140044349A 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140044349A
公开(公告)日：2014-04-14
申请号：KR1020140029004
申请日：2014-03-12
申请人： 주성엔지니어링(주) , 한국과학기술원
发明人： 박재우 , 전남호 , 유승협 , 이형섭 , 김철환 , 이규환
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869
摘要： 본발명은박막트랜지스터및 이의제조방법에관한것으로, 화학증착법으로제작된금속산화물활성층과, 상기금속산화물활성층에적어도일부가중첩된게이트전극과, 적어도상기금속산화물활성층과게이트전극사이에마련된게이트절연막및 적어도그 일부가상기금속산화물활성층에접속된소스및 드레인전극을포함하는박막트랜지스터와이의제조방법에관한것이다. 이와같이금속산화물박막을화학증착법으로제작하여공정을단순화시킬수 있고, 생산성향상은물론생산비용을절감시킬수 있으며, 금속산화물박막상에오믹접촉층을형성하여금속산화물박막의막질변화를방지하고, 소스및 드레인전극과의접촉면저항을줄일수 있다.
摘要翻译：薄膜晶体管及其制造方法技术领域本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。本发明涉及一种薄膜晶体管，它包括通过化学沉积方法制造的金属氧化物有源层，与至少一部分金属氧化物活性层重叠的栅极电极，栅极绝缘层金属氧化物有源层和栅电极以及至少部分地连接到金属氧化物活性层的源电极和漏电极及其制造方法。像这样，可以通过使用化学沉积法制造金属氧化物薄膜来简化工艺。可以提高生产率，节省生产成本。通过在金属氧化物薄膜上形成欧姆接触层可以防止金属氧化物薄膜的层质量的变化。可以减小源极和漏极的接触片电阻。（标号）（AA）Zn系前体; （BB）反应气体

5. 发明公开

KR1020090117543A 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090117543A
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：KR1020080043644
申请日：2008-05-09
申请人： 주성엔지니어링(주) , 한국과학기술원
发明人： 박재우 , 전남호 , 유승협 , 이형섭 , 김철환 , 이규환
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L29/458
摘要： PURPOSE: A thin film transistor and a method for manufacturing the same are provided to reduce a manufacturing cost and improve productivity using the metal oxide with high quality as an active layer without resetting a target. CONSTITUTION: A thin film transistor includes a metal oxide active layer(230), a gate electrode(210), a gate insulation layer(220), a source electrode(250), and a drain electrode(260). The gate electrode is partially overlapped in a metal oxide active layer. The gate insulation layer is prepared between the metal oxide active layer and the gate electrode. The source and drain electrodes are partially connected to the metal oxide active layer.
摘要翻译：目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法，以降低制造成本，并且使用高质量的金属氧化物作为活性层提高生产率，而无需重置靶。构成：薄膜晶体管包括金属氧化物活性层（230），栅电极（210），栅极绝缘层（220），源电极（250）和漏电极（260）。栅电极在金属氧化物活性层中部分重叠。在金属氧化物活性层和栅电极之间制备栅极绝缘层。源极和漏极部分地连接到金属氧化物活性层。

6. 发明授权

KR101448084B1 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR101448084B1
公开(公告)日：2014-10-10
申请号：KR1020080043644
申请日：2008-05-09
申请人： 주성엔지니어링(주) , 한국과학기술원
发明人： 박재우 , 전남호 , 유승협 , 이형섭 , 김철환 , 이규환
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 본 발명은 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 화학 증착법으로 제작된 금속 산화물 활성층과, 상기 금속 산화물 활성층에 적어도 일부가 중첩된 게이트 전극과, 적어도 상기 금속 산화물 활성층과 게이트 전극 사이에 마련된 게이트 절연막 및 적어도 그 일부가 상기 금속 산화물 활성층에 접속된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와 이의 제조 방법에 관한 것이다. 이와 같이 금속 산화물 박막을 화학 증착법으로 제작하여 공정을 단순화시킬 수 있고, 생산성 향상은 물론 생산 비용을 절감시킬 수 있으며, 금속 산화물 박막 상에 오믹 접촉층을 형성하여 금속 산화물 박막의 막질 변화를 방지하고, 소스 및 드레인 전극과의 접촉 면저항을 줄일 수 있다.
금속 산화물, 활성층, 오믹 접촉층, 박막 트랜지스터, 전구체

7. 发明公开

KR1020100000560A 반도체 소자 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100000560A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020080060107
申请日：2008-06-25
申请人： 주성엔지니어링(주) , 한국과학기술원
发明人： 박재우 , 김철환 , 이규환 , 이창재
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/203
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a method of manufacturing the same are provided to manufacture a thin film transistor having p-type and n-type metal oxide films by using the p-type and n-type metal oxide as an active layer of the thin film transistor. CONSTITUTION: A substrate is defined by a first area(A) and a second area. A first type thin film transistor is formed at a first area and has an N-type metal oxide active layer(130N). A second type thin film is formed on the second area and has a P- type metal oxide active layer(130P). The first type thin film transistor includes a first gate electrode(110N) having a part of overlapped with an N-type metal oxide active layer, and it also includes a first source and a drain electrode(150N,160N) having a part connected to the N type metal oxide active layer.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以通过使用p型和n型金属氧化物作为薄层的有源层来制造具有p型和n型金属氧化物膜的薄膜晶体管薄膜晶体管。构成：衬底由第一区域（A）和第二区域限定。第一类型薄膜晶体管形成在第一区域并具有N型金属氧化物活性层（130N）。在第二区域上形成第二类型的薄膜，并具有P-型金属氧化物活性层（130P）。第一型薄膜晶体管包括具有与N型金属氧化物有源层重叠的一部分的第一栅电极（110N），并且还包括第一源极和漏极（150N，160N），其部分连接到 N型金属氧化物活性层。

8. 发明公开

KR1020100000559A 투명 전도성 박막 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：透明导电薄膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100000559A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020080060106
申请日：2008-06-25
申请人： 주성엔지니어링(주) , 한국과학기술원
发明人： 박재우 , 김철환 , 이규환 , 박종현
IPC分类号： B32B15/00 , B32B15/01
CPC分类号： B32B15/01 , B32B2255/06 , B32B2255/20 , B32B2307/202 , B32B2311/08 , B32B2311/16 , B32B2311/18 , B32B2311/20 , B32B2311/22 , C23C16/45525
摘要： PURPOSE: A transparent conductive thin film and a manufacturing method thereof are provided to deposit a metal layer through an atomic layer deposition method and form a metal oxide layer through a chemical vapor deposition method, so as to form a transparent conductive thin film having high light transmission and low resistivity. CONSTITUTION: A transparent conductive thin film comprises one or more metal layers(210a) and one or more metal oxide layers(220a) laminated alternately with the metal layer. The metal layer uses one among Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ni, Fe, Co, W, Ti, Cr, Mo, Cu, Ag, Au, Pt and their alloy. The metal layer is a transparent conductive thin film laminated to the atomic layer. In case the metal oxide layer uses one among Zn oxide, Sn oxide, In oxide, Cd oxide, Ga oxide, Al oxide and ITO, the metal layer uses one among Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, and their alloy.
摘要翻译：目的：提供透明导电薄膜及其制造方法，通过原子层沉积法沉积金属层，并通过化学气相沉积法形成金属氧化物层，以形成具有高光的透明导电薄膜传输和低电阻率。构成：透明导电薄膜包括与金属层交替层压的一个或多个金属层（210a）和一个或多个金属氧化物层（220a）。金属层使用Zn，Sn，In，Cd，Ga，Al，Ni，Fe，Co，W，Ti，Cr，Mo，Cu，Ag，Au，Pt及其合金中的一种。金属层是层叠到原子层的透明导电薄膜。在金属氧化物层使用Zn氧化物，Sn氧化物，In氧化物，Cd氧化物，Ga氧化物，Al氧化物和ITO中的一种的情况下，金属层使用Zn，Sn，In，Cd，Ga，Al中的一种及其合金。

9. 发明授权

KR101053056B1 차량용 투명 안테나 失效
标题翻译：车辆的透明天线
公开(公告)号：KR101053056B1
公开(公告)日：2011-08-02
申请号：KR1020090049083
申请日：2009-06-03
申请人： 한국과학기술원
发明人： 박재우
IPC分类号： H01Q1/32 , H01Q1/38
摘要： 본 발명은 투명 안테나에 관한 것으로서, 차량용 안테나에 있어서, 차량에 장착되어 탑승자의 시야를 확보하는 투명기판 상의 변두리 부위에 형성된 투명 안테나 방사체를 포함하며, 상기 투명 안테나 방사체는, 금속산화물 박막 또는 금속 박막을 포함하며, 가시광선 투과율이 80%이상인 것을 특징으로 하는 차량용 투명 안테나이며, 이와 같은 본 발명에 의하면, 차량에 장착되는 유리 등의 투명 기판 상에 안테나를 형성시켜 안테나 형성에 따른 차량 디자인의 제한을 제거하고, 차량의 구동시에 공기역학적인 손실을 제거할 수 있다.
안테나, 차량용, 투명, 안테나 방사체, 투과율.
摘要翻译：透明天线包括透明天线辐射体，其形成在安装在车辆上的透明基板的边缘部分上并且确保乘客的视野;透明天线辐射体由金属氧化物薄膜或金属薄膜形成根据本发明，在安装在车辆上的诸如玻璃的透明基板上形成天线，并消除车辆行驶期间的空气动力学损失。

10. 发明授权

KR101482944B1 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 박막 트랜지스터 有权
标题翻译：用于制造基于钛氧化物作为有源层的薄膜晶体管的方法及其薄膜晶体管
公开(公告)号：KR101482944B1
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：KR1020080075977
申请日：2008-08-04
申请人： 한국과학기술원 , 솔브레인 주식회사
发明人： 박재우 , 한성원
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 본 발명은 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 박막트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 절연막을 형성하는 단계를 포함하고, 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물을 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것을 특징으로 한다. 이를 통해, 본 발명은 박막트랜지스터의 성능을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 저비용으로 제조가 가능하고, 환경 문제가 적으며, 특정 유형의 전자 기기에 널리 적용될 수 있는 효과가 있다. 특히, 저온에서도 박막트랜지스터를 형성할 수 있어, 향후 기판의 소재 선택에 있어서 폭을 넓혔다.
박막 트랜지스터, 활성층, 산화티타늄, MISFET, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극.

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