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1. 发明公开

KR1020150090607A 태양 전지 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150090607A
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：KR1020140011471
申请日：2014-01-29
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 이유진 , 이승직 , 안세원 , 지광선
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022458 , H01L31/0312 , H01L31/03685 , H01L31/03765 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/202 , H01L31/208 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 태양전지제조방법은제1 도전성타입의불순물을함유하는결정질반도체기판의후면에비정질실리콘층을형성하는단계; 비정질실리콘층중 일부분에제1 도전성타입의불순물과반대인제2 도전성타입의불순물을확산시켜에미터부를형성하는제1 확산단계; 비정질실리콘층중 일부분을제외한나머지부분에제1 도전성타입의불순물을확산시켜후면전계부를형성하는제2 확산단계;를포함하고, 제1 및제2 확산단계중 적어도하나의확산단계가수행될때 비정질실리콘층이결정화되는결정화단계를포함한다.
摘要翻译：太阳能电池的制造方法包括：在包含第一导电类型的异物的晶体半导体衬底的背面上形成非晶硅层的步骤; 第一分散步骤，将与第一导电类型的异物相反的第二导电类型的异物分散在非晶硅层的一部分中以形成发射体单元; 第二分散步骤，将第一导电类型的异物分散在除了非晶硅层的部分之外的剩余部分中以形成后电场单元; 以及当执行第一和第二分散步骤中的至少一个分散步骤时，使非晶硅层结晶化的结晶步骤。

2. 发明公开

KR1020140143277A 태양 전지 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140143277A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：KR1020130064787
申请日：2013-06-05
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 지광선 , 이승직 , 안세원
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L21/3003 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 반도체 기판의 일면 위에 터널링층을 형성하는 단계; 상기 터널링층 위에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층에 제1 도전형 불순물 및 제2 도전형 불순물을 도핑하여 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층을 형성하는 도핑 단계; 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 수소를 확산시키는 수소화 단계를 포함한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的太阳能电池的制造方法包括在半导体衬底的一个表面上形成隧穿层的步骤; 在隧道层上形成半导体层的步骤; 通过用第一导电型杂质和第二导电型杂质掺杂半导体层来形成第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的步骤; 以及将氢扩散到第一和第二导电类型半导体层中的氢化步骤。

3. 发明公开

KR1020140101907A 태양전지 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140101907A
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：KR1020130014965
申请日：2013-02-12
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 이승직 , 이병기 , 고화영
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/042
摘要： A solar cell according to an embodiment of the present invention comprises a first conductive type single crystal silicon substrate; a second conductive type selective emitter part located on a first surface of the substrate; and a first electrode part located on the selective emitter part and electrically connected to the selective emitter part, wherein the selective emitter part comprises a first emitter part having a first impurity concentration, and a second emitter part having a second impurity concentration lower than the first impurity concentration. At the same time, the first emitter part is formed of polycrystalline silicon, and the second emitter part is formed of single crystal silicon.
摘要翻译：根据本发明实施例的太阳能电池包括第一导电型单晶硅衬底; 位于所述基板的第一表面上的第二导电型选择性发射极部分; 以及位于所述选择性发射极部分并且电连接到所述选择性发射极部分的第一电极部分，其中所述选择性发射极部分包括具有第一杂质浓度的第一发射极部分和具有低于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度的第二发射极部分杂质浓度。同时，第一发射极部分由多晶硅形成，第二发射极部分由单晶硅形成。

4. 发明授权

KR102045001B1 태양 전지 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102045001B1
公开(公告)日：2019-12-02
申请号：KR1020130064787
申请日：2013-06-05
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 지광선 , 이승직 , 안세원
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/042 , H01L31/18

5. 发明授权

KR101828423B1 태양 전지 有权
标题翻译：太阳能电池
公开(公告)号：KR101828423B1
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：KR1020120086570
申请日：2012-08-08
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 김철 , 이승직 , 지광선
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0236
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 본발명은태양전지에관한것이다. 본발명에따른태양전지는제 1 도전성타입의불순물을함유하는반도체기판; 반도체기판의후면에배치되어, 반도체기판과 p-n 접합을형성하며, 제 1 도전성타입과반대인제 2 도전성타입을갖는에미터부; 반도체기판의후면에배치되며, 반도체기판보다제1 도전성타입의불순물을고농도로함유하는후면전계부; 에미터부위에형성되는제1 전극; 후면전계부위에형성되는제2 전극; 및기판의후면중 제1 전극과제2 전극사이에배치되는버퍼층;을포함하며, 버퍼층과중첩되는영역을제외한반도체기판의후면중에서에미터부또는후면전계부와접하는영역중 적어도하나의영역에서의반도체기판후면의단위면적당표면적은반도체기판의후면중에서버퍼층과중첩되는영역에서의반도체기판후면의단위면적당표면적은보다크게형성된다.
摘要翻译：太阳能电池本发明涉及一种太阳能电池。根据本发明的太阳能电池包括：含有第一导电类型的杂质的半导体衬底; 发射极部分，设置在半导体衬底的后表面上并与半导体衬底形成p-n结，发射极部分具有与第一导电类型相反的第二导电类型; 后电场元件，所述后电场元件设置在所述半导体衬底的后表面上并且包含浓度高于所述半导体衬底的所述第一导电类型的杂质; 形成在发射极部分上的第一电极; 形成在后电场部分上的第二电极; 以及缓冲层，设置在所述衬底的后表面中的所述第一电极和所述第二电极之间，其中，所述缓冲层形成在所述半导体衬底的所述后表面和所述半导体衬底的后表面中的至少一个上，基板的背面的每单位面积的表面积大于半导体基板的背面中与缓冲层重叠的区域中的半导体基板的背面的每单位面积的表面积。

6. 发明公开

KR1020140125471A 태양전지 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140125471A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：KR1020130042756
申请日：2013-04-18
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 이승직 , 안세원
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0682 , H01L31/035281 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본 발명에 따른 태양전지는, 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 반도체 기판; 반도체 기판의 후면(back surface)에 위치하며, 제1 도전성 타입의 불순물을 반도체 기판에 비해 고농도로 함유하는 후면 전계부(BSF); 후면 전계부와 인접한 위치에서 반도체 기판의 후면에 위치하며, 제1 도전성 타입의 반대 도전성을 갖는 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 에미터부(Emitter); 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하며 에미터부의 후면에 위치하는 금속층(metal layer); 후면 전계부 및 금속층의 후면에 위치하며 후면 전계부 및 금속층의 일부를 노출하는 후면 보호막(back passivation layer); 후면 보호막에 의해 노출된 후면 전계부에 전기적으로 연결되는 제1 전극(first electrode); 및 후면 보호막에 의해 노출된 금속층에 전기적으로 연결되는 제2 전극(second electrode)을 포함한다.
摘要翻译：根据本发明的太阳能电池包括：含有第一导电类型的杂质的半导体衬底; 位于所述半导体衬底的后表面上并且以比所述半导体衬底更高的浓度含有所述第一导电类型的杂质的背面场（BSF）单元; 位于所述半导体衬底的后表面上以与所述BSF单元相邻并且包含具有与所述第一导电类型相反的导电性的第二导电类型的杂质的发射器单元; 包含第二导电类型的杂质并位于发射器单元的背表面上的金属层; 位于所述BSF单元的后表面上的背面钝化层和所述金属层，并暴露所述BSF单元和所述金属层的一部分; 电连接到由所述背面钝化层暴露的所述BSF单元的第一电极; 以及电连接到由所述背面钝化层暴露的所述金属层的第二电极。

7. 发明授权

KR101997922B1 태양전지 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101997922B1
公开(公告)日：2019-07-08
申请号：KR1020130042756
申请日：2013-04-18
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 이승직 , 안세원
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18

8. 发明公开

KR1020160084261A 태양 전지 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160084261A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：KR1020150000916
申请日：2015-01-05
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 이승직 , 지광선 , 이유진 , 안세원
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/18
摘要： 본발명은태양전지에관한것이다. 본발명의일례에따른태양전지는제1 도전성타입의불순물을함유하는반도체기판; 반도체기판의후면에위치하며제1 도전성타입과반대인제 2 도전성타입을갖는제1 도핑부; 반도체기판의후면에제1 도핑부와이격되어위치하며반도체기판보다제1 도전성타입의불순물을고농도로함유하는제2 도핑부; 제1 도핑부에연결되는제1 전극; 및제2 도핑부에연결되는제2 전극;을포함하고, 제1 도핑부또는제2 도핑부는제1 불순물도핑농도로도핑되어있는제1 부분과, 제1 불순물도핑농도보다낮은제2 불순물도핑농도로도핑되어있는제2 부분을포함할수 있다
摘要翻译：本发明涉及一种太阳能电池。根据本发明的一个实施方案的太阳能电池包括：含有第一导电类型异物的半导体衬底; 第一掺杂单元，其位于半导体衬底的背面上并具有与第一导电类型相对的第二导电类型; 第二掺杂单元，位于半导体衬底的背表面上，距离第一掺杂单元预定距离，并且其中包含的第一导电类型杂质的浓度高于半导体衬底的浓度; 连接到所述第一掺杂单元的第一电极; 以及连接到第二掺杂单元的第二电极。第一掺杂单元或第二掺杂单元可以包括：以第一异物的掺杂浓度掺杂的第一部分; 以及第二部分，其以低于异物的第一掺杂浓度的异物的第二掺杂浓度掺杂。

9. 发明公开

KR1020140021125A 태양 전지 审中-实审
标题翻译：太阳能电池
公开(公告)号：KR1020140021125A
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：KR1020120086570
申请日：2012-08-08
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 김철 , 이승직 , 지광선
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0236
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/0236 , H01L31/042
摘要： The present invention relates to a solar cell. The solar cell according to the present invention comprises; a semiconductor substrate containing first conductive foreign substances; an emitter unit which is arranged on the back side of the semiconductor substrate and forms a p-n junction with the semiconductor substrate and has second conductive foreign substances which are opposite to the first conductive foreign substances; a back surface field unit which is arranged on the back side of the semiconductor substrate and contains first conductive foreign substances with high concentration compared with the semiconductor substrate; a first electrode formed on the emitter unit; a second electrode formed on the bask surface field unit; and a buffer layer arranged between the first and second electrodes. The surface area per unit area of the back side of the semiconductor layer in at least one area among areas which are in contact with the emitter and back surface field units among the back sides of the semiconductor substrate except for an area overlapped with the buffer layer is formed larger than the surface area per unit area of the back side of the semiconductor substrate in an area overlapped with the buffer layer among the back sides of the semiconductor substrate.
摘要翻译：本发明涉及一种太阳能电池。根据本发明的太阳能电池包括：含有第一导电异物的半导体衬底; 发射极单元，其布置在半导体衬底的背面并与半导体衬底形成p-n结，并具有与第一导电异物相反的第二导电异物; 背面场单元布置在半导体衬底的背面并且包含与半导体衬底相比具有高浓度的第一导电异物; 形成在发射极单元上的第一电极; 形成在所述bas表面场单元上的第二电极; 以及布置在第一和第二电极之间的缓冲层。除了与缓冲层重叠的区域之外，与半导体衬底的背面中的发射极和背面场单元接触的区域中的至少一个区域中的半导体层的背面的每单位面积的表面积形成为比半导体衬底的背面中与缓冲层重叠的区域中的半导体衬底的背面的每单位面积的表面积大。

10. 发明授权

KR102173644B1 태양 전지 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102173644B1
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：KR20140011471
申请日：2014-01-29
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 이유진 , 이승직 , 안세원 , 지광선
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
摘要： 태양전지제조방법은제1 도전성타입의불순물을함유하는결정질반도체기판의후면에비정질실리콘층을형성하는단계; 비정질실리콘층중 일부분에제1 도전성타입의불순물과반대인제2 도전성타입의불순물을확산시켜에미터부를형성하는제1 확산단계; 비정질실리콘층중 일부분을제외한나머지부분에제1 도전성타입의불순물을확산시켜후면전계부를형성하는제2 확산단계;를포함하고, 제1 및제2 확산단계중 적어도하나의확산단계가수행될때 비정질실리콘층이결정화되는결정화단계를포함한다.

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