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热词
    • 3. 发明公开
    • 극저온용 동축 케이블
    • 低温同轴电缆
    • KR1020020093273A
    • 2002-12-16
    • KR1020010031741
    • 2001-06-07
    • 엘지전자 주식회사
    • 이행선최영환
    • H01B11/18
    • PURPOSE: A cryogenic coaxial cable is provided to allow wiring work to be easily performed by increasing flexibility of the cable, while achieving improved reliability of system by reducing thermal loss. CONSTITUTION: A coaxial cable(10) comprises an inner conductor shaped into a hollow corrugated pipe; a dielectric member made of a synthetic resin, and which surrounds the outer periphery of the inner conductor; and an outer conductor shaped into a corrugated pipe, and which surrounds the outer periphery of the dielectric member. Alternatively, the coaxial cable comprises a central inner conductor; a dielectric member made of a synthetic resin, and which surrounds the outer periphery of the inner conductor; and an outer conductor surrounding the outer periphery of the dielectric member into a mesh shape.
    • 目的:提供一种低温同轴电缆,通过提高电缆的灵活性,轻松实现接线工作,同时通过减少热损失来提高系统的可靠性。 构成:同轴电缆(10)包括成形为中空波纹管的内导体; 由合成树脂制成并围绕内部导体的外周的电介质构件; 以及形成为波纹管的外导体,其包围电介质构件的外周。 或者,同轴电缆包括中心内导体; 由合成树脂制成并围绕内部导体的外周的电介质构件; 以及将电介质构件的外周围围成网状的外导体。
    • 5. 发明公开
    • 나노 구조물을 이용한 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
    • 使用纳米结构的薄膜晶体管及其制造方法
    • KR1020090024528A
    • 2009-03-09
    • KR1020070089591
    • 2007-09-04
    • 엘지전자 주식회사
    • 이성은최영환
    • H01L29/786B82Y10/00
    • H01L29/0669B82Y10/00H01L29/0673H01L29/78696
    • A thin film transistor using the nanostructures and a method of manufacture thereof are provided to fill up the air gap between the nanostructures and to reduce the contact resistance of electrode. The source and drain electrodes(110,120) are formed in upper part the substrate(100). The channel(210) including nanostructures is formed between the source and drain electrode. The contact resistance reduction layer(251) surrounds the channel including the nanostructures and is formed in the upper part of substrate. The gate insulating layer(150) surrounds the source electrode, and the drain electrode and contact resistance reduction layer and is formed in the upper par of substrate. The gate electrode(170) is formed in the upper part of the gate insulating layer.
    • 提供使用纳米结构的薄膜晶体管及其制造方法来填充纳米结构之间的气隙并降低电极的接触电阻。 源极和漏极电极(110,120)形成在衬底(100)的上部。 在源极和漏极之间形成包括纳米结构的沟道(210)。 接触电阻降低层(251)围绕包括纳米结构的沟道,并且形成在衬底的上部。 栅极绝缘层(150)围绕源电极,漏电极和接触电阻降低层,并且形成在衬底的上层。 栅电极(170)形成在栅极绝缘层的上部。
    • 6. 发明授权
    • 전계 방출 소자 제조 방법
    • 制造场发射装置的方法
    • KR100767420B1
    • 2007-10-17
    • KR1020050113767
    • 2005-11-25
    • 엘지전자 주식회사
    • 이성은김동천성면창최영환
    • H01J1/304H01J9/02C01B31/02B82Y40/00
    • 본 발명은 카본 나노 튜브(CNT)가 분산된 유기 금속 화합물 잉크를 이용하여 캐소드 전극 혹은 저항층과 전자 방출원인 카본 나노 튜브를 함께 형성할 수 있는 전계 방출 소자 제조 방법에 관한 것으로, 캐소드 전극 또는 저항층이 형성될 영역에 카본 나노 튜브가 분산된 유기 금속 화합물 잉크를 코팅하는 단계와; 상기 코팅된 영역을 열처리한 후 환원처리하여 금속 도전막을 형성하는 단계와; 상기 금속 도전막에 분산된 카본 나노 튜브를 후처리 공정에 의해 수직 배열시켜 카본 나노 튜브 전자 방출원이 포함된 캐소드 전극용 또는 저항층 금속 도전막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐으로써, 카본 나노 튜브 전자 방출원과 캐소드 전극 또는 저항층 형성 공정이 별도로 요구되지 않고, 패터닝이 요구되지 않는 대면적 카본 나노 튜브 램프 제작에 유용하고, 뛰어난 양산성 및 저가 공정으로 균일한 휘도를 갖는 대면적 평판 표시 패널을 제작할 수 있으며 전자 방출 효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
    • 7. 发明公开
    • 전계 방출 소자 제조 방법
    • 场发射器件制造方法
    • KR1020070055257A
    • 2007-05-30
    • KR1020050113767
    • 2005-11-25
    • 엘지전자 주식회사
    • 이성은김동천성면창최영환
    • H01J1/304H01J9/02C01B31/02B82Y40/00
    • H01J1/304B82B3/0071B82Y40/00C01B32/168C01B2202/08H01J9/025H01J2201/30469
    • 본 발명은 카본 나노 튜브(CNT)가 분산된 유기 금속 화합물 잉크를 이용하여 캐소드 전극 혹은 저항층과 전자 방출원인 카본 나노 튜브를 함께 형성할 수 있는 전계 방출 소자 제조 방법에 관한 것으로, 카본 나노 튜브(CNT)가 형성될 영역에 카본 나노 튜브가 분산된 유기 금속 화합물 잉크를 코팅하는 단계와; 상기 코팅된 유기 금속 화합물 잉크를 열처리 후 환원처리하여 금속 도전막을 형성하는 단계와; 상기 금속 도전막에 분산된 카본 나노 튜브를 후처리 공정에 의해 수직 배열시켜 카본 나노 튜브 전자 방출원을 형성하는 단계로 이루어짐으로써, 패터닝이 요구되지 않는 대면적 CNT 램프 제작에 유용하고, 뛰어난 양산성 및 저가 공정으로 균일한 휘도를 갖는 대면적 평판 표시 패널을 제작할 수 있으며 전자 방출 효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
    • 本发明是一种碳纳米管(CNT)是通过使用在阴极电极或分布式的有机金属化合物的油墨的电阻层和电子发射的原因,其可以形成具有碳纳米管场致发射装置的制造方法,碳纳米管( 涂覆其中碳纳米管分散在将要形成CNT的区域中的有机金属化合物油墨; 通过热处理形成金属导电层,然后还原涂覆的有机金属化合物油墨; 通过过程中的碳纳米管分散在所述导电金属膜之后垂直对准作为由形成碳纳米管的电子发射源的一个步骤,并且是构图它不需要大面积的CNT灯是有用的,量产性优良 而且,通过低成本的工序,能够制造亮度均匀且电子发射效率提高的大面积平板显示面板。
    • 8. 发明公开
    • 표면 전도형 전자방출 소자 및 그 제조 방법
    • 表面传导电子发射器件及其制造方法
    • KR1020070042838A
    • 2007-04-24
    • KR1020050098847
    • 2005-10-19
    • 엘지전자 주식회사
    • 성면창박창서김동천이성은최영환
    • H01J1/30
    • 본 발명은 표면 전도형 전자방출 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 종래에는 방출전류에 비해 전도전류가 크면 형광체 발광에 기여하지 않는 전력이 커지고, 전도전류의 커짐은 전자빔에 의한 게이트 전극 주변에 열화와 변형을 가져옴에 따라 SCE 소자는 안정되게 동작하지 못하는 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 감안한 본 발명은 기판상에 대향배치된 전극들 사이에 형성된 도전성 박막과; 상기 도전성 박막에 형성되어 전자가 방출되는 나노갭과; 상기 전자가 방출되는 나노갭 인접 영역에 형성되어 상기 나노갭에서 방출되는 전자에 로렌츠 힘을 가하는 자성층을 포함하게 구성되어 애노드 전극으로 향하는 방출전류를 증가시켜 형광체 발광에 기여하지 못하는 전도전류를 줄여 전력손실을 줄이고, 전도전류의 전자빔으로 인한 게이트 전극의 열화 및 변형을 방지하여 SCE 소자의 신뢰성을 개선하는 효과가 있다.