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1. 发明公开

KR1019930015355A 이중전압 아이솔레이션을 갖춘 고속 3단 디코더 失效
标题翻译：具有双电压隔离的高速三级解码器
公开(公告)号：KR1019930015355A
公开(公告)日：1993-07-24
申请号：KR1019920024789
申请日：1992-12-19
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 피터헤이즌 , 쉐립스웨하
IPC分类号： H03K19/00
摘要： 제1 및 제2전압레벨의 논리신호들이 판독동작에 대해 어레이내 메모리 위치를 선택하기 위해 사용되며, 제1 및 제2전압레벨 보다 더 높은 전압레벨의 하나 이상의 신호가 출현할 수 있으며, 전용 행디코더에 의해 공통노드에 각각 결합된 다수의 워드선, 제1 및 제2전압레벨의 출력전압레벨을 제공하기 위해 배설된 풀 CMOS NAND 게이트로 구성된 개개의 워드선을 행디코더가 선택할 수 있도록 하기 위해 한블럭의 워드선을 선택하는 프리디코더회로, 워드선중 하나에 각각 접속된 다수의 워크 P 채널 디바이스, 워드선에 더높은 레벨 및 그 이하 레벨의 전압레벨을 제공하기 위해 워크 P 채널 디바이스를 작동하는 수단, 더 높은 전압레벨 보다 낮도록 공통점에 전송된 전압값을 제한하는 수단, 그리고 소정레벨 보다 더 낮도록 NAND 게이트로 부터 공통노드로 송된 전압레벨을 제한하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 어레이.

2. 发明授权

KR100221042B1 이중전압 아이솔레이션을 갖춘 고속 3단 디코더 失效
标题翻译：具有双电压隔离的高速三电平解码器
公开(公告)号：KR100221042B1
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR1019920024789
申请日：1992-12-19
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 피터헤이즌 , 쉐립스웨하
IPC分类号： H03K19/00
CPC分类号： G11C16/08 , G11C8/10 , G11C8/12 , H03M5/16
摘要： 제1 및 제2전압레벨의 논리신호들이 판독동작에 대해 어레이내 메모리 위치를 선택하기 위해 사용되며, 제1 및 제2 전압레벨 보다 더 높은 전압레벨의 하나 이상의 신호가 출현할 수 있으며, 전용 행디코더에 의해 공통노드에 각각 결합된 다수의 워드선, 제1및 제2전압레벨의 출력전압레벨을 제공하기 위해 배설된 풀 CMOS NAND 게이트로 구성된 개개의 워드선을 행디코더가 선택할 수 있도록 하기 위해 한블럭의 워드선을 선택하는 프리디코더회로, 워드선중 하나에 각각 접속된 다수의 위크 P 채널 디바이스, 워드선에 더 높은 레벨 및 그 이하 레벨의 전압레벨을 제공하기 위해 위크 P 채널 디바이스를 작동하는 수단, 더 높은 전압레벨 보다 낮도록 공통점에 전송된 전압값을 제한하는 수단, 그리고 소정레벨 보다 더 낮도록 NAND 게이트로부터 공통노드로 � �송된 전압레벨을 제한하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 어레이.

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