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1. 发明授权

KR101594192B1 멀티 밴드 전력 증폭기를 위하여 효율적으로 경로를 아이솔레이팅 시킬 수 있는 임피던스 정합 회로 有权
标题翻译：具有多功能放大器高效隔离功能的阻抗匹配电路
公开(公告)号：KR101594192B1
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020100054693
申请日：2010-06-10
申请人： 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 김정현 , 김운하 , 정상화 , 권영
IPC分类号： H03F1/56 , H03H7/38
CPC分类号： H03F1/56
摘要： 본발명의대표실시예에따른전력증폭기의출력부에사용되는임피던스정합회로가개시된다. 임피던스정합회로는주파수밴드신호를수신하는하나의입력단자와, 복수의경로를포함하되, 각경로는전송될주요밴드신호를할당받으며, 경로온-오프네트워크와고정된값의임피던스정합네트워크를포함한다. 수신된주파수밴드신호의종류에기초해, 경로온-오프네트워크는복수의경로중 선택된하나의경로의입력임피던스가낮은절대값이되도록함으로써선택된경로를활성화시켜서신호가선택된경로를통해전송되도록하고, 복수의경로중 선택되지않은나머지경로의입력임피던스는매우큰 절대값이되도록함으로써나머지경로를비활성화시켜서신호가나머지경로를통해전송되지않도록한다. 고정된값의임피던스정합네트워크는, 각경로의로드임피던스를각 경로의입력임피던스에정합시켜서, 각경로가경로온-오프네트워크에의해활성화되었을때, 각경로의입력임피던스가상기주요밴드신호에대하여규정된기준값이되도록한다.

2. 发明公开

KR1020130111368A 가변적인 커패시터 회로를 포함하는 전력 증폭기 无效
标题翻译：功率放大器，包括可变电容器电路
公开(公告)号：KR1020130111368A
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020130032464
申请日：2013-03-27
申请人： 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 전문석 , 우중린 , 정상화
IPC分类号： H03F1/32 , H03F3/20
CPC分类号： H03F1/223 , H03F1/3205 , H03F3/193 , H03F2200/61 , H03F1/32 , H03F3/20
摘要： PURPOSE: A power amplifier including a variable capacitor circuit is provided to effectively solve amplitude modulation (AM)-power modulation (PM) distortion and AM-AM distortion. CONSTITUTION: A power amplifier (10) comprises a first amplification stage (100) and a second amplification stage (400) connected to a cascode. The first amplification stage amplifies a radio frequency (RF) input signal. A transistor amplifies the output of the first amplification stage. The second amplification stage includes capacitance which is automatically changed based on the size of the first amplification stage output between the gate of one or more transistors and first power voltage. The second amplification stage includes one or more variable capacitor circuits between the first power voltage and the gate of the transistors. One or more variable capacitor circuits includes the capacitance which is changed based on the voltage swing of the gate corresponding to the one or more transistors. [Reference numerals] (200) Variable capacitor circuit (VCC)
摘要翻译：目的：提供一个包括可变电容电路的功率放大器，以有效解决幅度调制（AM）功率调制（PM）失真和AM-AM失真。构成：功率放大器（10）包括连接到共源共栅的第一放大级（100）和第二放大级（400）。第一放大级放大射频（RF）输入信号。晶体管放大第一放大级的输出。第二放大级包括基于一个或多个晶体管的栅极和第一电源电压之间的第一放大级输出的大小而自动改变的电容。第二放大级包括在第一电源电压和晶体管的栅极之间的一个或多个可变电容器电路。一个或多个可变电容器电路包括基于对应于一个或多个晶体管的栅极的电压摆动而改变的电容。（附图标记）（200）可变电容器电路（VCC）

3. 发明公开

KR1020110090732A 고주파 신호 송신기의 임피던스 정합 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于提供高频信号发射机的阻抗匹配的方法和装置
公开(公告)号：KR1020110090732A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：KR1020100060654
申请日：2010-06-25
申请人： 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 전주영 , 정상화 , 김정현 , 권영
IPC分类号： H04B1/04
CPC分类号： H04B1/04
摘要： PURPOSE: An impedance matching method of high frequency signal transmission apparatus and apparatus thereof are provided to solve linearity and efficiency of a signal transmission apparatus by reducing impedance changing of an antenna. CONSTITUTION: A signal supply circuit(200) supplies a signal to a load(300). A signal transmission apparatus(100) is designed in order to perform an impedance matching between the signal supply circuit and the load. An ACPR(Adjacent Channel Power Ratio) of the same output circuit is able to change according to load impedance connected to an output circuit. A signal transmission line(400) interlinks a power amplifier to an antenna.
摘要翻译：目的：提供高频信号传输装置及其装置的阻抗匹配方法，以通过减少天线的阻抗变化来解决信号传输装置的线性和效率。构成：信号供给电路（200）向负载（300）提供信号。信号传输装置（100）被设计成在信号提供电路和负载之间执行阻抗匹配。相同输出电路的ACPR（相邻通道功率比）能够根据连接到输出电路的负载阻抗而改变。信号传输线（400）将功率放大器与天线相互连接。

4. 发明授权

KR101629063B1 전력 증폭기 有权
标题翻译：功率放大器
公开(公告)号：KR101629063B1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：KR1020130011743
申请日：2013-02-01
申请人： 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 전문석 , 우중린 , 정상화 , 김정현 , 권영우
IPC分类号： H03F1/30 , H03F1/22
CPC分类号： H03F1/223 , H03F1/0222 , H03F2200/102 , H03F2200/18
摘要： 전력증폭기는공통소스증폭스테이지및 제 1 공통게이트증폭스테이지를포함한다. 공통소스증폭스테이지는게이트를통하여 RF 입력신호를수신하는공통소스트랜지스터를포함한다. 제 1 공통게이트증폭스테이지는가변공급전압원과상기공통소스증폭스테이지사이에캐스코드로연결되어(connected in cascode), 상기공통소스증폭스테이지의출력을증폭한다. 제 1 공통게이트증폭스테이지는상기공통소스트랜지스터와캐스코드로연결된제 1 공통게이트트랜지스터; 및상기가변공급전압원의가변공급전압에기초하여제 1 분배전압을생성하고, 상기제 1 분배전압을버퍼링하여생성된제 1 게이트바이어스전압을상기제 1 공통게이트트랜지스터의게이트에공급하는제 1 게이트바이어스컨트롤러를포함한다.
摘要翻译：功率放大器包括公共源极放大级和第一公共栅极放大级。公共源极放大级包括通过栅极接收RF输入信号的公共源极晶体管。第一共栅放大器级被连接在可变电源电压源和所述共源极放大器级之间级联放大（连接级联），公共源极放大器级的输出端。第一共栅放大器级包括连接在共源极晶体管和共源共栅的第一共栅极晶体管; 和用于可变供电电压源的可变电源电压的基础上产生第一配电电压和供给由缓冲第一配电电压到第一公共栅极晶体管的栅极产生一个第一栅极偏置电压的第一栅极偏置控制器。

5. 发明公开

KR1020140018775A 전력 증폭기 有权
标题翻译：功率放大器
公开(公告)号：KR1020140018775A
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：KR1020130007658
申请日：2013-01-23
申请人： 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 전문석 , 우중린 , 정상화 , 김정현
IPC分类号： H03F1/30 , H03F3/20
CPC分类号： H03F3/211 , H03F1/0211
摘要： Provided is a power amplifier receiving and amplifying a radio frequency (RF) signal from an input terminal and outputting an amplified RF signal. The power amplifier comprises: an RF power amplification unit configured to amplify the RF input signal; a metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) configured to have a source supplied with a first direct current (DC) power, a gate that receives the RF input signal, and a drain connected to a power supply terminal of the RF power amplification unit; a power detection unit configured to detect the amplitude of the RF input signal and generate an envelope signal based on the detected amplitude; a supply voltage modulation control unit configured to determine a DC gate voltage of the MOSFET based on the envelope signal; and a bypass circuit including a first end connected to the drain of the MOSFET and a second end connected to the power supply terminal of the RF power amplification unit. The MOSFET outputs a second DC power to the drain based on the DC gate voltage, where the second DC power is lower than the first DC power. The MOSFET amplifies the RF input signal based on a third DC power which has a magnitude substantially equal to the difference between the first DC power and the second DC power, and outputs an RF power via the drain. The bypass circuit receives and rectifies the RF power outputted from the drain of the MOSFET, and supplies a recycled DC power resulting from the rectification to the power supply terminal of the RF power amplification unit. [Reference numerals] (32) Power detection unit; (36) RF blocking unit; (52) RF-DC rectification circuit; (54) RF-choke circuit; (61) First load matching unit; (62) Second load matching unit; (70) Power distribution unit; (80) Input matching unit
摘要翻译：提供了从输入端子接收和放大射频（RF）信号并输出放大的RF信号的功率放大器。功率放大器包括：RF功率放大单元，被配置为放大RF输入信号; 配置为具有提供第一直流（DC）功率的源极的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），接收RF输入信号的栅极和连接到RF功率的电源端子的漏极放大单元; 功率检测单元，被配置为基于检测到的幅度来检测RF输入信号的幅度并产生包络信号; 电源电压调制控制单元，被配置为基于所述包络信号来确定所述MOSFET的DC栅极电压; 以及旁路电路，包括连接到MOSFET的漏极的第一端和连接到RF功率放大单元的电源端子的第二端。 MOSFET基于直流栅极电压向漏极输出第二直流电力，其中第二直流功率低于第一直流功率。 MOSFET基于第三DC电源对RF输入信号进行放大，该第三DC功率的幅度基本上等于第一DC电源和第二DC电源之间的差值，并经由漏极输出RF功率。旁路电路接收并整流从MOSFET的漏极输出的RF功率，并且将由整流产生的再循环DC电力提供给RF功率放大单元的电源端子。（附图标记）（32）功率检测单元; （36）RF阻断单元; （52）RF-DC整流电路; （54）RF扼流圈; （61）第一负载匹配单元; （62）第二负载匹配单元; （70）配电单元; （80）输入匹配单元

6. 发明公开

KR1020110108215A 멀티 밴드 전력 증폭기를 위하여 효율적으로 경로를 아이솔레이팅 시킬 수 있는 임피던스 정합 회로 有权
标题翻译：具有多功能放大器高效隔离功能的阻抗匹配电路
公开(公告)号：KR1020110108215A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：KR1020100054693
申请日：2010-06-10
申请人： 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 김정현 , 김운하 , 정상화 , 권영
IPC分类号： H03F1/56 , H03H7/38
CPC分类号： H03F1/56 , H03H7/38
摘要： 본 발명의 대표 실시예에 따른 전력 증폭기의 출력부에 사용되는 임피던스 정합 회로가 개시된다. 임피던스 정합 회로는 주파수 밴드 신호를 수신하는 하나의 입력 단자와, 복수의 경로를 포함하되, 각 경로는 전송될 주요 밴드 신호를 할당 받으며, 경로 온-오프 네트워크와 고정된 값의 임피던스 정합 회로를 포함한다. 수신된 주파수 밴드 신호의 종류에 기초해, 경로 온-오프 네트워크는 복수의 경로 중 선택된 하나의 경로의 입력 임피던스가 낮은 절대값이 되도록 함으로써 선택된 경로를 활성화시켜서 신호가 선택된 경로를 통해 전송되도록 하고, 복수의 경로 중 선택되지 않은 나머지 경로의 입력 임피던스는 매우 큰 절대값이 되도록 함으로써 나머지 경로를 비활성화시켜서 신호가 나머지 경로를 통해 전송되지 않도록 한다. 고정된 값의 임피던스 정합 네트워크는, 각 경로의 로드 임피던스를 각 경로의 입력 임피던스에 정합시켜서, 각 경로가 경로 온-오프 네트워크에 의해 활성화되었을 때, 각 경로의 입력 임피던스가 상기 주요 밴드 신호에 대하여 규정된 기준 값이 되도록 한다.

7. 发明授权

KR101620662B1 전력 증폭기 有权
标题翻译：功率放大器
公开(公告)号：KR101620662B1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：KR1020130007658
申请日：2013-01-23
申请人： 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 전문석 , 우중린 , 정상화 , 김정현
IPC分类号： H03F1/30 , H03F3/20
CPC分类号： H03F3/211 , H03F1/0211
摘要： 입력단자로부터 RF(Radio Frequency) 입력신호를수신및 증폭하여증폭된 RF 신호를출력하는전력증폭기가제공된다. 전력증폭기는, 상기 RF 입력신호를증폭하는 RF 전력증폭부; 제 1 직류전력이공급되는소스와, 상기 RF 입력신호가입력되는게이트와, 상기 RF 전력증폭부의전원공급단자에접속된드레인을포함하도록구성된 MOSFET(Metal-Oxide Field-Effect Transistor); 상기 RF 입력신호의진폭을검출하고, 검출된상기진폭에근거하여포락선신호를생성하는전력검출부; 상기포락선신호를토대로상기 MOSFET의직류게이트전압을결정하는공급전압변조제어부; 및상기 MOSFET의상기드레인에접속하는제 1 단자와, 상기 RF 전력증폭부의상기전원공급단자에접속하는제 2 단자를갖는바이패스회로를포함한다. 상기 MOSFET은, 상기직류게이트전압에근거하여, 상기제 1 직류전력보다작은제 2 직류전력을상기드레인에출력한다. 상기 MOSFET은, 상기제 1 직류전력과제 2 직류전력의차분과실질적으로동일한크기의제 3 직류전력에근거하여상기 RF 입력신호를증폭하여, 상기드레인을통해 RF 전력을출력한다. 상기바이패스회로는상기드레인으로부터출력된 RF 전력을수신및 정류하여, 정류의결과로생성된재활용직류전력을상기 RF 전력증폭부의상기전원공급단자로공급한다.
摘要翻译：提供了一种功率放大器，其接收并放大来自输入端的RF（射频）输入信号并输出放大的RF信号。功率放大器包括：RF功率放大器，用于放大RF输入信号; 一种MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），被配置为包括被提供第一DC电力的源极，RF输入信号被输入到的栅极以及被连接到RF功率放大器的电源端子的漏极; 功率检测器，用于检测RF输入信号的幅度并基于检测到的幅度产生包络信号; 电源电压调制控制器，用于基于包络信号确定MOSFET的DC栅极电压; 以及旁路电路，其具有连接到MOSFET的上相位的第一端子和连接到RF功率放大器的电源端子的第二端子。基于直流栅极电压，MOSFET向漏极输出比第一直流功率小的第二直流功率。 MOSFET基于与第一直流功率和第二直流功率之差基本相同的第三直流功率放大RF输入信号，并通过漏极输出RF功率。旁路电路接收并且对从漏极输出的RF功率进行整流，并且将作为整流结果而产生的再循环直流功率提供给RF功率放大部分的功率供应端子。

8. 发明授权

KR101382803B1 고주파 신호 송신기의 임피던스 정합 방법 및 장치 有权
标题翻译：高频信号发射机阻抗匹配的方法与装置
公开(公告)号：KR101382803B1
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：KR1020100060654
申请日：2010-06-25
申请人： 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 전주영 , 정상화 , 김정현 , 권영
IPC分类号： H04B1/04
CPC分类号： H04B1/04
摘要： 본 발명은, 고주파 신호를 공급하는 전력 증폭기와, 상기 고주파 신호를 송신하는 안테나와, 상기 전력 증폭기로부터 상기 안테나에 상기 고주파 신호를 전송하는 전송선과, 상기 전송선에 연결되는 임피던스 정합 회로를 포함하는 고주파 신호 송신기이다. 또한, 고주파 신호 송신기는 부정합 검출기도 포함한다. 부정합 검출기는 임피던스 정합 회로가 전송선 상에 연결된 지점에서의 스미스 차트 상에 그려지는 인접 채널 전력비(ACPR) 등고선에 기초하여 스미스 차트를 두 개의 영역으로 나누어 비교적 선형성이 불량한 영역과 비교적 선형성이 양호한 영역으로 지정하고, 시간에 따라 변할 수 있는 고주파 신호 송신기의 반사 계수를 위상 및 크기 면에서 측정하고, 반사 계수가 상기 비교적 선형성이 불량한 영역 또는 상기 비교적 선형성이 양호한 영역에 위치하는지 여부를 판정하고, 그 판정 결과에 기초하여, 고주파 신호 송신기의 선형성을 향상시킨다.

9. 发明公开

KR1020140024204A 전력 증폭기 有权
标题翻译：功率放大器
公开(公告)号：KR1020140024204A
公开(公告)日：2014-02-28
申请号：KR1020130011743
申请日：2013-02-01
申请人： 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 전문석 , 우중린 , 정상화 , 김정현 , 권영우
IPC分类号： H03F1/30 , H03F1/22
CPC分类号： H03F1/223 , H03F1/0222 , H03F2200/102 , H03F2200/18 , H03F1/30 , H03F1/22
摘要： A power amplifier comprises a common source amplification stage and a first common gate amplification stage. The common source amplification stage includes a common source transistor for receiving a radio frequency (RF) input signal via a gate. The first common gate amplification stage is connected in cascode between a variable supply voltage source and the common source amplification stage, and amplifies an output of the common source amplification stage. The first common gate amplification stage includes a first common gate transistor connected in cascade with the common source amplification transistor; and a first gate bias controller configured to generate a first divided voltage based on a variable supply voltage of the variable supply voltage source, and to supply a first gate bias voltage generated by buffering the first divided voltage to a gate of the first common gate transistor. [Reference numerals] (AA) Load matching circuit; (BB) RF input signal
摘要翻译：功率放大器包括公共源极放大级和第一公共栅极放大级。公共源极放大级包括用于经由栅极接收射频（RF）输入信号的公共源极晶体管。第一公共栅极放大级以可变电源电压源和公共源极放大级之间的级联连接，并放大公共源极放大级的输出。第一公共栅极放大级包括与公共源极放大晶体管级联连接的第一公共栅极晶体管; 以及第一栅极偏置控制器，被配置为基于所述可变电源电压源的可变电源电压产生第一分压，并将通过将所述第一分压进行缓冲而产生的第一栅极偏置电压提供给所述第一公共栅极晶体管的栅极。（标号）（AA）负载匹配电路; （BB）RF输入信号

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