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1. 发明授权

KR101679435B1 전자선용 또는 ＥＵＶ용 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：用于电子束或EUV的化学放大正抗蚀剂组合物和图案形成方法
公开(公告)号：KR101679435B1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：KR1020110013205
申请日：2011-02-15
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 마스나가,게이이찌 , 와따나베,사또시 , 다나까,아끼노부 , 도몬,다이스께
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
摘要： 본발명은 (A) 고분자화합물또는고분자화합물의혼합물에의한막이알칼리성현상액에불용성이고, 산의작용에의해가용성으로변화하는고분자화합물또는고분자화합물의혼합물, (B) 산발생제, (C) 산의작용을억제하기위한염기성화합물, 및 (D) 용제를함유하며, 상기 (C) 성분은염기성활성점으로서 2급또는 3급아민구조를갖는측쇄를갖는반복단위를갖는고분자화합물임과동시에, 상기 (A) 성분인고분자화합물의일부또는전부인전자선용또는 EUV용화학증폭포지티브형레지스트조성물에관한것이다. 본발명에따르면, 초미세패턴이요구되는레지스트패턴의형성에있어서, 상기화학증폭포지티브형레지스트조성물을이용함으로써염기의존재를균일하게할 수있어, 라인엣지러프니스의개선, 또한온도의존성의억제를할 수있고, 고해상도를기대할수 있는화학증폭포지티브형레지스트조성물을제공할수 있다.
摘要翻译：本发明（A）的聚合物化合物，或在膜的不溶性是碱性显影通过将聚合物化合物的混合溶液中，该聚合物通过酸化合物的作用或所述聚合物的混合物中的可溶性变化，（B）产酸剂，（C）酸用于抑制的作用，和（d）和溶剂，其中所述组分（C）是在同一时间作为具有含具有仲胺或叔胺结构的碱性活性位点的侧链的重复单元的聚合物化合物的碱性化合物，一些或所有电子束或EUV为聚合物化合物，其中所述组分（a）涉及一种正的化学放大抗蚀剂组合物。根据本发明，在一个细形成第二抗蚀剂的温度依赖性的，其上所需要的图案的图案，该化学放大它在碱的存在可以通过使用正变得均匀的抗蚀剂组合物中，线边缘粗糙度的提高，并抑制并且可以提供可以期望高分辨率的化学放大型正光刻胶组合物。

2. 发明授权

KR101656888B1 네가티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：负极组合物和图案过程
公开(公告)号：KR101656888B1
公开(公告)日：2016-09-12
申请号：KR1020100125368
申请日：2010-12-09
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 다나까,아끼노부 , 마스나가,게이이찌 , 도몬,다이스께 , 와따나베,사또시
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/038 , G03F1/08 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/20 , Y10S430/111
摘要： 본발명은패턴형성시에브릿지가발생하기어렵고, 높은해상성을제공할수 있는네가티브형레지스트조성물및 이것을이용한패턴형성방법을제공하는것을목적으로한다. 본발명은, 적어도, (A) 알칼리가용성이고산의작용에의해알칼리불용성이되는베이스중합체, (B) 산발생제, (C) 염기성성분을함유하는네가티브형레지스트조성물로서, 상기베이스중합체는적어도하기화학식 1 및하기화학식 2로표시되는반복단위를포함하며, 중량평균분자량이 1,000 내지 10,000인고분자화합물을함유하는것을특징으로하는네가티브형레지스트조성물에관한것이다.

3. 发明授权

KR101623604B1 화학 증폭 네가티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：化学放大抗负荷组合物和方法
公开(公告)号：KR101623604B1
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：KR1020110016896
申请日：2011-02-25
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 마스나가,게이이찌 , 와따나베,사또시 , 하따께야마,준 , 오사와,요우이찌 , 도몬,다이스께
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F1/14 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , Y10S430/11 , Y10S430/111
摘要： 본발명은 (A) 수성알칼리성현상액에가용성이고, 산촉매에의한반응으로수성알칼리성현상액에불용성이되는베이스중합체, 및/또는, 수성알칼리성현상액에가용성이고, 산촉매에의해가교제와반응하여수성알칼리성현상액에불용성이되는베이스중합체와가교제의조합, (B) 산발생제, (C) 염기성성분으로서질소를함유하는화합물을 함유하는화학증폭네가티브형레지스트조성물에있어서, 상기베이스중합체의적어도일부로서, 화학식 (1)로표시되는고분자화합물을이용하는것에관한것이다.[식중, R은하기화학식로표시되는중합성단량체에있어서의중합활성을부여하는기본골격유래중 어느하나의구조를나타내되, 단상기구조중의산소원자로부터신장하는결합은 W과의결합을나타내며, R는불소원자또는불소함유알킬기를나타내고, W은 2가의유기기를나타내고, Q는술포늄양이온또는요오도늄양이온을나타냄] 본발명에따르면, 산의확산을보다균일하고또한저확산으로할 수있고, 라인엣지러프니스의개선, 패턴의기판의존성이작은화학증폭네가티브형레지스트조성물을제공할수 있다.

4. 发明授权

KR101617893B1 네가티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101617893B1
公开(公告)日：2016-05-03
申请号：KR1020100120309
申请日：2010-11-30
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 다나까,아끼노부 , 마스나가,게이이찌 , 도몬,다이스께 , 와따나베,사또시
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0045
摘要： 본발명은브릿지가발생하기어렵고, 또한기판의존성이작고, 해상성이우수한패턴을형성할수 있는네가티브형레지스트조성물및 이것을이용한패턴형성방법을제공하는것을목적으로한다. 본발명은네가티브형레지스트조성물로서, 베이스수지는적어도하기화학식 1 및 2로표시되는반복단위를포함하며, 중량평균분자량이 1,000 내지 10,000이고, 염기성성분으로서질소를함유하는화합물은카르복실기를가지며염기성중심인질소원자에공유결합으로결합하는수소를갖지않는아민화합물의 1종이상을포함하는것임을특징으로하는네가티브형레지스트조성물에관한것이다.

5. 发明授权

KR101603797B1 보호 중합체의 탈보호 방법 有权
标题翻译：保护聚合物的保护方法
公开(公告)号：KR101603797B1
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：KR1020100099079
申请日：2010-10-12
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 마스나가,게이이찌 , 와따나베,다께루 , 도몬,다이스께 , 와따나베,사또시
IPC分类号： C08F8/12 , G03F7/039 , C08K5/17 , C08L101/00
CPC分类号： G03F7/0392 , C08F8/12 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/18 , C08F2220/1825 , C08F2220/1833 , C08F2220/185 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , C08F220/30 , C08F230/08
摘要： 본발명은아실기에의해서보호된페놀성수산기를가지는단위구조를포함하는중합체의탈보호반응에있어서, 보다단시간에다른부분구조를보존한상태에서탈아실화를행할수 있고, 또한중합체로서취출했을때, 반응에따른중합체이외의물질에의한오염을고도로억제가능한보호중합체의탈보호방법을제공한다. 아실기에의해보호된페놀성수산기를가지는단위구조를적어도포함하는보호중합체와, ClogP의값이 1.00 이하인제1급또는제2급아민화합물로부터선택되는탈보호시약(단, 제2급아민화합물은아미노기의질소원자에결합하는 2개의탄소원자가모두제3급은아님)을유기용제에용해시켜탈보호하는단계를적어도포함하는, 보호중합체의탈보호방법을제공할수 있다. 상기제1급또는제2급아민화합물은, 바람직하게는하기화학식 1로표시된다.

6. 发明授权

KR101596522B1 화학 증폭 포지티브형 포토레지스트 재료 및 레지스트 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：化学放大正电子成像组合物和图案形成过程
公开(公告)号：KR101596522B1
公开(公告)日：2016-02-22
申请号：KR1020100056293
申请日：2010-06-15
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 마스나가,게이이찌 , 다나까,아끼노부 , 도몬,다이스께 , 와따나베,사또시 , 오사와,요우이찌 , 오하시,마사끼
IPC分类号： G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045
摘要： 본발명은화학식(1) 내지 (3) 또는 (1) 내지 (4)로표시되는반복단위를가지며, 화학식(1)의단위가중합체를구성하는전체단위중에서차지하는비율이 10 몰% 이하인중합체를함유하는화학증폭포지티브형포토레지스트재료를제공한다.[식중, R은수소원자, 불소원자, 메틸기또는트리플루오로메틸기를나타내고, R는수소원자, 알킬기또는알콕시기를나타내고, R은알킬기를나타내고, A는단결합또는쇄의중간에에테르결합을포함할수도있는 2가유기기를나타내고, B는벤젠환또는 3개이하의방향환으로이루어지는축합다환방향족기를나타내고, s는 0 또는 1을나타내고, u는 0 또는 1을나타내고, a는 0 내지 3의정수이고, b 및 c는 1 내지 3의정수이고, X는 c가 1인경우에는산불안정기를, c가 2 이상인경우에는수소원자또는산불안정기를나타내고, 적어도 1개는산불안정기이고, Q는하기화학식(5) 또는 (6)을나타낸다.(단, R은수소원자, 수산기, 알킬카르보닐옥시기또는알킬기또는알콕시기또는할로겐치환된알킬기또는알콕시기를나타내고, d는 0 내지 4의정수이다.)] 본발명의포토레지스트재료는, 그기재수지의중합체가일반적으로이용되는중합용제, 정제용제나레지스트용제에대한용해성에문제가없고, 또한크롬계재료와같은, 패턴형성시의패턴박리나패턴붕괴를일으키기쉬운재료를표면에갖는피가공기판상에서도안정된패턴형성이가능하다.

7. 发明公开

KR1020110095168A 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：化学放大正电阻组合物和图案形成过程
公开(公告)号：KR1020110095168A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：KR1020110013206
申请日：2011-02-15
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 마스나가,게이이찌 , 와따나베,사또시 , 다나까,아끼노부 , 도몬,다이스께
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/004 , G03F7/0047 , G03F7/039 , H01L21/027 , H01L21/0271
摘要： PURPOSE: A chemically amplified positive resist composition containing a basic polymer compound, and a pattern formation method using thereof are provided to control the diffusion of a base by uniformly dispersing the base. CONSTITUTION: A chemically amplified positive resist composition contains the following: a basic polymer compound including recurring units marked with chemical formula 1 and 2; and a polymer compound including a recurring unit marked with chemical formula 3, and a recurring unit including an acid-labile blocking group.
摘要翻译：目的：提供含有碱性高分子化合物的化学放大型正性抗蚀剂组合物及其使用的图案形成方法，以通过均匀地分散碱来控制碱的扩散。构成：化学增幅正性抗蚀剂组合物含有以下物质：包含化学式1和2所示的重复单元的碱性高分子化合物; 以及包含标记有化学式3的重复单元的高分子化合物和包含酸不稳定性封闭基团的重复单元。

8. 发明公开

KR1020110090825A 신규 술포늄염, 고분자 화합물, 고분자 화합물의 제조 방법, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：新型磺酸盐，聚合物，聚合物的生产方法，耐腐蚀组合物和方法
公开(公告)号：KR1020110090825A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：KR1020110010223
申请日：2011-02-01
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 오하시,마사끼 , 와따나베,사또시 , 오사와,요우이찌 , 마스나가,게이이찌 , 긴쇼,다께시
IPC分类号： C07C381/12 , C08F22/24 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： C07C69/54 , C08F220/38 , G03F7/004 , G03F7/20 , C07C381/12 , C08F22/24 , G03F7/0045 , H01L21/027 , H01L21/0271
摘要： PURPOSE: A sulfonium salt is provided to enable the use as a resist material with high resolution or LER(line edge roughness) in the photolithography using ArF excimer laser, EUV light, and electronic beams as a light source. CONSTITUTION: A sulfonium salt is represented by chemical formula (1). In chemical formula (1), X and Y represent a group having a polymerizable functional group; Z represents a C1-33 divalent hydrocarbon group which can include hetero atoms; R^1 represents a C1-36 divalent hydrocarbon group which can include hetero atoms; and R^2 and R^3 are a C1-30 monovalent hydrocarbon group which can include hetero atoms and R^2. A ring together with sulfur atoms can be formed with sulfur atoms.
摘要翻译：目的：提供锍盐，以使用ArF准分子激光，EUV光和电子束作为光源在光刻中具有高分辨率或LER（线边缘粗糙度）的抗蚀剂材料。构成：锍盐由化学式（1）表示。在化学式（1）中，X和Y表示具有聚合性官能团的基团; Z表示可以包括杂原子的C1-33二价烃基; R 1表示可以包括杂原子的C1-36二价烃基; 并且R 2和R 3是可以包括杂原子和R ^ 2的C 1-30单价烃基。可以与硫原子一起形成与硫原子一起形成的环。

9. 发明授权

KR101869603B1 네가티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101869603B1
公开(公告)日：2018-07-23
申请号：KR1020160113053
申请日：2016-09-02
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 다나까,아끼노부 , 마스나가,게이이찌 , 도몬,다이스께 , 와따나베,사또시
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F1/00 , G03F7/027 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/038 , G03F1/08 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/20 , Y10S430/111
摘要： 본발명은패턴형성시에브릿지가발생하기어렵고, 높은해상성을제공할수 있는네가티브형레지스트조성물및 이것을이용한패턴형성방법을제공하는것을목적으로한다. 본발명은, 적어도, (A) 알칼리가용성이고산의작용에의해알칼리불용성이되는베이스중합체, (B) 산발생제, (C) 염기성성분을함유하는네가티브형레지스트조성물로서, 상기베이스중합체는적어도하기화학식 1 및하기화학식 2로표시되는반복단위를포함하며, 중량평균분자량이 1,000 내지 10,000인고분자화합물을함유하는것을특징으로하는네가티브형레지스트조성물에관한것이다.

10. 发明公开

KR1020170066289A 화학 증폭 네가티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 审中-实审
标题翻译：化学放大负性抗蚀剂组合物和图案形成方法
公开(公告)号：KR1020170066289A
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：KR1020170066887
申请日：2017-05-30
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 마스나가,게이이찌 , 도몬,다이스께 , 와따나베,사또시
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/004 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/0045 , C08F26/06 , C08F214/18 , C08F220/30 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/2041 , H01L21/0271 , Y10S430/114 , G03F7/26
摘要： 본발명은고에너지선의조사에의해발생하는산을촉매로하여, 가교제및/또는레지스트중합체중의가교성관능기를갖는반복단위에의해, 레지스트중합체사이에가교가형성되어알칼리성현상액에대하여불용화하는기구를갖는화학증폭네가티브형레지스트조성물에있어서, 레지스트중합체가화학식 (1) 내지 (4)의반복단위를함유하고,화학식 (1)로표시되는반복단위는 0.5 내지 10 몰%를차지하며, 화학식 (2) 내지 (4)로표시되는반복단위를합계한양의비율은 50 내지 99.5 몰%를차지한다. 본발명에따르면, 산발생능화합물의레지스트막중의미세한분포및 확산을보다균일하게할 수있고, 유효한감도를유리하게확보할수 있음과동시에, 라인엣지러프니스의개선, 또한산의기판계면의실활을억제할수 있고, 네가티브형레지스트조성물특유의언더컷의정도가작은레지스트프로파일의형성을가능하게한다.
摘要翻译：本发明的，并通过用能量射线作为催化剂照射而产生的酸，夹具是交联剂和/或抗蚀剂的聚合物是交联的被抗蚀剂聚合物之间形成，由具有相对于所述碱性显影液中不溶解的交联官能团的重复单元（1）〜（4）中，式（1）所示的重复单元占0.5〜10摩尔％，式 2）〜（4）占重复单元总量的50〜99.5摩尔％。根据本发明，它可以制成零星saengneung化合物的抗蚀剂膜的更均匀的精细分布和扩散，在同一时间，并且可以得到有利地有效灵敏度，改进，和该酸的在线边缘粗糙度的基片界面的失活可以形成抗蚀剂组合物特有的底切程度小的抗蚀剂轮廓。

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