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1. 发明授权

KR101860567B1 생체물질 고정 다층구조막 및 이것의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101860567B1
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：KR1020110002970
申请日：2011-01-12
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 한승목 , 김지수 , 임귀삼 , 강선길
IPC分类号： G01N33/543 , G01N33/544 , G01N33/551 , G01N33/68
摘要： 본발명은기판위에생체물질을고정하기위한다층구조막및 이것의제조방법에대한것으로, 특히기판위에, 스트렙타비딘으로이루어진적어도하나이상의스트렙타비딘층과생체물질-바이오틴중합체로이루어진적어도 2개이상의생체물질-바이오틴층이교대로적층된구조를가지는것을특징으로한다. 이러한본 발명에의하면, 제한된표면위에많은양의생체물질을간단하게고정화시킬수 있고, 사용자의의도에따라상기스트렙타비딘층과생체물질-바이오틴층의수를조절할수 있으며, 이에따라면역센서의증감도를현저히증감시킬수 있는효과가있다.

2. 发明公开

KR1020110108004A 분석스트립 및 스트립리더기 无效
标题翻译：测试条和条带读取器
公开(公告)号：KR1020110108004A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：KR1020100027250
申请日：2010-03-26
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 한정선 , 곽금철 , 김경수 , 이윤재 , 강선길 , 강연재 , 김지태 , 강다연 , 이태윤 , 김지수 , 임귀삼 , 현석정
IPC分类号： A61B5/145 , A61B5/157
摘要： 본 발명은 체액 내의 질병요인을 분석하여 환자를 진단하는 분석스트립에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 체액 내의 분석을 저해하는 물질을 분리하고 질병요인을 분석하여 환자를 보다 정확하게 진단하는 분석스트립에 관한 것이다. 본 발명은 분리패드를 이용해 체액을 분리하고 분석패드를 이용해 체액 내의 지표물질을 분석하며 분리패드와 분석패드가 서로 접촉하거나 떨어지도록 하여 체액의 양을 조절하고 분석패드로 간섭물질이 유입되는 것을 방지하여 보다 정확한 분석 및 측정을 하는 분석스트립을 제공한다.

3. 发明公开

KR1020080052107A 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터 无效
标题翻译：包含氧化半导体的薄膜效应薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020080052107A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020060124165
申请日：2006-12-07
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 경재우 , 김상균 , 성면창 , 강선길 , 이호년
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/42384 , H01L29/4908
摘要： A thin film transistor including an oxide semiconductor layer is provided to obtain a stable device characteristic in a visible ray region and guarantee transmissivity by forming a semiconductor layer made of an oxide semiconductor wherein the semiconductor layer has a broad bandgap as compared with a semiconductor layer made of silicon. An oxide semiconductor layer(130) is positioned on a substrate(100). A gate electrode(150) corresponds to a predetermined region of the oxide semiconductor layer. A gate insulation layer(140) is positioned between the oxide semiconductor layer and the gate electrode, composed of a plurality of layers including different materials. A source/drain electrode(120) is electrically connected to the oxide semiconductor layer. The substrate can include either one of plastic or metal, including a buffer layer(110) positioned on the substrate.
摘要翻译：提供包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，以在可见光区域中获得稳定的器件特性，并且通过形成由氧化物半导体制成的半导体层来保证透射率，其中半导体层与制成的半导体层相比具有宽带隙的硅。氧化物半导体层（130）位于基板（100）上。栅电极（150）对应于氧化物半导体层的预定区域。栅极绝缘层（140）位于氧化物半导体层和栅极之间，由包括不同材料的多个层组成。源极/漏极（120）电连接到氧化物半导体层。衬底可以包括塑料或金属中的一种，包括位于衬底上的缓冲层（110）。

4. 发明授权

KR100726638B1 전계발광소자 有权
公开(公告)号：KR100726638B1
公开(公告)日：2007-06-11
申请号：KR1020060017374
申请日：2006-02-22
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 강선길 , 김창남 , 김상균 , 이호년 , 김도열 , 신영훈 , 양원재 , 정진원 , 정명종 , 성면창
IPC分类号： H05B33/22
摘要： A light emitting diode is provided to enhance a deterioration characteristic by exposing a planarization film of a top emission light emitting diode. A light emitting diode includes a first substrate(210), a second substrate(220), a thin film transistor unit(230), a planarization film(250), a light emitting unit(240), a protection film(260), and a sealant(270). The first and second substrates(210,220) are opposite to each other symmetrically. The thin film transistor unit(230) is formed on the first substrate(210). The planarization film(250) is formed on the first substrate(210), covers an upper part of the thin film transistor unit(230), and is formed on an edge of the first substrate(210). The light emitting unit(240) is electrically connected to the thin film transistor unit(230) and is formed on the planarization film(250) to be driven by driving of the thin film transistor unit(230). The protection film(260) is formed on the light emitting unit(240) so that a part of the planarization film(250) is exposed. The sealant(270) is formed on the planarization film(240) and seals the first substrate(210) and the second substrate(220).
摘要翻译：提供发光二极管以通过暴露顶部发射发光二极管的平坦化膜来增强劣化特性。发光二极管包括第一基板（210），第二基板（220），薄膜晶体管单元（230），平坦化膜（250），发光单元（240），保护膜（260）和密封剂（270）。第一和第二基板（210,220）对称地彼此相对。薄膜晶体管单元（230）形成在第一基板（210）上。平坦化膜（250）形成在第一基板（210）上，覆盖薄膜晶体管单元（230）的上部，并形成在第一基板（210）的边缘上。发光单元（240）电连接到薄膜晶体管单元（230）并形成在平坦化膜（250）上以通过驱动薄膜晶体管单元（230）来驱动。保护膜（260）形成在发光单元（240）上，使得平坦化膜（250）的一部分暴露。密封剂（270）形成在平坦化膜（240）上并密封第一基板（210）和第二基板（220）。

5. 发明授权

KR100692088B1 전계발광소자 有权
公开(公告)号：KR100692088B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020060006006
申请日：2006-01-19
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 김창남 , 이호년 , 정명종 , 강선길
IPC分类号： H05B33/04
摘要： An electro-luminescence device is provided to absorb penetrated moisture and oxygen by disposing a getter inside a sealing unit, thereby improving a life span and reliability of the device. In an electro-luminescence device(300), a first substrate(310) has a plurality of light emitting units between two electrodes. A second substrate(320) faces the first substrate(310) with a gap. A sealing unit(370) seals the first and second substrates(310,320), and has a filling material(371). The second substrate(320) has a groove at an inner side than the sealing unit(370). A getter(350) is formed in the groove.
摘要翻译：提供电致发光装置以通过在密封单元内部设置吸气剂来吸收渗透的湿气和氧气，从而提高装置的寿命和可靠性。在电致发光器件（300）中，第一衬底（310）在两个电极之间具有多个发光单元。第二衬底（320）以间隙面向第一衬底（310）。密封单元（370）密封第一和第二基板（310,320），并具有填充材料（371）。第二基板（320）在密封单元（370）的内侧具有凹槽。吸气剂（350）形成在凹槽中。

6. 发明授权

KR100686120B1 유기 ＥＬ 소자의 제조방법 有权
标题翻译：制造有机电光装置的方法
公开(公告)号：KR100686120B1
公开(公告)日：2007-02-26
申请号：KR1020050041203
申请日：2005-05-17
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 김창남 , 김홍규 , 이호년 , 강선길 , 정진원 , 김도열
IPC分类号： H05B33/10
CPC分类号： H01L51/5228 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5218 , H01L51/5234 , H01L2251/5315 , H01L2251/558
摘要： 본 발명은 어노드 형성시 격벽위에 성막된 쓸모 없었던 어노드 메탈을 보조전극으로 이용함으로써, 소자의 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 유기 EL 소자를 제공하기 위한 것으로서, TFT가 형성된 기판 위에 제 1 절연막을 형성하는 단계, 상기 제 1 절연막을 관통하여 TFT의 소오스 전극 및 드레인 전극에 연결되는 콘택부를 형성하는 단계, 상기 제 1 절연막과 콘택부 상측에 제 2 절연막을 형성하는 단계, 상기 드레인 전극에 연결된 상기 콘택부 표면이 노출되도록 상기 제 2 절연막에 제 1 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 제 2 절연막 상측의 각 단위 화소 영역을 분리시킬 부분에 격벽을 형성하는 단계, 상기 제 2 절연막과 격벽 위에 제 1 전극 물질을 적층시키는 단계, 상기 격벽 측에 절연부를 형성하는 단계, 상기 격벽 위에 형성된 보조전극이 노출되도록 상기 절연부에 제 2 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 각 단위 화소 영역에 유기 발광층을 형성하는 단계, 상기 유기 발광층 및 상기 제 2 콘택홀을 포함한 전면에 제 2 전극을 적층시키는 단계를 포함하여 이루어진다.
유기 EL, 어노드 전극, 격벽, 캐소드 보조전극

7. 发明公开

KR1020060118825A 유기 ＥＬ 소자의 제조방법 有权
标题翻译：用于制造有机电致发光器件的方法
公开(公告)号：KR1020060118825A
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020050041203
申请日：2005-05-17
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 김창남 , 김홍규 , 이호년 , 강선길 , 정진원 , 김도열
IPC分类号： H05B33/10
CPC分类号： H01L51/5228 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5218 , H01L51/5234 , H01L2251/5315 , H01L2251/558
摘要： A method for fabricating an organic electroluminescent device is provided to improve efficiency and reliability of the device, by using an anode metal as a subsidiary electrode. In a method for fabricating an organic electroluminescent device, a first insulation film(33) is formed on a transparent substrate(31) where a TFT(32) is formed. A contact(34) connected to a source electrode and a drain electrode of the TFT is formed by penetrating through the first insulation film, and a second insulation film(35) is formed on the front. A first contact hole is formed on the second insulation film, in order to reveal the contact surface connected to the drain electrode. A barrier rib(38) is formed on a part for separating an anode electrode to be formed later. An anode electrode(39) separated through the barrier rib is formed by depositing a material for anode electrode in the front. A third insulation film is formed on the front except an emission part of a pixel. A second contact hole is formed on the insulation film in order to reveal the material for anode electrode formed on the barrier rib. An organic EL layer is formed by depositing a dielectric on a pixel emission part region using a shadow mask. Then, the material for anode electrode and a cathode electrode(44) are contacted by stacking the cathode electrode on the front including the organic EL layer and the second contact hole.
摘要翻译：提供一种制造有机电致发光器件的方法，通过使用阳极金属作为辅助电极来提高器件的效率和可靠性。在制造有机电致发光器件的方法中，在形成TFT（32）的透明衬底（31）上形成第一绝缘膜（33）。通过穿过第一绝缘膜形成连接到TFT的源电极和漏电极的触点（34），并且在前面形成第二绝缘膜（35）。为了露出与漏电极连接的接触面，在第二绝缘膜上形成第一接触孔。在用于分离稍后形成的阳极电极的部分上形成有隔壁（38）。通过阻挡肋分离的阳极电极（39）通过在前面沉积阳极电极材料而形成。除了像素的发射部分之外，在前面形成第三绝缘膜。在绝缘膜上形成第二接触孔，以露出形成在隔壁上的阳极电极材料。通过使用荫罩在像素发射部分区域上沉积电介质形成有机EL层。然后，通过在包括有机EL层和第二接触孔的正面上堆叠阴极电极，接触阳极电极和阴极电极（44）的材料。

8. 发明授权

KR101779611B1 표적 항원 검출용 카트리지 및 이를 이용한 표적 항원의 검출 방법 有权
公开(公告)号：KR101779611B1
公开(公告)日：2017-09-18
申请号：KR1020110005719
申请日：2011-01-20
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 강다연 , 강선길 , 김태영 , 한승목 , 송규호 , 임귀삼 , 김지수
IPC分类号： G01N33/53 , C12Q1/68 , G01N33/532
CPC分类号： G01N33/54366 , G01N21/6428 , G01N21/65 , G01N2458/10 , Y02A50/59
摘要： 본발명은표적항원검출용카트리지및 이를이용하여생물학적시료내에존재하는표적항원을검출하는방법에관한것이다. 일구체예에따른본 발명의표적항원검출용카트리지는여러가지항원의다중검출을신속하고간편하게수행할수 있으며, 하나의카트리지를사용하여복수개의표적항원을정량분석할수 있기때문에시간과비용이절감된다는장점이있다.

9. 发明公开

KR1020170098081A 센서 감지층 전사용 도너 기판 및 그를 이용하는 센서 감지층 형성 방법 审中-实审
标题翻译：使用供体基板和使用其的传感器基板形成感测层的方法
公开(公告)号：KR1020170098081A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：KR1020160019996
申请日：2016-02-19
申请人： 엘지전자 주식회사 , 광주과학기술원
发明人： 이성은 , 이병기 , 강선길 , 정건영
IPC分类号： G01N27/12 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/3213
摘要： 본발명은 ZnO 희생층을포함하는센서감지층전사용도너기판및 상기도너기판을이용하는억셉터기판상에센서감지층을형성하는방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种包括ZnO牺牲层的感测器 - 感测分层供体基底以及一种使用供体基底在受体基底上形成感测 - 感测层的方法。

10. 发明公开

KR1020170044529A 이산화탄소 감지용 그래핀 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：石墨烯器件和用于二氧化碳感测的制造方法
公开(公告)号：KR1020170044529A
公开(公告)日：2017-04-25
申请号：KR1020150144332
申请日：2015-10-15
申请人： 엘지전자 주식회사 , 광주과학기술원
发明人： 강선길 , 함문호 , 정건영 , 김기현 , 박유신
IPC分类号： G01N27/407 , G01N27/12 , C01B31/04 , G01N33/00 , C08L71/02 , C08L101/00 , H01L29/16
摘要： 본발명은 n-타입도핑고분자및 흡습성고분자를포함하는코팅층을포함하는이산화탄소감지용그래핀소자에관한것이다. 또한, 본발명은상기이산화탄소감지용그래핀소자의제조방법및 상기그래핀소자를포함하는이산화탄소감지센서에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于检测二氧化碳的，包括含n型掺杂的聚合物的涂层和吸湿聚合物石墨烯器件。本发明还涉及包含的制造方法和用于检测二氧化碳的石墨烯器件的石墨烯器件二氧化碳传感器。

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