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1. 发明公开

KR1020160088695A 전도성 구조체 및 이의 제조방법 审中-实审
标题翻译：导电结构，触控面板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160088695A
公开(公告)日：2016-07-26
申请号：KR1020150008098
申请日：2015-01-16
申请人： 엘에스엠트론 주식회사
发明人： 김태현 , 김경각 , 송병길 , 신충환 , 정광희
IPC分类号： H01B5/14 , G06F3/041 , G09F9/00
CPC分类号： H01B5/14 , G06F3/041 , G09F9/00
摘要： 본출원은전도성구조체및 이의제조방법에관한것으로서, 본발명의일 실시예에의한전도성구조체는, 기재; 전도층; 및모넬금속(monel metal)의산화물을포함하는흑화층을포함할수 있다. 본발명의일 실시예에의한전도성구조체및 이의제조방법에의하면, 종래의 ITO 전극을대체할수 있는전도층을포함하는전도성구조체를제조할수 있으므로, ITO 대비낮은저항과낮은비용으로전도성구조체를제조하는것이가능하며, 특히흑화층을포함하므로전도층의은폐성을향상시킬수 있다. 또한, 본발명의일 실시예에의한전도성구조체및 이의제조방법에의하면, 흑화층을모넬금속산화물로형성하므로, 내산성이우수한흑화층을포함하는전도성구조체를제조하는것이가능하다.
摘要翻译：本发明涉及一种导电结构及其制造方法。根据本发明实施例的导电结构包括基底，导电层和包括金属金属氧化物的变暗层。根据本发明的实施方式的导电结构及其制造方法，可以制造包括能够代替常规ITO电极的导电层的导电结构体。因此，与使用ITO相比，可以以较低的成本制造具有较低电阻的导电结构，并且特别地，导电层可以通过包括变暗层而具有更好的隐藏。此外，根据导电结构及其制造方法，由于变色层由金属金属的氧化物构成，所以可以制造具有优异的耐酸性的具有变色层的导电结构体。

2. 发明授权

KR101521273B1 화합물 박막 태양전지 有权
标题翻译：复合薄膜太阳能电池
公开(公告)号：KR101521273B1
公开(公告)日：2015-05-18
申请号：KR1020130059596
申请日：2013-05-27
申请人： 엘에스엠트론 주식회사
发明人： 김경각 , 조원제 , 김원식 , 신충환 , 김남균
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본발명은화합물박막태양전지용후면기판및 이를포함하는화합물박막태양전지를개시한다. 본발명에따른화합물박막태양전지용후면기판은, 화합물박막태양전지의후면기판에있어서, 상기후면기판은표면처리를통해상면에적층형성되는후면전극과의열처리후 박리강도가 100N/m ~ 250N/m의범위를가지는것을특징으로한다.

3. 发明公开

KR1020140139653A 화합물 박막 태양전지 有权
标题翻译：复合薄膜太阳能电池和复合薄膜太阳能电池的背衬基板
公开(公告)号：KR1020140139653A
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：KR1020130059603
申请日：2013-05-27
申请人： 엘에스엠트론 주식회사
发明人： 김경각 , 조원제 , 김원식 , 신충환 , 김남균
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/04
摘要： 본 발명은 화합물 박막 태양전지용 후면 기판 및 이를 포함하는 화합물 박막 태양전지를 개시한다. 본 발명에 따른 화합물 박막 태양전지용 후면 기판은, 화합물 박막 태양전지의 후면 기판에 있어서, 상기 후면 기판은, 상면에 표면 처리에 의한 표면 개질층이 형성되고, 상기 표면 개질층의 두께가 20Å ~ 100Å의 범위를 가지는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：公开了复合薄膜太阳能电池的背面基板和包括该背衬基板的复合薄膜太阳能电池。根据本发明的复合薄膜太阳能电池的背基板在复合薄膜太阳能电池的背面基板中包括通过在上表面上进行表面处理而形成的表面改性层。表面改性层的厚度在20〜100的范围内。

4. 发明公开

KR1020140135296A 화합물 박막 태양전지용 후면 전극 및 이를 포함하는 화합물 박막 태양전지 无效
标题翻译：复合薄膜太阳能电池和复合薄膜太阳能电池的背面接触
公开(公告)号：KR1020140135296A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：KR1020130054858
申请日：2013-05-15
申请人： 엘에스엠트론 주식회사
发明人： 김남균 , 김경각 , 조원제 , 김원식 , 신충환
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/0224 , H01L31/04
摘要： 본 발명은 화합물 박막 태양전지용 후면 전극 및 이를 포함하는 화합물 박막 태양전지를 개시한다. 본 발명에 따른 화합물 박막 태양전지용 후면 전극은, 화합물 박막 태양전지의 후면 전극에 있어서, 상기 후면 전극은, 기판상에 적층 형성되며, 결정 입자(grain)의 직경이 10㎚ ~ 50㎚의 범위를 가진 금속 화합물로 이루어진 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：公开了复合薄膜太阳能电池的背面电极和包含该电池的复合薄膜太阳能电池。根据本发明的复合薄膜太阳能电池的背面电极在复合薄膜太阳能电池的背面，包括一层金属化合物，该金属化合物层叠在基片上，其晶粒直径在 10nm〜50nm。

5. 发明公开

KR1020140135295A 화합물 박막 태양전지용 후면 전극 및 이를 포함하는 화합물 박막 태양전지 无效
标题翻译：复合薄膜太阳能电池和复合薄膜太阳能电池的背面接触
公开(公告)号：KR1020140135295A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：KR1020130054851
申请日：2013-05-15
申请人： 엘에스엠트론 주식회사
发明人： 김남균 , 김경각 , 조원제 , 김원식 , 신충환
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/0224 , H01L31/04
摘要： 본 발명은 화합물 박막 태양전지용 후면 전극 및 이를 포함하는 화합물 박막 태양전지를 개시한다. 본 발명에 따른 화합물 박막 태양전지용 후면 전극은, 화합물 박막 태양전지의 후면 전극에 있어서, 상기 후면 전극은, 기판상에 적층 형성되며, 반사율이 200㎚ ~ 3000㎚ 범위의 파장에서 90% 이상인 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：在本发明中公开了一种复合薄膜太阳能电池的背接触电极和包括该背接触电极的化合物薄膜太阳能电池。根据本发明的复合薄膜太阳能电池的背接触电极层叠在基板上，其特征在于在200-3000nm的波长下具有90％以上的反射率。

6. 发明公开

KR1020140110154A 박막형 태양전지 및 그 제조방법 有权
标题翻译：薄膜太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140110154A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020130022936
申请日：2013-03-04
申请人： 엘에스엠트론 주식회사
发明人： 신충환 , 우경녕 , 김경각 , 조원제 , 김원식 , 김남균
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
摘要： Disclosed in the present invention are thin film solar cell and a method for manufacturing the same. The thin film solar cell according to the present invention is characterized by comprising a substrate; a rear electrode layer formed on the substrate and including a convex layer formed by surface treatment; and a light absorption layer formed on the rear electrode layer, wherein the convex layer of the rear electrode layer has a centerline average roughness (Ra) of 5-15 nm.
摘要翻译：在本发明中公开了薄膜太阳能电池及其制造方法。根据本发明的薄膜太阳能电池的特征在于包括：基板; 形成在所述基板上并具有通过表面处理形成的凸起层的背面电极层; 以及形成在后电极层上的光吸收层，其中后电极层的凸层的中心线平均粗糙度（Ra）为5-15nm。

7. 发明公开

KR1020140110153A 박막형 태양전지 有权
标题翻译：薄膜太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140110153A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020130022934
申请日：2013-03-04
申请人： 엘에스엠트론 주식회사
发明人： 신충환 , 우경녕 , 김경각 , 조원제 , 김원식 , 김남균
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/0749 , H01L31/18
摘要： Disclosed in the present invention are a thin film solar cell and a method for manufacturing the same. The thin film solar cell according to the present invention is characterized by comprising a substrate; a rear electrode layer formed on the upper side of the substrate; a light absorption layer formed on the rear electrode layer; and a bending control layer formed on the lower side of the substrate, wherein the bending control layer bends the substrate in the opposite direction to the curl of the substrate bent by the rear electrode layer to control the curling level of the substrate.
摘要翻译：本发明公开了一种薄膜太阳能电池及其制造方法。根据本发明的薄膜太阳能电池的特征在于包括：基板; 形成在所述基板的上侧的后电极层; 形成在后电极层上的光吸收层; 以及形成在所述基板的下侧的弯曲控制层，其中所述弯曲控制层沿与所述背面电极层弯曲的所述基板的卷曲相反的方向弯曲所述基板，以控制所述基板的卷曲水平。

8. 发明公开

KR1020140110149A 박막형 태양전지 및 그 제조방법 有权
标题翻译：薄膜太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140110149A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020130022916
申请日：2013-03-04
申请人： 엘에스엠트론 주식회사
发明人： 조원제 , 우경녕 , 김경각 , 김원식 , 신충환 , 김남균
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
摘要： Disclosed in the present invention are a thin film solar cell and a method for manufacturing the same. The thin film solar cell according to the present invention is characterized by comprising a substrate; a rear electrode formed on the substrate; a light absorption layer formed on the rear electrode layer; and an adhesive layer formed between the substrate and the rear electrode layer, wherein the ratio (ρp/ρt) of practical density (ρp) and theoretical density (ρt) of the adhesive layer is 0.5 or more.
摘要翻译：本发明公开了一种薄膜太阳能电池及其制造方法。根据本发明的薄膜太阳能电池的特征在于包括：基板; 形成在所述基板上的后电极; 形成在后电极层上的光吸收层; 以及形成在基板和后电极层之间的粘合层，其中粘合剂层的实用密度（ρp）和理论密度（ρt）的比（ρp/ρt）为0.5以上。

9. 发明授权

KR101421701B1 연성회로 동장 적층판과 이를 이용한 인쇄회로 기판 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101421701B1
公开(公告)日：2014-07-22
申请号：KR1020120108016
申请日：2012-09-27
申请人： 엘에스엠트론 주식회사
发明人： 방성환 , 김경각 , 최성훈 , 정호영 , 김태현 , 오원근
IPC分类号： B32B15/08 , H05K1/03 , H05K3/38
摘要： 본 발명은 에칭성, 박리강도, 컬 특성 등의 물성이 우수한 연성회로 동박 적층판을 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 연성회로 동박 적층판은, 폴리머 필름, 상기 폴리머 필름의 적어도 일 면에 형성되는 타이코트(tiecoat) 층 및 상기 타이코트 층에 형성되는 구리(Cu) 층을 포함하는 연성회로 동장 적층판으로서, 상기 타이코트 층은 10.0wt% 내지 70.0wt% 의 몰리브덴(Mo), 0.5wt% 내지 20.0wt% 의 철(Fe) 및 잔부의 니켈(Ni)을 함유하는 합금으로 이루어진다.

10. 发明授权

KR101012919B1 접착제가 없는 연성금속 적층판 및 그 제조방법 有权
标题翻译：柔性金属包覆层压板无粘附，制造柔性金属包覆层压板而无粘附的方法
公开(公告)号：KR101012919B1
公开(公告)日：2011-02-08
申请号：KR1020050045180
申请日：2005-05-27
申请人： 엘에스엠트론 주식회사
发明人： 김경각 , 안중규 , 송병길 , 문홍기
IPC分类号： B32B15/08
摘要： 고분자 필름 상부에 증착되는 두 개의 금속층간의 결정립 크기의 비율을 일정하게 유지함으로써, 금속층간의 수축율 차이로 인한 휨을 방지하는 연성회로 기판용 연성금속 적층판이 제공된다.
본 발명의 연성금속 적층판은, 연성회로 기판에 사용되는 원자재로서, 고분자 필름과, 고분자 필름 상부에 진공성막 방식에 의해 형성되고 결정립의 평균 크기가 0.01 내지 0.05㎛인 금속 시드층 및 금속 시드층 상부에 전해도금에 의해 형성되고 결정립의 평균 크기가 0.1 내지 3.0㎛인 금속 전도층을 포함하고, 상기 금속 시드층의 결정립 크기와 금속 전도층의 결정립 크기의 비가 0.015 이상 0.5이하인 것을 특징으로 한다.
연성금속 적층판, 연성동박 적층판, 접착제, 결정립 크기

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