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4. 发明公开

KR1020170117593A 계측 방법, 계측 장치 및 디바이스 제조 방법 审中-实审
标题翻译：测量方法，测量装置和装置制造方法
公开(公告)号：KR1020170117593A
公开(公告)日：2017-10-23
申请号：KR1020177026545
申请日：2016-03-22
申请人： 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
发明人： 퀸타닐라리챠드 , 대닐류크세르히
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/88 , G01N21/956 , G06K9/00
CPC分类号： G01N21/956 , G01N21/8806 , G01N2021/95676 , G03F7/2004 , G03F7/70625 , G06K9/00
摘要： 리소그래피제조시스템은 10 nm 미만의피쳐크기와주기방향(D)을가지는주기적구조체를생산한다. EUV 스펙트럼에있는파장범위(1-100 nm 또는 1-150 nm)를가지는방사선의빔(1904)이약 5 μm 직경의스폿(S) 내로포커싱된다. 반사된방사선(1908)은스펙트럼내로분할되고(1910), 이것은캡쳐되어(1913) 타겟스펙트럼신호(ST)를얻는다. 레퍼런스스펙트럼이검출되어(1914) 획득레퍼런스스펙트럼신호(SR)를얻는다. 선택적으로, 타겟의격자구조체에의해 1차에서회절된방사선을사용하여추가스펙트럼신호(SF)를얻도록검출기(1950)가제공된다. 입사각(α) 및방위각(φ)은조절가능하다. 하나이상의각도에서얻어진신호(ST, SR, SF)가타겟의측정된특성, 예를들어 CD 및오버레이를계산하기위하여사용된다.
摘要翻译：光刻制造系统产生特征尺寸小于10nm和周期性方向（D）的周期性结构。在EUV光谱中具有波长范围（1-100nm或1-150nm）的辐射束1904被聚焦成直径5（5mm）的斑点5。反射的辐射1908被分离为光谱1910，该光谱被捕获1913以获得目标光谱信号ST。 1914检测参考频谱以获得获取的参考频谱信号SR。可选地，提供检测器1950以使用首先由目标的光栅结构衍射的辐射来拾取附加光谱信号（SF）。入射角α和方位角φ是可调的。使用在一个或多个角度获得的信号（ST，SR，SF）来计算目标的测量特征，例如CD和覆盖图。

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