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热词
    • 2. 发明授权
    • 고 이동도 트랜지스터
    • 高迁移率晶体管
    • KR101824686B1
    • 2018-02-01
    • KR1020170101777
    • 2017-08-10
    • 울산과학기술원
    • 박장웅장지욱
    • H01L29/51H01L29/423
    • H01L29/515H01L29/42384H01L2924/13064
    • 본발명은, 높은전자이동도를가지는고 이동도트랜지스터를제공한다. 본발명의일실시예에따른고 이동도트랜지스터는, 기판; 상기기판상에배치된소스영역, 드레인영역, 및상기소스영역과상기드레인영역사이에배치되어상기소스영역과상기드레인영역을전기적으로연결하는채널영역; 상기소스영역과상기드레인영역상에배치된제1 격벽요소; 상기제1 격벽요소상에배치된제1 게이트전극층; 및상기채널영역, 상기제1 격벽요소, 및상기제1 게이트전극층에둘러싸여이루어지는제1 기체영역;을포함한다.
    • 本发明提供具有高电子迁移率的高迁移率晶体管。 根据本发明实施例的高迁移率晶体管包括:衬底; 沟道区,设置在源极区和漏极区之间并电连接源极区和漏极区,沟道区设置在基板上; 第一障肋元件,设置在所述源极区域和所述漏极区域上; 设置在第一堤岸元件上的第一栅电极层; 以及由沟道区,第一堤坝元件和第一栅电极层围绕的第一气体区域。
    • 3. 发明授权
    • 전자장치의 리페어 방법
    • 电子设备修理方法
    • KR101642429B1
    • 2016-07-25
    • KR1020150068937
    • 2015-05-18
    • 울산과학기술원
    • 박장웅김소연장지욱
    • H01L21/48
    • 본발명은전자장치의기판에서반도체물질로형성된채널들의결함을리페어하는방법에있어서, 채널들을분석하여, 채널들중 패턴이유실된결함부의위치를파악하는단계및 결함부에전도성잉크를분포시키는리페어단계를포함하는전자장치의리페어방법을제공한다. 따라서전도성용액을이용하여채널의결함부를리페어하기때문에공정이용이하여, 경제적이며, 낮은온도에서도공정이가능하여장치의손상을방지할수 있음은물론적용범위를확대할수 있다.
    • 本发明涉及一种在电子设备的基板中修复由半导体材料形成的沟道的缺陷的方法。 提供一种电子设备的修复方法,其包括:通过分析所述信道来验证信道中丢失模式的缺陷单元的位置的步骤; 以及在有缺陷的单元中分配导电油墨的修复步骤。 因此,由于通过使用导电溶液修复通道的故障单元,因此可以防止工艺的容易和经济,并且可以防止对器件的损坏,并且可以延长应用范围,因为可以在低温下进行该工艺。
    • 6. 发明授权
    • 고 이동도 트랜지스터 및 그의 제조 방법
    • 高迁移率晶体管及其制造方法
    • KR101792644B1
    • 2017-11-02
    • KR1020170027100
    • 2017-03-02
    • 울산과학기술원
    • 박장웅장지욱
    • H01L29/51H01L29/423
    • H01L29/515H01L29/42384H01L2924/13064
    • 본발명은, 높은전자이동도를가지는고 이동도트랜지스터를제공한다. 본발명의일실시예에따른고 이동도트랜지스터는, 기판; 상기기판상에배치된소스영역, 드레인영역, 및상기소스영역과상기드레인영역사이에배치되어상기소스영역과상기드레인영역을전기적으로연결하는채널영역; 상기소스영역과상기드레인영역상에배치된제1 격벽요소; 상기제1 격벽요소상에배치된제1 게이트전극층; 및상기채널영역, 상기제1 격벽요소, 및상기제1 게이트전극층에둘러싸여이루어지는제1 기체영역;을포함한다.
    • 本发明提供具有高电子迁移率的高迁移率晶体管。 根据本发明实施例的高迁移率晶体管包括:衬底; 沟道区,设置在源极区和漏极区之间并电连接源极区和漏极区,沟道区设置在基板上; 第一障肋元件,设置在所述源极区域和所述漏极区域上; 设置在第一堤岸元件上的第一栅电极层; 以及由沟道区,第一堤坝元件和第一栅电极层围绕的第一气体区域。