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1. 发明公开

KR1020140128301A 유기발광다이오드, 유기발광다이오드의 제조방법, 화상표시장치 및 조명장치 审中-实审
标题翻译：有机发光二极管，有机发光二极管的制造方法，图像显示装置和照明装置
公开(公告)号：KR1020140128301A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：KR1020147019819
申请日：2012-12-26
申请人： 오지 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 시노츠카케이 , 오카모토타카유키 , 카와무카이에츠코
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/50 , H01L51/56 , H01L27/32 , H05B33/10 , H05B33/24 , H05B33/02 , G09F9/30
CPC分类号： H01L51/5262 , H01L51/5012 , H01L51/5218 , H01L51/5234 , H01L51/5271 , H01L51/5275 , H01L51/56 , H01L2251/5315 , H01L2251/5369 , H01L51/5203
摘要： 일종의 발광재료로부터 만들어지는 단색 유기발광다이오드 소자의 빛의 추출효율이 높으며, 또한, 미세요철구조의 근소한 변화에 의해 추출파장이 목적의 발광파장으로부터 벗어날 우려가 없는, 가시광에서 근적외영역중에 있어서 임의의 중심파장을 갖는 어느 정도 퍼짐새를 갖는 협대역의 빛을 추출하는 것을 가능하게 한 유기발광다이오드용 기판, 유기발광다이오드, 유기발광다이오드용 기판의 제조방법, 유기발광다이오드의 제조방법, 화상표시장치 및 조명장치를 제공하는 것으로 하고, 기판상에, 적어도, 금속재료로부터 이루어지는 반사층과, 투명도전재료로부터 이루어지는 양극도전층과, 유기발광재료를 함유하는 발광층을 포함한 유기EL층과, 반투과금속층 및 투명도전재료로부터 이루어지는 투명도전층이 적층된 음극도전층이 순차 적� �되며, 상기 반투과금속층의 상기 투명도전층측과 접하고 있는 면에, 복수의 볼록부가 주기적으로 2차원으로 배열한 2차원 격자구조가 형성된 탑 에미션형의 유기발광다이오드에 있어서, 상기 면에 형성된 볼록부에 있어서 서로 이웃하는 볼록부 사이의 중심간 거리 P는, 상기 면에 있어서 복소수로 표시되는 표면 플라즈몬의 전파정수의 실부를 k라고 하면, 상기 중심간 거리 P는 식 (1)의 범위의 값이도록 하는 것으로 하며, 상기 식 (1)에 있어서 P
0 는, 상기 2차원 격자구조로써 삼각격자구조를 형성할 때는, 다음 식 (2)을 만족시키고, 상기 2차원 격자구조로써 정방격자구조를 형성할 때는, 다음 식 (3)을 만족시키도록 했다.
摘要翻译：本发明提供了一种有机发光二极管衬底，其被配置为使得由一种发光材料制成的单色有机发光二极管元件的光提取效率高，使得不存在提取波长偏离由于微小的不均匀结构的微小变化导致的目标发光波长，并且能够从具有在近红外波段内的任何中心波长并且具有宽度的可见光提取窄带宽的光。还提供有机发光二极管，有机发光二极管基板的制造方法，有机发光二极管的制造方法，图像显示装置和照明装置。作为顶部发射型的有机发光二极管被配置为使得至少以下层叠在基板上：包括金属材料的反射层; 包括透明导电材料的阳极导电层; 具有含有有机发光材料的发光层的有机EL层; 以及其中层叠有半透射金属层和包括透明导电材料的透明导电层的阴极导电层。在与透明导电层侧接触的半透射金属层的表面上，形成二维晶格结构，其中多个突起周期性地和二维地排列。如果在表面上，由复数表示的表面等离子体的传播常数的实部为k，则中心（P）之间的距离（P）是表面上形成的突起中相邻突起的中心（P）之间的距离，被设定为公式（1）的范围内的值。当形成三角形晶格结构作为二维晶格结构时，公式（1）中的P0满足公式（2），当形成矩形晶格结构作为二维晶格结构时，P0满足公式（3）。 [数学公式1] 0.8 ¢P 0‰P‰¤1.2 ¢P 0 [数学公式2] P 0 = 4 ¢À ¢3 ¢k [数学公式3] P 0 = 2 ¢À ķ

2. 发明授权

KR101879618B1 유기 발광 다이오드의 제조 방법, 유기 발광 다이오드, 화상 표시 장치, 조명 장치 및 기판 有权
公开(公告)号：KR101879618B1
公开(公告)日：2018-07-18
申请号：KR1020147001230
申请日：2012-06-28
申请人： 오지 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 시노츠카케이 , 오카모토타카유키 , 카와무카이에츠코 , 야마무라노리오
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/56 , H01L51/0017 , H01L51/5036 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/5209 , H01L51/5225 , H01L51/5234 , H01L51/5268 , H01L51/5275 , H05B33/02 , H05B33/10 , Y10T428/24479
摘要： 제1 양태의유기발광다이오드의제조방법은입자단층막을에칭마스크로한 드라이에칭법에의해, 표면에복수의요철이 2차원으로배열된요철구조가형성된기판을제작하는공정과, 당해요철구조상에, 적어도양극도전층과, 유기발광재료를함유하는발광층을포함하는 EL층과, 금속층을포함하는음극도전층을당해금속층의상기 EL층측의표면에당해요철구조가복사되도록적층하는공정을갖는유기발광다이오드의제조방법으로서, 당해입자단층막을입자직경이상이한복수의입자의혼합물을사용해형성하여, 요건(A): 평균높이가 15㎚이상 150㎚이하및 요건(B): 높이분포의스펙트럼강도가파수의절대값|k|가하기식(Ⅰ)에나타내는범위내 전체에걸쳐유한의값을가지며, 또한스펙트럼강도의당해범위에서의적분값이스펙트럼강도의전체파수영역에서의적분값의 35% 이상을차지하는값을갖는것을만족하는요철구조를형성하는것을특징으로한다. [수학식 1]ε(λ)는상기금속층을구성하는금속의비유전율을나타낸다. ε(λ)는상기 EL층의등가적인비유전율을나타낸다. λ는취출파장의최대값, λ은취출파장의최소값을나타낸다. Re[ ]는복소수의실수부를나타낸다.

3. 发明公开

KR1020150046032A 반도체 발광 소자용 기판, 반도체 발광 소자 및 이들의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于半导体发光元件的基板，半导体发光元件，用于制造半导体发光元件的基板的方法以及制造半导体发光元件的方法
公开(公告)号：KR1020150046032A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：KR1020157003925
申请日：2013-08-21
申请人： 오지 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 핫타요시히사 , 시노츠카케이 , 다이코타로 , 가지타야스히토
IPC分类号： H01L33/20 , H01L21/3065 , H01L21/02
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/02019 , H01L21/02282 , H01L21/02285 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/50 , H01L2933/0025 , H01L21/3065
摘要： 이반도체발광소자의제조방법은기판(S)에복수의입자(M)를단일층으로배열시키는입자배열공정과, 입자(M)가에칭되고, 기판(S)이실질적으로에칭되지않는조건으로, 배열한복수의입자(M)를드라이에칭하여입자(M) 간에간극을형성하는입자에칭공정과, 입자에칭공정후의복수의입자(M)를에칭마스크로서기판(S)을드라이에칭하여, 기판(S)의일방의면(X)에요철구조를형성하는기판에칭공정을구비한다.

4. 发明公开

KR1020140086864A 유기 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드용 기판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：有机发光二极管，有机发光二极管基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140086864A
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：KR1020130162354
申请日：2013-12-24
申请人： 오지 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 시노츠카케이 , 오카모토타카유키 , 카와무카이에츠코 , 야마무라노리오
IPC分类号： H01L51/52
CPC分类号： H01L51/56 , H01L51/0096 , H01L51/5268 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/5262
摘要： The present invention relates to an organic light emitting diode, which efficiently extracts light of an arbitrary wideband wavelength within a visible region and obtains the light having low blue light or low red light, and a method for manufacturing a substrate for the organic light emitting diode, which is useful for manufacturing the same. The present invention relates to the organic light emitting diode which is manufactured by a substrate for the organic light emitting diode in which an uneven structure is formed on at least a part of surface. The uneven structure obtains an atomic force microscope (AFM) phase in which a plurality of points is distributed when the uneven structure is observed by the AFM. A histogram written by measuring each diameter (nm) of the points which exist on an area on the AFM in which the size is 25 μm^2 comprises a plurality of peaks. The peaks comprise one main peak and one or more sub-peaks. The chromaticity of the light of the organic light emitting diode is within a range of (x, y)=(0.28-0.50, 0.29-0.45) in CIE color coordinates.
摘要翻译：本发明涉及一种有机发光二极管，其有效地提取可见光区域内的任意宽带波长的光，并获得具有低蓝光或低红光的光，以及用于制造有机发光二极管的基板的方法，这对于制造它是有用的。本发明涉及由有机发光二极管的基板制造的有机发光二极管，其中在至少一部分表面上形成不均匀结构。不平坦结构获得原子力显微镜（AFM）相，其中当通过AFM观察到不均匀结构时，分布有多个点。通过测量在尺寸为25μm^ 2的AFM上的区域上存在的点的每个直径（nm）而形成的直方图包括多个峰。峰包括一个主峰和一个或多个亚峰。有机发光二极管的光的色度在CIE色坐标中的（x，y）=（0.28-0.50,0.29-0.45）的范围内。

5. 发明授权

KR102132645B1 유기 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드용 기판 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102132645B1
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：KR1020130162354
申请日：2013-12-24
申请人： 오지 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 시노츠카케이 , 오카모토타카유키 , 카와무카이에츠코 , 야마무라노리오
IPC分类号： H01L51/52

6. 发明公开

KR1020170074883A 광학 소자, 광학 복합 소자 및 보호 필름이 부착된 광학 복합 소자 审中-实审
标题翻译：光学元件，光学复合元件和具有保护膜的光学复合元件
公开(公告)号：KR1020170074883A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020177010900
申请日：2015-10-21
申请人： 오지 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 혼고코키 , 시노츠카케이
IPC分类号： G02B1/118 , G02B1/14
CPC分类号： G02B1/118 , G02B1/14
摘要： 이광학소자는사용환경하의빛의파장이하의최빈피치로배열되는복수의오목부를일면에갖는광학소자로서, 상기광학소자는상기복수의오목부가소정의배열로배열되는도메인을평면으로보았을때 복수갖고, 복수의상기도메인에끼워지는영역및/또는상기도메인내의상기복수의오목부에둘러싸이는영역에는복수의돌출부가형성되고, 평면으로보았을때 상기복수의돌출부가차지하는면적률이 1%∼15%이다.
摘要翻译： Yigwanghak元件被排列在一个最小间距等于或小于所述的使用环境下的光的波长具有多个一侧的凹部的光学元件，该光学元件具有多个作为多个在一个平面排列的预定布置的凹部的观察域部分多个突起形成在被畴中的多个畴和/或多个凹部夹持的区域中，多个突起在面内占有的面积比例为1％〜15％一。

7. 发明授权

KR101430971B1 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법, 화상 표시 장치 및 조명 장치 有权
标题翻译：有机发光二极管，其制造方法，图像显示装置和照明装置
公开(公告)号：KR101430971B1
公开(公告)日：2014-08-18
申请号：KR1020137013506
申请日：2011-11-02
申请人： 오지 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 시노츠카케이 , 오카모토타카유키
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/26 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/5268 , H01L51/5203 , H01L51/5209 , H01L51/5215 , H01L51/5221 , H01L51/5225 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L51/56
摘要： 본 발명은 적어도 양극 도전층과, 유기 발광 재료를 함유하는 발광층을 포함하는 유기 EL층과, Ag 또는 Ag의 함유율이 70％질량 이상의 합금이나 또는 Al 또는 Al의 함유율이 70％질량 이상의 합금으로 이루어지는 음극 도전층이 순차 적층되고, 상기 음극 도전층의 상기 유기 EL층측 표면에, 복수의 오목부가 주기적으로 2차원으로 배열된 2차원 격자 구조가 형성되어 있거나 또는 복수의 볼록부가 주기적으로 2차원으로 배열된 2차원 격자 구조가 형성되어 있는 유기 발광 다이오드에 있어서, 유기 발광 다이오드로부터의 광 취출 파장(λ)(㎚)과, 상기 2차원 격자 구조에 있어서의 상기 오목부 또는 상기 볼록부의 중심간 거리(p)(㎚)가, 이들 관계를 나타내는 그래프에서 특정 좌표(예를 들면, A, B, C, D, E, F, G, H, I, J, A 등)를 순차 연결하는 직선으로 둘러싸인 영역 내에 있고, 또한 상기 오목부의 깊이 또는 상기 볼록부의 높이가 12㎚ 이상 180㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 광 취출 효율이 우수한 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법, 상기 유기 발광 다이오드를 구비한 화상 표시 장치 및 조명 장치를 제공할 수 있다.
摘要翻译：提供一种有机发光二极管及其制造方法。有机发光二极管包括阳极导电层，有机EL层和由Ag或Ag等合金形成的阴极导电层依次层压在基板上，其中提供二维晶格结构在有机EL层侧的阴极导电层的表面上，二维晶格结构中的提取波长和凹部或凸部的中心之间的距离在由特定坐标（例如A， B，C，D，E，F，G，H，I，J，A）表示光提取波长与距离之间的关系，凹部的深度或凸部的高度 12nm至180nm。

8. 发明授权

KR102115749B1 유기 박막 태양 전지 및 유기 박막 태양 전지의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102115749B1
公开(公告)日：2020-05-27
申请号：KR1020157036208
申请日：2014-06-27
申请人： 오지 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 시노츠카케이 , 오카모토타카유키
IPC分类号： H01L51/44 , C03C15/00 , H01L51/42 , H01L31/0256

9. 发明授权

KR102051976B1 유기발광다이오드, 유기발광다이오드의 제조방법, 화상표시장치 및 조명장치 有权
公开(公告)号：KR102051976B1
公开(公告)日：2020-01-08
申请号：KR1020147019819
申请日：2012-12-26
申请人： 오지 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 시노츠카케이 , 오카모토타카유키 , 카와무카이에츠코
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/50 , H01L51/56 , H01L27/32 , H05B33/10 , H05B33/24 , H05B33/02 , G09F9/30

10. 发明授权

KR102019058B1 반도체 발광 소자용 기판, 반도체 발광 소자 및 이들의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102019058B1
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：KR1020157003925
申请日：2013-08-21
申请人： 오지 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 핫타요시히사 , 시노츠카케이 , 다이코타로 , 가지타야스히토
IPC分类号： H01L33/20 , H01L21/3065 , H01L21/02

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