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    • 5. 发明公开
    • 전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 전극 패턴 제조방법
    • 导电纳米线光化学还原制备电极图形
    • KR1020170053218A
    • 2017-05-16
    • KR1020150155370
    • 2015-11-05
    • 서울대학교산학협력단
    • 고승환홍석준한승용
    • H01B13/00H01B5/14H01B1/20H01B1/02
    • 본발명의일실시예는본 발명의전도성나노와이어의광열화학적환원을통한구리전극패턴제조방법에있어서, 첫째, 전도성나노와이어를기판위에형성하는단계, 둘째, 첫째단계의전도성나노와이어를열 또는습도를통하여산화시켜산화된전도성나노와이어를형성하는단계, 셋째, 둘째단계의산화된전도성나노와이어에환원제를코팅하는단계, 넷째, 레이저를산화된전도성나노와이어에집광하는단계, 다섯째, 산화된전도성나노와이어가환원되어전극을얻는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는전도성나노와이어의광열화학적환원을통한구리전극패턴제조방법을제공한다.
    • 在本发明中的一个实施例的光热铜电极的方法,用于通过根据本发明的导电性纳米线的化学还原的基板,所述第二,所述导电性或纳米线的第一个步骤上产生图案,首先,形成导电纳米线 形成导电氧化物纳米线经由湿度氧化,并且第三,步骤涂层的与还原剂在氧化导电纳米线的第二个步骤,其四,该方法包括:冷凝氧化激光导电纳米线,第五,氧化 并且减少导电纳米线以获得电极。本发明还提供了通过导电纳米线的光化学还原制造铜电极图案的方法。
    • 8. 发明公开
    • 구리 나노와이어를 포함하는 투명전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 구리 나노와이어를 포함하는 투명전극
    • 包含铜纳米线的透明导体和包含铜纳米线的透明导体的制造方法
    • KR1020160026266A
    • 2016-03-09
    • KR1020140114439
    • 2014-08-29
    • 서울대학교산학협력단
    • 고승환한승용홍석준
    • H01B5/14H01B13/00G06F3/041G02B1/116
    • H01B5/14G02B1/116G06F3/041G06F2203/04103H01B13/00
    • 본발명은구리나노와이어를포함하는투명전극의제조방법및 이에따라제조되는구리나노와이어를포함하는투명전극에관한것이다. 상세하게는, 구리나노와이어를포함하는조성물을기판상에코팅하는단계; 및상기기판상에코팅된구리나노와이어를 10 내지 1000 mm/s의스캐닝속도로레이저주사하는단계;를포함하는구리나노와이어를포함하는투명전극의제조방법을제공한다. 본발명에따른구리나노와이어를포함하는투명전극의제조방법에따르면, 기판에코팅된구리나노와이어를단시간에레이저주사함으로써, 구리나노와이어간의접합성을높여접촉저항은감소시키는반면, 접합부분외의구리나노와이어가산화되어산화에의한저항이증가되는것을막을수 있어, 상온및 공기중에서도전기적성능이향상된구리나노와이어투명전극을제조할수 있다. 이에따라, 저렴한구리를사용하고, 공정조건을간단히함으로써보다저렴한가격에투명전극을제공할수 있는효과가있다.
    • 本发明涉及一种含有铜纳米线的透明电极的制造方法和含有由其制造的铜纳米线的透明电极。 具体地说,包含铜纳米线的透明电极的制造方法包括:在基板上涂布含有铜纳米线的组合物的工序; 以10-1000mm / s的扫描速度激光扫描在基板上涂布的铜纳米线。 根据本发明的透明电极的制造方法,在短时间内对涂布在基板上的铜纳米线进行激光扫描,以增加铜纳米线之间的粘附性,以降低接触电阻。 氧化附着部分以外的铜线,通过氧化来防止电阻增加,制造即使在室温和空气中也具有改善的电性能的铜纳米线透明电极。 因此,使用便宜的铜,并且简化了处理条件以便以低成本提供透明电极。