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1. 发明授权

KR102251537B1 태양 전지 有权
公开(公告)号：KR102251537B1
公开(公告)日：2021-05-13
申请号：KR1020190055209
申请日：2019-05-10
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 조해종 , 오동해 , 정주화 , 안준용
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/0392 , H01L31/0272 , H01L31/18
摘要： 본발명은태양전지에관한것이다. 본발명의일례에따른태양전지는반도체기판; 반도체기판의전면에위치하는제1 도전형영역; 반도체기판의후면위에위치하고, 다결정실리콘재질을포함하는제2 도전형영역; 반도체기판의전면에위치하고, 제1 도전형영역과연결되는제1 전극; 및반도체기판의후면에위치하고, 제2 도전형영역과연결되는제2 전극;을포함하고, 제1, 2 전극각각은금속입자와글래스프릿을포함하고, 제2 전극에함유되는단위부피당글래스프릿의함유량은제1 전극에함유되는단위부피당글래스프릿의함유량보다작다.

2. 发明公开

KR1020200137804A 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널 有权
公开(公告)号：KR1020200137804A
公开(公告)日：2020-12-09
申请号：KR1020190064720
申请日：2019-05-31
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 하정민 , 양영성 , 이경동 , 정주화
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/02 , H01L31/048
摘要： 본발명의실시예예따른태양전지패널은, 반도체기판과, 상기반도체기판에또는상기반도체기판위에위치하는복수의제1 및제2 도전형영역과, 상기복수의제1 및제2 도전형영역에전기적으로연결되며제1 방향으로연장되는복수의제1 및제2 전극을포함하는태양전지; 상기복수의제1 전극에전기적으로연결되며상기제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되는복수의제1 배선및 상기복수의제2 전극에전기적으로연결되며상기제2 방향으로연장되는복수의제2 배선을포함하는배선부; 상기복수의제1 전극과상기복수의제2 배선의중첩부, 그리고상기복수의제2 전극과상기복수의제1 배선의중첩부에위치하는복수의절연부재; 상기태양전지, 상기복수의절연부재및 상기배선부를감싸는밀봉재; 상기밀봉재위에서상기태양전지의일면위에위치하는제1 커버부재; 및상기밀봉재위에서상기태양전지의타면위에위치하는제2 커버부재를포함한다. 상기제1 및제2 전극중 적어도하나가, 메인전극부와, 상기메인전극부위에위치하는연결전극부를포함한다. 상기연결전극부가, 제1 금속을포함하는복수의입자들이연결되어형성된입자연결층과, 상기제1 금속과다른제2 금속을포함하며적어도상기입자연결층의외측표면을덮는커버층을포함한다.

3. 发明授权

KR102126851B1 태양 전지 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102126851B1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：KR1020130139822
申请日：2013-11-18
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 안준용 , 장원재 , 박상욱 , 정주화
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/0224

4. 发明授权

KR101995834B1 태양 전지 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101995834B1
公开(公告)日：2019-07-03
申请号：KR1020170018673
申请日：2017-02-10
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 정주화 , 김재성 , 안준용 , 이만
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0392

5. 发明授权

KR101872786B1 태양 전지의 불순물층 형성 방법 및 태양 전지의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101872786B1
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：KR1020120067537
申请日：2012-06-22
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 정주화 , 진용덕 , 양영성
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본실시예에따른태양전지의불순물층의형성방법은, 반도체기판에불순물을이온주입하는단계; 및상기불순물의활성화를위한제1 온도로상기반도체기판을열처리하는활성화열처리하는단계를포함한다. 이때, 상기활성화열처리하는단계에서는, 제1 기체분위기하에서상기제1 온도보다낮은온도에서상기반도체기판에외부확산(out-diffusion) 방지막을형성한다음, 상기제1 온도에서상기반도체기판을열처리한다.

6. 发明授权

KR101757877B1 태양 전지 및 그의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101757877B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020110074849
申请日：2011-07-28
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 정주화 , 신명준 , 조해종 , 도영구 , 이성은
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0368 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본발명은태양전지및 그의제조방법에관한것이다. 본발명에따른태양전지의일례는제 1 도전성타입의불순물이도핑된다결정실리콘기판; 다결정실리콘기판의입사면인전면의상부에위치하며제 1 도전성타입과반대인제 2 도전성타입의불순물이도핑되어다결정실리콘기판과 p-n 접합을형성하는에미터부; 다결정실리콘기판의전면상부에위치하며제 2 도전성타입의불순물이에미터부보다고농도로도핑된제 1 고농도도핑부; 제 1 고농도도핑부의전면상부에배치되는전면전극부; 에미터부의전면상부에형성되는반사방지막; 및다결정실리콘기판의후면상부에배치되는후면전극부;를포함하며, 에미터부의전면은곡면을포함하는복수개의함몰부를포함하며, 복수개의함몰부에서서로인접한두 함몰부의중심부사이의거리들은오차범위내에서서로동일하다.

7. 发明授权

KR101740524B1 태양전지의 제조 방법과 이의 태양전지 有权
标题翻译：太阳能电池及其太阳能电池的制造方法
公开(公告)号：KR101740524B1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020150184590
申请日：2015-12-23
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 정주화 , 안준용 , 김재성
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18 , H01L31/0392
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 본발명의실시예에따른태양전지는반도체기판과상기반도체기판의후면양쪽끝에형성되어있는절연부와상기반도체기판의후면중 상기절연부를제외한나머지부분에형성되어있는터널링층과상기터널링층위에상기반도체기판과 pn접합을이루는제1 도전형영역과상기반도체기판의전면에형성되어있는제2 도전형영역과상기제2 도전형영역위에형성되는제1 절연막과상기제1 도전형영역과상기상기절연부위에형성되는제2 절연막과상기제1 도전형영역과컨택하는제1 전극과상기제2 도전형영역과컨택하는제2 전극을포함하고, 상기절연부는상기제1 도전형영역과상기터널링층이존재하지않으며, 상기반도체기판의전면과양쪽측면, 그리고상기절연부는요철을갖도록텍스쳐링되어있다.
摘要翻译：根据本发明实施例的太阳能电池包括半导体衬底，形成在半导体衬底的后表面的两侧上的绝缘部分，形成在半导体衬底的除绝缘部分之外的后表面上的隧穿层，第二导电型区域，形成在所述半导体基板的前表面上;第一绝缘膜，形成在所述第二导电型区域上;以及第二导电型区域，形成在所述第一导电型区域和所述第二导电型区域上，接触第一导电类型区域的第一电极以及接触第二导电类型区域的第二电极，绝缘部分包括形成在第一导电类型区域和隧穿区域上的第一绝缘层，没有层，半导体衬底的前表面和两侧以及绝缘部分被纹理化以具有不规则性。

8. 发明公开

KR1020170003511A 태양전지 제조방법 审中-实审
标题翻译：太阳能电池制造方法
公开(公告)号：KR1020170003511A
公开(公告)日：2017-01-09
申请号：KR1020160181365
申请日：2016-12-28
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 권태영 , 최민호 , 곽계영 , 도영구 , 김성진 , 정주화 , 양영성 , 조해종 , 이만 , 신명준
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본발명은태양전지제조방법에관한것이다. 본발명에따른태양전지제조방법은, 제1 도전형을가지는실리콘반도체기판상에에미터층을형성하는단계, 에미터층상에반사방지막을형성하는단계및 기판의전면및 후면상에전면전극과후면전극을형성하는단계를포함하고, 에미터층을형성하는단계는, 기판에제1 도전형과반대의제2 도전형을가지는제1 불순물을도핑하는제1 도핑단계, 기판의표면을식각하는단계및 기판에제2 도전형을가지는제2 불순물을도핑하는제2 도핑단계를포함할수 있다. 이에의해, 실리콘반도체기판및 에미터층에존재하는불순물을효과적으로제거하여, 실리콘반도체기판및 에미터층의품질이향상되고, 이에따라캐리어의 Life time이증가할수 있다.

9. 发明授权

KR101453086B1 태양전지의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101453086B1
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：KR1020070121566
申请日：2007-11-27
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 정주화 , 이성은 , 안준용
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 태양 전지의 제조방법에 관한 것으로서, 제1 도전형을 갖는 기판에 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 갖는 에미터층을 형성하는 단계, 상기 에미터층이 형성된 기판의 전면과 후면을 프라즈마 처리하는 단계, 상기 에미터층과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 전극과 분리되어 있고, 상기 기판과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이로 인해, 태양광의 반사도가 줄어들고, 단락 전류 및 개방 전압의 상승을 통해 고효율 태양 전지의 제조가 가능해진다.
태양전지, 플라즈마, 에미터층, BSF, 에지 아이솔레이션

10. 发明授权

KR101431266B1 태양전지의 제조방법 有权
标题翻译：制造太阳能电池的方法
公开(公告)号：KR101431266B1
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：KR1020070121567
申请日：2007-11-27
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 정주화 , 이성은
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 제1 도전형을 갖는 기판에 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 갖는 에미터층을 형성하는 단계, 상기 에미터층이 형성된 기판의 한 면을 플라즈마 처리하는 단계, 상기 에미터층과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 전극과 분리되어 있고, 상기 기판과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이로 인해, 에미터층의 최상부에 형성된 데드 레이어의 두께를 감소시키면서 태양광의 반사율을 저감시킨다. 그 결과 태양전지의 단락전류와 개방전압이 증가하여 태양전지의 효율이 향상된다.
태양전지, 플라즈마, 에미터층, BSF, 에지아이솔레이션

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