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1. 发明授权

KR100399796B1 집적회로 제조시 고순도 구리의 도체 구조를 전해적으로형성시키는 방법 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：KR100399796B1
公开(公告)日：2003-09-29
申请号：KR1020017009124
申请日：2000-01-11
申请人： 아토테크 도이칠란드 게엠베하
发明人： 마이어하인리히 , 티스안드레아스
IPC分类号： H01L21/288
CPC分类号： H01L21/76877 , C25D3/38 , C25D5/18 , C25D5/48 , C25D7/123 , H01L21/2885
摘要： 본 발명은 집적회로 제조시, 홈 (2)이 있는 반도체 기판(웨이퍼)(1)의 표면 상에 고순도 구리의 도체 구조를 전해적으로 형성시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 하기의 단계들을 포함한다: a) 홈 (2)이 있는 반도체 기판 (1)의 전체 표면을 기본 금속 층으로 코팅하여, 전해 증착을 위한 충분한 전도도를 수득하고; b) 반도체 기판을 구리 증착조와 접촉하게 하여 전해 금속 증착법에 의해 기본 금속층의 전체 표면에 균일한 층 두께로 구리층을 전면 증착한다. 상기 구리 증착조는 하나 이상의 구리 이온 공급원, 구리층의 물리-기계적 특성을 조절하기 위한 하나 이상의 첨가 화합물 및 Fe(Ⅱ) 및/또는 Fe(Ⅲ) 화합물을 함유한다. 반도체 기판과, 전해조에서 불용성이고 함께 접촉되어 있는 치수적으로 안정한 상대전극 사이에 전압을 인가시켜, 반도체 기판 (1)과 상대전극 사이에 전류가 흐르게 한다. 본 발명의 마지막 단계는 c) 구리층 (3)을 구조화하는 것이다.
摘要翻译：通过提供金属底涂层，电镀和结构化，使用不溶于水的尺寸稳定的对电极，在集成电路生产中，在具有沟槽的沟槽，特别是具有高纵横比的半导体晶片上制造高纯度铜（Cu）在含有Cu离子源的浴中的电镀浴，用于调节物理机械性能的添加剂和铁（II）和/或铁（III）化合物。在集成电路生产中，在具有沟槽，特别是高纵横比的半导体晶片衬底上生产高纯度铜（Cu）布线迹线包括（a）用金属基层涂覆整个表面以产生足够高的电镀电导率; （b）在含有铜离子源，添加剂的电镀液中使用不溶于浴的尺寸稳定的对电极，以使整个表面与均匀厚度的Cu电镀，以调节物理机械性能的Cu层和铁（II）和/或铁（III）化合物; 和

2. 发明公开

KR1019980700152A 납땜시킬 수 있는 산화 민감성 금속 기판에 와이어를 결합시키는 방법 无效
标题翻译：用于将导线接合到可焊接的氧化物敏感金属基板的方法
公开(公告)号：KR1019980700152A
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR1019970703554
申请日：1995-11-28
申请人： 아토테크 도이칠란드 게엠베하
发明人： 마이어하인리히 , 루돌프프랑크
IPC分类号： B23K35/363

3. 发明授权

KR100635847B1 구리 표면 예비처리 방법 有权
标题翻译：预处理铜表面的过程
公开(公告)号：KR100635847B1
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：KR1019990024307
申请日：1999-06-25
申请人： 아토테크 도이칠란드 게엠베하
发明人： 그리저우도 , 마이어하인리히 , 하우프우베
IPC分类号： H05K3/00
摘要： 본 발명은 구리 표면을 예비처리하여 유기성 기체와 단단한 결합이 후속적으로 형성되도록 하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 특히 다층 인쇄회로기판을 단단히 적층시키고 레지스트를 인쇄회로기판의 구리 표면에 단단히 부착시키는 데 이용된다.
구리 표면은 처음에 과산화수소, 1종 이상의 산 및 이종원자 고리에 황, 셀레늄 또는 텔루륨 원자를 갖지 않는 질소함유 5원 이종원자 고리 화합물 1종 이상을 함유하는 제1 용액과 접촉시킨다. 이어서 구리 표면을 술핀산, 셀렌산, 텔루르산, 이종원자 고리에 1종 이상의 황, 셀레늄 및/또는 텔루륨원자를 함유하는 이종원자 고리 화합물, 및 하기 화학식 1 의 술포늄, 셀레노늄 및 텔루로늄염으로 구성된 군에서 선택한 1종 이상의 접착 촉진성 화합물을 함유하는 제2 용액과 접촉시킨다:

[식 중, A 는 S, Se 또는 Te 이고,
R
1 , R
2 및 R
3 는 알킬, 치환된 알킬, 알케닐, 페닐, 치환된 페닐, 벤질, 시클로알킬, 치환된 시클로알킬이며, R
1 , R
2 및 R
3 는 동일하거나 상이하고,
X
- 는 무기 또는 유기산 또는 수산화물의 음이온임].
구리 표면 예비처리

4. 发明授权

KR100575424B1 금속화된 기판 물질의 제조 방법 失效
标题翻译：用于生产金属化基材的方法
公开(公告)号：KR100575424B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020007011488
申请日：1999-04-15
申请人： 아토테크 도이칠란드 게엠베하
发明人： 마이어하인리히 , 슐츠랄프 , 하인츠롤란트 , 클루스만에카르트
IPC分类号： C23C28/02
摘要： 글로우 방전 방법을 사용하여 유전성 기판에 금속 코팅물을 적용하고, 전기도금법을 사용하여 다른 금속 코팅물을 적용하는, 필요한 전기 회로 캐리어용의 기판 물질의 공지된 제조 방법이 존재한다. 그러나 이러한 방법은 기가 헤르쯔 범위에서 고주파 적용에 사용할 수 있는 기판 물질의 제조에는 적합하지 않다. 본 발명은 이미 전술한 방법을 근거로 하고, 플루오로중합체를 사용하고 이러한 물질을 글로우 방전 방법에서 니켈로 코팅하여, 매우 편평한 기판 표면에 접착성 코팅물이 부여되게 함으로써 여기에 관련된 문제를 해결한다. 금속화된 물질은 무전해 또는 전해 분리 배쓰로부터 다른 금속 코팅물로 피복할 수 있다.

5. 发明公开

KR1020040030234A 미세구조 냉각기 및 그것을 이용하는 방법 有权
标题翻译：具有使用导热接触件冷却目标的微结构的冷却装置及其利用方法
公开(公告)号：KR1020040030234A
公开(公告)日：2004-04-09
申请号：KR1020030049235
申请日：2003-07-18
申请人： 아토테크 도이칠란드 게엠베하
发明人： 마이어하인리히 , 크래머콘라트 , 쿠르쯔올라프 , 프레히틀페터 , 타이젠스벤 , 횐마르쿠스 , 헤르버랄프
IPC分类号： H05K7/20
CPC分类号： F28F3/12 , F28F9/0253 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A cooling device having a micro structure and a utilizing method thereof are provided to enhance the productivity by optimizing the micro structure of the cooling structure. CONSTITUTION: A cooling device(3) for cooling a cooling target(4) includes a base plate(5) which is thermally connected to the cooling target through two or more metal layers(1) and a heat contact side(6). The metal layers include a cooling medium channel(2). The cooling medium channel has a width of 100 to 2000 micrometers, a depth of 25 to 1000 micrometers, and an average gap of 50 to 1000 micrometers. A thickness of the remaining layer due to the cooling medium channel within the metal layers belongs to a range of 50 to 300 micrometers. The base plate has a thickness corresponding to a range of 200 to 2000 micrometers.
摘要翻译：目的：提供具有微结构的冷却装置及其利用方法，以通过优化冷却结构的微结构来提高生产率。构成：用于冷却冷却目标物（4）的冷却装置（3）包括通过两个以上的金属层（1）和热接触侧（6）与冷却对象物热连接的基板（5）。金属层包括冷却介质通道（2）。冷却介质通道的宽度为100至2000微米，深度为25至1000微米，平均间隙为50至1000微米。由金属层内的冷却介质流路导致的剩余层的厚度属于50〜300微米的范围。基板的厚度对应于200〜2000微米的范围。

6. 发明授权

KR100587241B1 구리 표면 예비처리 용액 및 방법 有权
标题翻译：预处理铜表面的方法和工艺
公开(公告)号：KR100587241B1
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：KR1019990024308
申请日：1999-06-25
申请人： 아토테크 도이칠란드 게엠베하
发明人： 그리저우도 , 마이어하인리히
IPC分类号： C09J201/00 , C09J5/00
摘要： 본 발명은 구리 표면을 예비처리하여 유기 기판과 단단한 결합이 후속적으로 형성되도록 하는 용액 및 방법에 관한 것이다. 이 용액은 특히 다층 인쇄회로기판을 단단히 적층시키고 레지스트를 인쇄회로기판의 구리 표면에 단단히 부착시키는 데 이용한다.
상기 용액은
a. 과산화수소,
b. 1 종 이상의 산, 및
c. 헤테로사이클에 황, 셀레니윰 또는 텔루리윰 원자를 갖지 않는 1 종이상의 질소 함유, 5-원 헤테로시클릭 화합물, 및
d. 술핀산, 셀렌산, 텔루르산, 헤테로사이클에 1 종이상의 황, 셀레니윰 및/또는 텔루리윰 원자를 함유하는 헤테로시클릭 화합물, 및 하기 화학식 1의 술포니윰, 셀레노니윰 및 텔루로니윰 염으로 구성된 군에서 선택한 1 종 이상의 접착 촉진성 화합물을 포함한다 :
(화학식 1)

식중, A 는 S, Se 또는 Te 이고,
R
1 , R
2 및 R
3 는 알킬, 치환된 알킬, 알케닐, 페닐, 치환된 페닐, 벤질, 시클로알킬, 치환된 시클로알킬이고, R
1 , R
2 및 R
3 는 동일하거나 상이하며,
X
- 는 무기 또는 유기산 또는 수산화물의 음이온이되, 단, 성분 b를 위해 사용된 산은 성분 d를 위해 사용된 술핀산, 셀렌산 또는 텔루르산과 동일하지 않는 것을 조건으로 한다.

7. 发明授权

KR100563422B1 미세구조 냉각기 및 그것을 이용하는 방법 有权
标题翻译：微结构冷却器及其使用方法
公开(公告)号：KR100563422B1
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：KR1020030049235
申请日：2003-07-18
申请人： 아토테크 도이칠란드 게엠베하
发明人： 마이어하인리히 , 크래머콘라트 , 쿠르쯔올라프 , 프레히틀페터 , 타이젠스벤 , 횐마르쿠스 , 헤르버랄프
IPC分类号： H05K7/20
CPC分类号： F28F3/12 , F28F9/0253 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은, 냉각될 물체 (4) 용 미세구조 냉각기 (3) 로서, 상기 냉각기 (3) 가, 두개 이상의 금속막 (1) 의 적층, 및 열 접촉면 (6) 을 통해 상기 물제 (4) 와 열접촉될 수 있는 하나의 베이스 플레이트 (5) 를 포함하며, 상기 금속막 (1) 과 상기 베이스 플레이트 (5) 가 재료 끼워맞춤으로 서로 결합되고, 상기 금속막 (1) 내에는 냉각 매체용 채널 (2) 이 있으며, 상기 채널 (2) 은 100 내지 2000 ㎛ 범위의 너비 b, 25 내지 1000 ㎛ 범위의 깊이 t, 및 50 내지 1000 ㎛ 의 평균 간격 s, 상기 채널 (2) 로 인한 상기 금속막 (1) 내의 잔여 막두께 r 가 50 내지 300 ㎛ 범위에 있으며, 상기 베이스 플레이트가 200 내지 2000 ㎛ 범위의 두께 g 를 갖는 미세구조 냉각기에 관한 것이다.

8. 发明公开

KR1020040030528A 금속 패턴 형성 无效
标题翻译：金属图案的形成
公开(公告)号：KR1020040030528A
公开(公告)日：2004-04-09
申请号：KR1020037011688
申请日：2002-02-12
申请人： 아토테크 도이칠란드 게엠베하
发明人： 마이어하인리히 , 그리저우도
IPC分类号： G03F1/68 , G03F1/00
CPC分类号： H01L21/31 , G03F7/202 , H05K3/0032 , H05K3/0076 , H05K3/061 , H05K3/4644 , H05K2203/135
摘要： 모재 금속 표면을 포함하는 유전체 기판을 설치하고, 전기 영동성 니스를 전기침적시켜, 상기 기판 표면에 니스 층을 적용한 후, 형성될 금속 패턴에 해당하지 않는 영역의 부분 이상에서 니스 층을 자외 방사선을 사용하여 어블레이션하여, 모재 금속 표면이 드러나도록 하고, 마지막으로 드러난 모재 금속 표면을 에칭하는, 매우 미세한 회로 구조를 갖는 회로 캐리어를 재현성있게 제조하는 방법, 및 상기 방법에서 적용되는 전기 영동성 니스가 기재되어 있다.

9. 发明公开

KR1020000006484A 구리 표면 예비처리 방법 有权
标题翻译：铜表面初步处理方法
公开(公告)号：KR1020000006484A
公开(公告)日：2000-01-25
申请号：KR1019990024307
申请日：1999-06-25
申请人： 아토테크 도이칠란드 게엠베하
发明人： 그리저우도 , 마이어하인리히 , 하우프우베
IPC分类号： H05K3/00
摘要： PURPOSE: A preliminary processing method of a copper surface preliminary processes, successively forms an organic gas and a tight connection, tightly deposits a multilayer PCB, and attaches a resist on a copper surface of PCB. CONSTITUTION: A copper surface is contacted with a first solution. The first solution includes a nitrogen heterocyclic compound 1 which does not have a hydrogen peroxide, a paper acid. heterocycle, orpiment, selenium, tellurium atom. Then, the copper surface is contacted with the second solution, and a heterocyclic compound which has sulfin-acid, selenic-acid, telluric acid, a selenium atom and a tellurium atom, and adhesion acceleration compound. Thereby, the preliminary processing method of a copper surface preliminary processes, successively forms an organic gas and a tight connection, tightly deposits a multilayer PCB, and attaches a resist on a copper surface of PCB.
摘要翻译：目的：铜表面预处理的预处理方法，连续形成有机气体和紧密连接，紧密沉积多层PCB，并将抗蚀剂附着在PCB的铜表面上。构成：铜表面与第一种溶液接触。第一溶液包括不含过氧化氢的氮杂环化合物1，纸酸。杂环，硒，硒，碲原子。然后，将铜表面与第二溶液接触，并且含有亚磺酸，硒酸，碲酸，硒原子和碲原子的杂环化合物和粘合加速化合物。因此，铜表面预处理的预处理方法，依次形成有机气体和紧密连接，紧密地沉积多层PCB，并将抗蚀剂附着在PCB的铜表面上。

10. 发明公开

KR1019970702390A 비전도성기판표면의금속층도포에사용되는팔라듐콜로이드용액및이의제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019970702390A
公开(公告)日：1997-05-13
申请号：KR1019960705625
申请日：1995-04-07
申请人： 아토테크 도이칠란드 게엠베하
发明人： 마이어하인리히 , 슈탐프루츠
IPC分类号： C25D5/54

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