专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100373831B1 소구경 질화물 단결정을 이용한 소자 제조용 대구경 기판및 이의 제조방법 失效
标题翻译： 소구경질화물단결정을이용한소자제조용대구경기판및이의제조방
公开(公告)号：KR100373831B1
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：KR1020010004694
申请日：2001-01-31
申请人： 정세영 , 조채용 , 권용범 , 주식회사 컴텍스
发明人： 조채용 , 정세영 , 권용범 , 박상언
IPC分类号： H01L21/02
摘要： PURPOSE: A large aperture substrate for manufacturing devices using a single crystal of a nitride with a small aperture and a method for manufacturing the same are provided to form a substrate with a large aperture by locating a single crystal of a nitride with a small aperture on a substrate. CONSTITUTION: A single crystal(110) is selected according to its size and thickness by using a mesh. A lithography process is performed to pattern a multitude of buried space portion for locating the single crystal(110) on a substrate(100). The single crystal(110) is located on the buried space portion. A thin film(120) is deposited on the substrate(100) and an upper face of the single crystal(110). A surface of the thin film(120) is polished. An active area is formed by etching the remaining thin film(120) of the single crystal(110).
摘要翻译：目的：提供一种用于制造使用具有小孔径的氮化物单晶的大孔径衬底及其制造方法，以通过将具有小孔径的氮化物单晶定位在大孔径上来形成具有大孔径的衬底衬底。构成：单晶（110）根据其尺寸和厚度通过使用网格来选择。执行光刻工艺以图案化用于将单晶（110）定位在衬底（100）上的多个掩埋空间部分。单晶（110）位于掩埋空间部分上。薄膜（120）沉积在衬底（100）和单晶（110）的上表面上。薄膜（120）的表面被抛光。通过蚀刻单晶（110）的剩余薄膜（120）形成有源区。

2. 发明公开

KR1020010035277A 소구경 질화물 단결정을 이용한 소자 제조용 대구경 기판및 이의 제조방법 失效
标题翻译：用于制造具有小孔径的氮化钠的单晶的制造装置的大孔板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020010035277A
公开(公告)日：2001-05-07
申请号：KR1020010004694
申请日：2001-01-31
申请人： 정세영 , 조채용 , 권용범 , 주식회사 컴텍스
发明人： 조채용 , 정세영 , 권용범 , 박상언
IPC分类号： H01L21/02
摘要： PURPOSE: A large aperture substrate for manufacturing devices using a single crystal of a nitride with a small aperture and a method for manufacturing the same are provided to form a substrate with a large aperture by locating a single crystal of a nitride with a small aperture on a substrate. CONSTITUTION: A single crystal(110) is selected according to its size and thickness by using a mesh. A lithography process is performed to pattern a multitude of buried space portion for locating the single crystal(110) on a substrate(100). The single crystal(110) is located on the buried space portion. A thin film(120) is deposited on the substrate(100) and an upper face of the single crystal(110). A surface of the thin film(120) is polished. An active area is formed by etching the remaining thin film(120) of the single crystal(110).
摘要翻译：目的：提供一种用于制造使用小孔径的氮化物的单晶的器件的大孔径衬底及其制造方法，以通过将具有小孔径的氮化物的单晶定位在大的孔径上形成具有大孔径的衬底底物。构成：通过使用网格，根据其大小和厚度选择单晶（110）。执行光刻处理以对多个掩埋空间部分进行图案化，以将单晶（110）定位在基板（100）上。单晶（110）位于掩埋空间部分上。在基板（100）和单晶（110）的上表面上沉积薄膜（120）。抛光薄膜（120）的表面。通过蚀刻单晶（110）的剩余薄膜（120）形成有源区。

3. 发明授权

KR100524130B1 마그네슘 다이보라이드 단결정 및 그 제조방법 失效
标题翻译：二硼化镁的单晶及其制造方法
公开(公告)号：KR100524130B1
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：KR1020020019132
申请日：2002-04-09
申请人： 정세영 , 조채용 , 주식회사 컴텍스
发明人： 정세영 , 조채용
IPC分类号： C30B1/00
摘要： 본 발명은 마그네슘 다이보라이드(MgB
2 ) 단결정에 관한 것으로, 마그네슘(Mg)에 보론(B)을 첨가하고, 여기에 나트륨(Na), 리튬(Li), 루비듐(Rb), 칼륨(K) 중에서 선택된 하나의 알칼리금속을 첨가하여 원료시약을 제작하여 성장도가니에 수용시켜 외부도가니로 밀봉하고, 외부에서 가열시킴과 동시에 성장도가니 내부를 가압시킨 후, 상온까지 단계적으로 냉각시키고 가압해제 시킴에 의해 형성되는 마그네슘 다이보라이드 단결정 및 최초의 반응물질로 마그네슘(Mg)에 보론(B)을 첨가하고, 촉매제로서 알칼리 원소를 첨가하여 혼합물을 형성시키는 혼합과정과; 상기 혼합물을 성장도가니에 수용시키고, 상측에 압력전달튜브가 형성된 외부도가니 내에 성장도가니를 위치시킨 후, 성장도가니를 외부로 부터 밀봉시키는 밀봉과정과; 상기 외부도가니를 가스 공급이 가능한 수정관이 설치된 가열로의 수정관 내부에 위치시킨후, 수정관측으로 가스를 공급시키면서 성장도가니를 가온,가압시키는 가온가압과정과; 상기 가온가압과정 후, 상기 성장도가니를 상온까지 단계적으로 냉각시키는 냉각과정; 그리고, 내부의 압력을 제거한 후, 성장도가니를 개봉하여 세척 및 건조 시키는 후처리과정;을 포함하여 구성되는 마그네슘 다이보라이드 단결정 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 알칼리 원소를 촉매제(catalyst)로 이용한 플럭스 법을 사용하여 비교적 저온 및 저압하에서 마그네슘 다이보라이드 단결정을 제조하게 되어 제작이 용이함과 동시에 제작원가를 절감시키는 이점이 있다.

4. 发明公开

KR1020020042552A 마그네슘 다이보라이드 단결정 및 그 제조방법 失效
标题翻译：二氧化钛的单晶及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020042552A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：KR1020020019132
申请日：2002-04-09
申请人： 정세영 , 조채용 , 주식회사 컴텍스
发明人： 정세영 , 조채용
IPC分类号： C30B1/00
摘要： PURPOSE: A single crystal of magnesium diboride is provided to grow a single crystal having a size of 100 microns or more using an alkali element as a reaction catalyst under relatively low temperature and pressure without using high temperature and pressure devices, and a method for manufacturing the same is provided. CONSTITUTION: The single crystal of magnesium diboride is formed by the steps of preparing a raw material reagent by adding boron(N) to magnesium(Mg), and adding a transition metal selected from sodium(Na), lithium(Li), rubidium(Rb) and potassium(K); sealing the growing crucible using an outer crucible after putting the prepared raw material reagent into a growing crucible; and forming a single crystal of magnesium diboride by cooling the growing crucible to an ordinary temperature in stages and then releasing pressurization of the growing crucible after simultaneously heating the outer crucible from the outside and pressurizing the inside of the growing crucible. The method for manufacturing the single crystal of magnesium diboride comprises a mixing process of forming a mixture by adding boron to magnesium as an initial reactant, and then adding am alkali element as a catalyst; a sealing process of sealing the growing crucible from the outside after putting the mixture into a growing crucible and positioning the growing crucible inside an outer crucible at the upper part of which a pressure transmitting tube is formed; a temperature and pressure applying process of applying a temperature and a pressure to the growing crucible as supplying a gas into the side of the quartz tube after positioning the outer crucible inside the quartz tube of a heating furnace at which a quartz tube capable of supplying a gas is installed; a cooling process of cooling the growing crucible to an ordinary temperature in stages after the temperature and pressure applying process; and a post-treatment process of washing and drying the growing crucible by opening the growing crucible after releasing an internal pressure of the growing crucible.
摘要翻译：目的：在不使用高温高压装置的情况下，使用碱金属元素作为反应催化剂，在不使用高温高压装置的情况下，提供二硼化镁的单晶来生长尺寸为100微米以上的单晶，同样提供。构成：通过以下步骤形成二硼化镁的单晶：通过向镁（Mg）中加入硼（N）制备原料试剂，并加入选自钠（Na），锂（Li），铷（ Rb）和钾（K）; 在将准备的原料试剂放入生长的坩埚中之后，使用外坩埚密封生长的坩埚; 并且通过将生长的坩埚分阶段冷却至常温，然后在从外部同时加热外坩埚并对生长的坩埚的内部加压之后，释放生长的坩埚的加压，从而形成二硼化镁的单晶。制造二硼化镁的单晶的方法包括通过将硼添加至镁作为初始反应物，然后加入碱金属元素作为催化剂形成混合物的混合过程; 将混合物放入生长的坩埚中之后将生长的坩埚从外部密封并将生长的坩埚定位在其上部形成有压力传输管的外坩埚内的密封过程; 将外坩埚定位在加热炉的石英管内部，将石英管供给到石英管的能量供给管的石英管的温度和压力施加过程中，向生长的坩埚施加温度和压力，燃气安装; 在温度和压力施加过程之后将生长的坩埚冷却至常温的冷却过程; 以及通过在释放生长的坩埚的内部压力之后打开生长的坩埚来洗涤和干燥生长的坩埚的后处理过程。

5. 发明公开

KR1020010000827A 용융에 의한 지에이엔 단결정 제조방법 无效
标题翻译：通过熔炼制备单晶晶的制备方法
公开(公告)号：KR1020010000827A
公开(公告)日：2001-01-05
申请号：KR1020000062134
申请日：2000-10-21
申请人： 정세영 , 조채용 , 주식회사 컴텍스
发明人： 정세영 , 조채용
IPC分类号： C30B29/38
摘要： PURPOSE: A method for preparing GaN single crystal by melting is provided, to reduce defects such as dislocation due to the lattice mismatch and the difference of thermal expansion coefficients. CONSTITUTION: The method comprises the steps of mixing gallium(Ga) with Na or NaN3 being a catalyst in a furnace placed in an isolated reactor; flowing nitrogen gas into the reactor to increase the pressure and to make the nitrogen atmosphere; and heating the furnace to melt Ga and the catalyst and to grow GaN single crystal. Preferably the mixture of Ga and a catalyst contains further GaN single crystal with the size of 0.3-1.0 mm as a seed; and the mixture is doped with Mg, Na, Sr or Ba. The furnace is formed by using graphite, polycrystalline boron nitride.
摘要翻译：目的：提供通过熔融制备GaN单晶的方法，以减少由于晶格失配和热膨胀系数差引起的位错等缺陷。方法：该方法包括将镓（Ga）与作为催化剂的Na或NaN3在放置在隔离反应器中的炉中混合的步骤; 将氮气流入反应器以增加压力并使氮气氛围; 并加热炉来熔化Ga和催化剂并生长GaN单晶。优选地，Ga和催化剂的混合物含有尺寸为0.3-1.0mm的另外的GaN单晶作为种子; 混合物掺杂有Mg，Na，Sr或Ba。该炉通过使用石墨，多晶氮化硼形成。

6. 发明授权

KR100483318B1 상온 강자성 반도체 단결정 및 그 제조방법 失效
标题翻译：铁磁半导体单晶及其制造方法
公开(公告)号：KR100483318B1
公开(公告)日：2005-04-15
申请号：KR1020020014593
申请日：2002-03-18
申请人： 정세영 , 조채용 , 주식회사 컴텍스
发明人： 정세영 , 조채용
IPC分类号： C30B15/14
摘要： 본 발명은 상온 강자성 단결정에 관한 것으로, 갈륨에 NaN
3 , Li
3 N, Ca
3 N
2 , Mg
3 N
2 중에서 선택된 하나의 플럭스를 첨가하고, 여기에 전이금속을 첨가한 원료시약을 제작하여 성장도가니에 수용시켜 밀봉 가열 한 후 상온까지 단계적으로 냉각시킴에 의해 형성되는 상온 강자성 반도체 단결정을 기술적 요지로 한다. 그리고, 최초의 반응물질로 갈륨(Ga)과 플럭스로서 NaN
3 , Li
3 N, Ca
3 N
2 , Mg
3 N
2 중에서 선택된 하나의 물질과 전이금속을 일정량의 혼합비로 칭량하여 혼합물을 형성시키는 혼합과정과; 상기 혼합물을 성장도가니 내부에 수용시킨 후, 성장도가니를 외부로 부터 밀봉시키는 밀봉과정과; 상기 밀봉된 성장도가니를 구역별로 가열되는 수직 열처리로의 중앙부에 수직으로 위치시킨 후 가열시키는 가열과정과; 상기 가열과정 후 수직 열처리로의 전원을 오프시켜 성장도가니를 상온까지 냉각시키는 냉각과정; 그리고, 상기 냉각과정을 거친 성장도가니를 개봉하여 세척 및 건조시키는 후처리과정;을 포함하여 구성되는 상온 강자성 반도체 단결정 제조방법을 또한 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 기존의 박막과는 다르게 순수한 단결정 GaN에 전이 금속을 쉽게 첨가하여 상온 강자성 반도체 단결정을 제조 할 수 있고, 저압하에서 판상구조 형태의 DMS 단결정을 얻을 수 있다는 이점이 있다.

7. 发明公开

KR1020030036568A 고품위 지에이엔 단결정 기판의 제조방법 失效
标题翻译：制造高品质单体晶体衬底的方法
公开(公告)号：KR1020030036568A
公开(公告)日：2003-05-09
申请号：KR1020030025096
申请日：2003-04-21
申请人： 정세영 , 조채용 , 주식회사 컴텍스
发明人： 정세영 , 조채용 , 박상언
IPC分类号： C30B29/38
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a high quality GaN single crystalline substrate is provided to grow GaN single crystal without lattice defect by HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method using GaN single crystal grown by supply of activated nitrogen gas as a growing substrate. CONSTITUTION: The method for manufacturing a high quality GaN single crystalline substrate comprises a growing substrate forming process of forming GaN single crystal by flowing activated nitrogen gas to the side of the growing crucible, wherein the activated nitrogen gas is generated as NaN3 is being decomposed through a subsidiary crucible which is connected to the growing crucible by a connection pipe and sealed with NaN3 being contained in the subsidiary crucible after sealing a growing crucible with a mixture of gallium (Ga) and NaN3 being formed inside the growing crucible; a single crystalline layer forming process of forming a GaN single crystalline layer(201) on the upper surface of the growing substrate(200) using HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method after using a mirror surface of the GaN single crystal formed in the substrate forming process as a growing surface and maintaining temperature of the substrate to 1020 to 1050 deg.C; and a growing substrate removing process of removing the growing substrate(200) formed in the substrate forming process after the single crystalline layer forming process, wherein surface treatment process is proceeded after the growing substrate removing process.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造高质量GaN单晶衬底的方法，通过使用通过提供活性氮气生长的GaN单晶作为生长衬底的HVPE（氢化物气相外延）法，生长GaN单晶而没有晶格缺陷。构成：用于制造高质量GaN单晶衬底的方法包括通过将活性氮气流动到生长的坩埚侧而形成GaN单晶的生长衬底形成工艺，其中当NaN 3正在分解时产生活性氮气附属坩埚通过连接管连接到生长的坩埚上，并且在用生长的坩埚中形成的镓（Ga）和NaN 3的混合物密封生长的坩埚之后，将NaN 3密封在辅助坩埚中; 在使用形成在衬底中的GaN单晶的镜面之后，使用HVPE（氢化物气相外延）法在生长衬底（200）的上表面上形成GaN单晶层（201）的单晶层形成工艺形成工艺作为生长表面并将衬底的温度保持在1020至1050℃; 以及在单晶层形成工艺之后移除在基板形成工艺中形成的生长衬底（200）的生长的衬底去除工艺，其中在生长衬底去除工艺之后进行表面处理工艺。

8. 发明公开

KR1020030004183A 활성 질소가스 공급에 의한 지에이엔 단결정 제조장치,제조방법, 그것에 의해 생성되는 지에이엔 단결정 失效
标题翻译：通过供应活性氮气制备甘单晶的装置和方法，以及通过该方法制造的单晶晶体
公开(公告)号：KR1020030004183A
公开(公告)日：2003-01-14
申请号：KR1020020071674
申请日：2002-11-18
申请人： 정세영 , 조채용 , 주식회사 컴텍스
发明人： 정세영 , 조채용 , 박상언
IPC分类号： C30B29/38
摘要： PURPOSE: An apparatus and a method for manufacturing GaN single crystal by supply of active nitrogen gas are provided to grow large single crystal by continuously supplying active nitrogen gas generated by decomposing NaN3 received in a subsidiary crucible to a growth crucible, and GaN single crystal grown by the method is provided. CONSTITUTION: The apparatus for manufacturing GaN single crystal by supply of active nitrogen gas comprises a growth crucible(120) in which a mixture of NaN3 and gallium (Ga) is sealingly received; a quartz tube(180) which is formed in such a way that the quartz tube encircles the outer surface of the growth crucible; a first vertical heat treatment furnace(100) in which the quartz tube enveloping the outer surface of the growth crucible is installed and connected to the external power source to be heated, and which shows a temperature gradient; a second vertical heat treatment furnace(110) in which a subsidiary crucible(130) sealingly containing NaN3 is positioned, and which is connected to the external power source to be heated; a connection pipe(140) for reciprocally connecting between the growth crucible received in the first vertical heat treatment furnace and the inner part of the subsidiary crucible received in the second vertical heat treatment furnace; and a vacuum valve(170) that is installed on the connection pipe.
摘要翻译：目的：提供通过提供活性氮气制造GaN单晶的装置和方法，以通过将在辅助坩埚中接收的NaN 3分解生成的活性氮气连续提供给生长坩埚而生长大单晶，并且生长GaN单晶生长通过提供的方法。构成：通过供给活性氮气来制造GaN单晶的装置包括密封地接收NaN 3和镓（Ga）的混合物的生长坩埚（120）石英管（180），其形成为使得石英管环绕生长坩埚的外表面; 第一垂直热处理炉（100），其中包围生长坩埚的外表面的石英管安装并连接到待加热的外部电源，并且显示温度梯度; 第二垂直热处理炉（110），其中定位有密封地含有NaN 3的辅助坩埚（130），并且连接到待加热的外部电源; 连接管（140），用于在容纳在第一垂直热处理炉中的生长坩埚和接收在第二垂直热处理炉中的辅坩埚的内部之间往复连接; 和安装在连接管上的真空阀（170）。

9. 发明授权

KR100519035B1 고품위 지에이엔 단결정 기판의 제조방법 失效
标题翻译： GaN单晶板的制造方法
公开(公告)号：KR100519035B1
公开(公告)日：2005-10-06
申请号：KR1020030025096
申请日：2003-04-21
申请人： 정세영 , 조채용 , 주식회사 컴텍스
发明人： 정세영 , 조채용 , 박상언
IPC分类号： C30B29/38
摘要： 본 발명은 고품위 GaN 단결정 기판의 제조방법에 관한 것으로, 갈륨(Ga)에 NaN
3 를 혼합한 혼합물을 형성시켜 성장도가니에 봉입한 후, 상기 성장도가니와 연결관에 의해 연결되고 내부에 NaN
3 를 포함하여 봉입된 보조도가니를 통하여 NaN
3 가 분해되면서 발생되는 활성 질소가스를 성장도가니측으로 유입시킴에 의해 GaN 단결정을 형성시키는 성장용 기판 형성과정과; 상기 기판형성과정에서 형성된 GaN 단결정의 미러(mirror)면을 성장면으로 하고, 기판의 온도를 1020℃∼1050℃로 유지한 후 HVPE법을 이용하여 상기 성장용 기판 상면에 GaN 단결정층을 형성시키는 단결정층 형성과정과; 상기 단결정층 형성과정 후, 상기 기판 형성과정에서 형성된 성장용 기판을 제거시키는 성장용 기판 제거과정;을 포함하여 구성되는 고품위 GaN 단결정 기판의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 활성질소가스 공급에 의해 성장된 GaN 단결정을 성장용 기판으로 사용하고, 상기 성장용 기판을 사용하여 HVPE 법에 의해 격자결함이 없는 GaN 단결정을 성장시켜 광전자 소자용으로 이용가능하다는 이점이 있다.

10. 发明授权

KR100502467B1 활성 질소가스 공급에 의한 지에이엔 단결정 제조장치,제조방법, 그것에 의해 생성되는 지에이엔 단결정 失效
标题翻译： GaN单晶及其制造方法及其生长装置
公开(公告)号：KR100502467B1
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：KR1020020071674
申请日：2002-11-18
申请人： 정세영 , 조채용 , 주식회사 컴텍스
发明人： 정세영 , 조채용 , 박상언
IPC分类号： C30B29/38
摘要： 본 발명은 GaN 단결정에 제조장치에 관한 것으로, 내부에 NaN
3 와 갈륨(Ga)이 혼합된 혼합물이 수용되어 밀봉되는 성장도가니(120)와; 상기 성장도가니(120)의 외표면을 감싸도록 형성되는 석영관(180)과; 상기 성장도가니(120)가 수용된 석영관(180)이 설치되고, 외부의 전원과 연결되어 가열되며 온도구배가 되는 제1수직열처리로(100)와; 내부에 NaN
3 가 수용되어 밀봉된 보조도가니(130)가 위치되며, 외부 전원과 연결되어 가열되는 제2수직열처리로(110)와; 상기 제1수직열처리로(100)에 수용된 성장도가니(120)와 제2수직열처리로(110)에 수용된 보조도가니(130)의 내부를 상호간에 연결시키는 연결관(140); 그리고, 상기 연결관(140)에 설치된 진공밸브(170):를 포함하여 구성되는 활성 질소가스 공급에 의한 GaN 단결정 제조장치 및 상기 제조장치에 의한 단결정 제조방법 및 제조된 단결정을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 성장도가니 내부의 압력조절이 용이함과 동시에 성장도가니측으로 활성질소가스를 계속적으로 공급함에 의해 안정되며 크기가 큰 단결정이 성장된다는 이점이 있다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式