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1. 发明授权

KR100799062B1 전도성 조성물 및 플라즈마 디스플레이의 배면 기판의 제조방법 失效
标题翻译：等离子体显示器的背面基板的导电组合物和方法
公开(公告)号：KR100799062B1
公开(公告)日：2008-01-29
申请号：KR1020070108766
申请日：2007-10-29
申请人： 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
发明人： 조,용우 , 이,지연 , 츠치야,모토히코
IPC分类号： H01B1/14 , H01J11/36 , H01J9/02
CPC分类号： H01J9/242 , H01B1/16 , H01J11/12 , H01J11/26 , H01J11/36 , H01J2211/225
摘要： 본 발명은 플라스마 디스플레이 패널 (이하 PDP로 칭함)을 위한 전도성 조성물에 관한 것이다. 더욱 특히, 본 발명의 전도성 조성물은 에칭액에 고도의 내구성을 가지고, 화학적 에칭에 의해 격벽재로부터 격벽을 형성하기에 적합한 전도성 조성물에 관한 것이다.
전도성 조성물, 화학적 에칭, 격벽, 플라스마 디스플레이 패널, PDP
摘要翻译：等离子体显示面板用导电性组合物技术领域本发明涉及等离子体显示面板用的导电性组合物更具体地说，本发明的导电组合物涉及一种导电组合物，其在蚀刻剂中具有高耐久性并且适于通过化学蚀刻由阻挡材料形成隔壁。

2. 发明授权

KR100798240B1 전도성 조성물 및 플라즈마 디스플레이의 배면 기판의 제조방법 失效
标题翻译：制造导电组合物的方法和等离子显示器的后基板
公开(公告)号：KR100798240B1
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：KR1020060058680
申请日：2006-06-28
申请人： 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
发明人： 조,용우 , 이,지연 , 츠치야,모토히코
IPC分类号： H01B1/14 , H01J11/34 , H01J9/02
CPC分类号： H01J9/242 , H01B1/16 , H01J11/12 , H01J11/26 , H01J11/36 , H01J2211/225
摘要： 본 발명은 플라스마 디스플레이 패널 (이하 PDP로 칭함)을 위한 전도성 조성물에 관한 것이다. 더욱 특히, 본 발명의 전도성 조성물은 에칭액에 고도의 내구성을 가지고, 화학적 에칭에 의해 격벽재로부터 격벽을 형성하기에 적합한 전도성 조성물에 관한 것이다.

3. 发明公开

KR1020070108345A 전도성 조성물 및 플라즈마 디스플레이의 배면 기판의 제조방법 失效
标题翻译：制造导电组合物的方法和等离子显示器的后基板
公开(公告)号：KR1020070108345A
公开(公告)日：2007-11-09
申请号：KR1020070108766
申请日：2007-10-29
申请人： 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
发明人： 조,용우 , 이,지연 , 츠치야,모토히코
IPC分类号： H01B1/14 , H01J11/36 , H01J9/02
CPC分类号： H01J9/242 , H01B1/16 , H01J11/12 , H01J11/26 , H01J11/36 , H01J2211/225
摘要： A conductive composition is provided to form an address electrode having high chemical etching durability, and prevent the address electrode from being damaged during a chemical etching process in which a plasma display panel is formed by chemical etching. A conductive composition comprises a silver powder having an average diameter of 1.0-2.5 micron and a lead-containing glass frit. A ratio of the lead-containing glass frit content to the silver powder content is from 0.75:99.25 to 6.0:94.0. The lead-containing glass frit has a softening point of 430-510 °C, and comprises PbO, B2O3, and SiO2. When barriers(504') in a plasma display are formed by chemical etching, the conductive composition is used for an address electrode(314).
摘要翻译：提供导电组合物以形成具有高化学蚀刻耐久性的寻址电极，并且在通过化学蚀刻形成等离子体显示面板的化学蚀刻工艺期间防止寻址电极被损坏。导电组合物包含平均直径为1.0-2.5微米的银粉和含铅玻璃料。含铅玻璃料含量与银粉含量的比例为0.75:99.25至6.0:94.0。含铅玻璃料的软化点为430-510℃，包含PbO，B2O3和SiO2。当通过化学蚀刻形成等离子体显示器中的屏障（504'）时，导电组合物用于寻址电极（314）。

4. 发明公开

KR1020070001824A 전도성 조성물 및 플라즈마 디스플레이의 배면 기판의 제조방법 失效
标题翻译：制造导电组合物的方法和等离子显示器的后基板
公开(公告)号：KR1020070001824A
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：KR1020060058680
申请日：2006-06-28
申请人： 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
发明人： 조,용우 , 이,지연 , 츠치야,모토히코
IPC分类号： H01B1/14 , H01J11/34 , H01J9/02
CPC分类号： H01J9/242 , H01B1/16 , H01J11/12 , H01J11/26 , H01J11/36 , H01J2211/225
摘要： Provided are a conductive composition which is excellent in etchant resistance and is used to form a partition wall by chemical etching, an electrode formed by using the composition, a method for preparing a rear substrate of a plasma display by using the composition, and a plasma display panel containing the rear substrate. The conductive composition comprises a silver powder having an average diameter of 1.0-2.5 micrometers; and a lead-containing glass frit in a ratio of 99.25 : 0.75 to 94.0 : 6.0. Preferably the lead-containing glass frit has a softening point of 430-510 deg.C. The method comprises the steps of forming an address electrode on a rear substrate by using the composition; forming a layer comprising a partition wall material on the rear substrate; and chemically etching the layer comprising a partition wall material to form a partition wall.
摘要翻译：提供一种导电性组合物，其耐腐蚀性优异，用于通过化学蚀刻形成隔壁，使用该组合物形成的电极，使用该组合物制备等离子体显示器的后基板的方法，以及等离子体显示面板包含后基板。导电组合物包含平均直径为1.0-2.5微米的银粉; 和含铅玻璃料，比例为99.25:0.75至94.0:6.0。优选含铅玻璃料的软化点为430-510℃。该方法包括以下步骤：通过使用该组合物在后衬底上形成寻址电极; 在所述后基板上形成包括隔壁材料的层; 以及化学蚀刻包含隔壁材料的层以形成分隔壁。

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