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1. 发明授权

KR101385997B1 단결정 제조장치 및 단결정 제조방법 有权
标题翻译：用于生产单晶的装置和用于生产单晶的方法
公开(公告)号：KR101385997B1
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：KR1020097008140
申请日：2007-08-20
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 타카노키오타카 , 우라노마사히코 , 호시료지
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/14 , C30B29/06
摘要： 본 발명은, 적어도, 복수로 분할 가능한 챔버를 구비하고, 쵸크랄스키법에 의해 단결정을 제조하기 위한 단결정 제조장치로서, 상기 복수로 분할된 챔버 중 적어도 하나는, 그 챔버를 냉각하는 순환 냉각매체가 유통되는 순환 냉각매체용 유로와, 상기 순환 냉각매체의 상기 순환 냉각매체용 유로에서의 입구온도, 출구온도 및 순환 냉각매체 유량을 측정하는 각각의 측정수단을 갖고, 상기 입구온도, 출구온도 및 순환 냉각매체 유량의 측정값으로부터, 상기 챔버로부터의 제거열량 및/또는 제거열량의 비율을 산출하는 연산수단과, 이 산출된 제거열량 및/또는 제거열량의 비율에 기초하여 단결정의 인상속도를 제어하는 인상속도 제어수단을 구비하는 단결정 제조장치 및 이것을 이용하여 행하는 단결정의 제조방법이다. 이것에 의해, 결정 품질을 용이하게 안정시켜 단결정을 제조하기 위한 단결정 제조장치 및 단결정 제조방법이 제공된다.
단결정, 순환, 냉각, 매체, 온도, 유량, 열량, 인상속도

2. 发明授权

KR101378558B1 기준 반사체와 융액면과의 거리의 측정방법，및 이것을 이용한 융액면 위치의 제어방법，및 실리콘 단결정의 제조장치 有权
公开(公告)号：KR101378558B1
公开(公告)日：2014-03-25
申请号：KR1020087026078
申请日：2007-01-31
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 우라노마사히코 , 푸세가와이즈미
IPC分类号： C30B15/26 , C30B29/06
摘要： 본 발명은, CZ법에 의해 도가니내의 원료융액으로부터 실리콘 단결정을 인상할 때에, 융액면 상방에 배치한 기준 반사체와 융액면과의 상대거리를 측정하는 방법으로서, 적어도, 상기 실리콘 단결정의 인상을, 자장을 인가하면서 행하고, 상기 기준 반사체의 실상과 융액면에 반사된 이 기준 반사체의 경상의 화상을 검출 수단으로 포착하고, 이 포착한 기준 반사체의 실상과 경상의 화상을 각각의 화상으로서 처리 하고, 이 처리한 화상으로부터 상기 기준 반사체의 실상과 경상의 상대거리를 산출하는 것으로, 기준 반사체와 융액면과의 상대거리를 측정하는 것을 특징으로 하는 기준 반사체와 융액면과의 거리의 측정방법이다.
이것에 의해, 기준 반사체와 융액면과의 상대거리를 보다 안정하고 보다 정확하게 측정할 수 있는 기준 반사체와 융액면과의 거리의 측정방법이 제공된다.
기준 반사체, 융액면, 상대거리, 실상, 경상

3. 发明公开

KR1020080110865A 기준 반사체와 융액면과의 거리의 측정방법，및 이것을 이용한 융액면 위치의 제어방법，및 실리콘 단결정의 제조장치 有权
标题翻译：用于测量参考反射器和熔融表面之间的距离的方法，用于控制使用其的熔融表面的位置的方法和硅单晶生产装置
公开(公告)号：KR1020080110865A
公开(公告)日：2008-12-19
申请号：KR1020087026078
申请日：2007-01-31
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 우라노마사히코 , 푸세가와이즈미
IPC分类号： C30B15/26 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/305 , C30B15/26 , C30B30/04
摘要： A method for measuring the relative distance between a reference reflector installed above the melt surface and the melt surface when a silicon single crystal is pulled up from the material melt in a crucible by the CZ method. The method is characterized in that the silicon single crystal is pulled up while applying a magnetic field, the real image of the reference reflector and the mirror image of the reference reflector reflected from the melt surface are captured by detecting means, the captured real image of the reference reflector and the captured mirror image are separately processed, the relative distance between the real and mirror images of the reference reflector is computed from the processed images, and thus the relative distance between the reference reflector and the melt surface is measured. With this, a method for more stably and more accurately measuring the distance between the reference reflector and the melt surface is provided. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：一种用于测量在通过CZ方法从坩埚中的材料熔融物将硅单晶拉出时，安装在熔融表面上方的参考反射体与熔体表面之间的相对距离的方法。该方法的特征在于，在施加磁场的同时上拉硅单晶，通过检测装置捕获参考反射体的实际图像和从熔体表面反射的参考反射体的镜像，捕获的真实图像基准反射体和捕获的镜像被分别处理，从经处理的图像计算参考反射体的实像和镜像之间的相对距离，因此测量参考反射体与熔体表面之间的相对距离。由此，提供了用于更稳定且更精确地测量参考反射器和熔体表面之间的距离的方法。 ®KIPO＆WIPO 2009

4. 发明公开

KR1020090069313A 단결정 제조장치 및 단결정 제조방법 有权
标题翻译：用于生产单晶的装置和用于生产单晶的方法
公开(公告)号：KR1020090069313A
公开(公告)日：2009-06-30
申请号：KR1020097008140
申请日：2007-08-20
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 타카노키오타카 , 우라노마사히코 , 호시료지
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/14 , C30B29/06
摘要： This invention provides an apparatus for producing a single crystal and a method for producing a single crystal. The apparatus is provided with at least a chamber dividable into a plurality of parts, for producing a single crystal by a Czochralski method. At least one of the plurality of the divided chambers has a flow path for a circulating cooling medium in which the circulating cooling medium for cooling the chamber is circulated, and means for respectively measuring inlet and outlet temperatures in the flow path for the circulating cooling medium and the flow rate of the circulating cooling medium. In the apparatus for producing the single crystal and method for producing the single crystal using this apparatus, a calculating means for calculating the quantity heat removed and/or the proportion of the quantity of heat removed from the chamber, base on the measured values of the inlet temperature and outlet temperature and flow rate of the circulating cooling medium, is provided. Further, pull-up speed control means for controlling the pull-up speed of the single crystal based on the calculated quantity of heat removed and/or the proportion of heat removed is also provided. The above apparatus for producing a single crystal and method for producing a single crystal can produce a single crystal while easily stabilizing the quality of the crystal.
摘要翻译：本发明提供一种单晶的制造装置和单晶的制造方法。该装置设置有至少一个可分割成多个部分的腔室，用于通过切克劳斯（Czochralski）方法制造单晶。所述多个分隔室中的至少一个具有用于循环冷却介质的流路，循环冷却介质用于冷却室的循环冷却介质循环，以及用于分别测量用于循环冷却介质的流路中的入口和出口温度的装置和循环冷却介质的流量。在使用该装置的单晶的制造装置和单晶的制造方法中，使用计算装置，用于计算除去的量的热量和/或从腔室排出的热量的比例，提供了循环冷却介质的入口温度和出口温度和流量。此外，还提供了用于基于计算的去除热量和/或除去的热量的比例来控制单晶的上拉速度的上拉速度控制装置。上述单晶的制造装置和单晶的制造方法可以制造单晶，同时容易稳定晶体的质量。

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